Патенты с меткой «монокристаллических»

Номер патента: 1213780

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Репий, Рымашевский, Ястребков

МПК: C30B 13/00, C30B 29/52

Метки: металлов, монокристаллических, основе, сплавов, труб, тугоплавких

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ТРУБ ИЗ ТУГОПЛАВКИХ МЕТАЛЛОВ И СПЛАВОВ НА ИХ ОСНОВЕ бестигельной зонной плавкой, включающий перемещение расплавленной зоны от кольцевой затравки вдоль исходных установленных на затравке прутков, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса и получения беспористых труб большой длины, исходные прутки берут диаметром 0,8 1,4 5% от толщины стенки трубы и устанавливают их по окружности с зазором, при котором расплав за счет капиллярных сил удерживается на уровне кромки оплавления прутков или выше ее.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью введения во время процесса легирующей добавки, у зазоров между...

Номер патента: 1159442

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Децик, Трубицын

МПК: G11B 5/127

Метки: защитной, локального, маской, монокристаллических, пластин, травления, ферритовых, химического

СПОСОБ ЛОКАЛЬНОГО ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ФЕРРИТОВЫХ ПЛАСТИН С ЗАЩИТНОЙ МАСКОЙ в водном растворе, содержащем фосфорную кислоту, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости травления и качества получающегося рельефа, травление осуществляют при 100 180oС в растворе, содержащем дополнительно щавелевую кислоту, при следующем соотношении компонентов, об.ч.Ортофосфорная кислота (уд.вес 1,72 г/см3) 100Щавелевая кислота, насыщенный водный раствор 5 7

Номер патента: 1521135

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Децик, Миляева, Розанов, Спирин, Титова, Шадрин

МПК: C23F 1/02

Метки: времени, локального, монокристаллических, пластин, травления, ферритовых

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ВРЕМЕНИ ЛОКАЛЬНОГО ТРАВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ФЕРРИТОВЫХ ПЛАСТИН, предусматривающий пробное травление нескольких пластин из данной партии в интервале времени от 1 до 2 последующее измерение ширины рабочей дорожки на пластинах, прошедших травление в течение одного и того же времени, сравнение измеренных величин с серединой поля допуска ширины рабочей дорожки и травление всей партии в течение отрезка времени в пределах от 1 до

Номер патента: 1536876

Опубликовано: 10.09.1995

Авторы: Баранова, Основина, Петров

МПК: C30B 29/28, C30B 33/10

Метки: монокристаллических, сфер, феррогранатов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СФЕР ИЗ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ФЕРРОГРАНАТОВ, включающий резку монокристаллов на кубические заготовки, придание им сферической формы, шлифовку закрепленным, а полировку свободным сменным абразивным порошком с последовательно уменьшающимся размером, отличающийся тем, что, с целью уменьшения ширины кривой ферромагнитного резонанса и повышения выхода годных сфер по этому параметру, полировку 10,0 мкм абразивным порошком ведут с дополнительным введением алмазной пасты, например АСМ 10, а после полировки 3,0 мкм порошком сферы обрабатывают в растворе состава 0,15 H2SO4 0,05 CrO3

Номер патента: 1268002

Опубликовано: 27.09.1995

Авторы: Генделев, Петров, Шильников

МПК: H01L 21/463

Метки: монокристаллических, сфер, феррогранатов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СФЕР ИЗ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ФЕРРОГРАНАТОВ, включающий резку монокристаллов на кубические заготовки, придание заготовкам формы, близкой к сферической, с использованием абразива зернистостью 160/125 мкм, шлифование связанным абразивом последовательно уменьшающейся зернистости 80/63, 40/28, 20/14 мкм, полирование свободным абразивом последовательно уменьшающейся зернистости 10/7, 5/3, 3/2, 1/0,5 мкм, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных сфер по однородности кривой ферромагнитного резонанса, на каждом этапе шлифования снимают слой толщиной 310 d/H3, а при полировании абразивом зернистостью 10/7 мкм, преимущественно эльбором на полировальнике из стеклотекстолита, снимают слой толщиной от 11 до 15...

Номер патента: 1805706

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Добровинская, Занятнов, Звягинцева, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 29/20, C30B 33/00

Метки: залечивания, монокристаллических, образцах, трещин

...перемещения - прямолинейного. Движение нагревателей с обеих сторон трещины обеспечивает создание деформационного усилия для осуществления пластического течения непосредственно в зоне трещины,Скорость перемещения нагревателей определяет величину деформирующих усилий, возникающих в области пластической деформации между нагревателями, при этом нагреватели в материале передвигаются с "натягом", приводящим к деформации материала вокруг нагревателей. При скоро-.сти меньшей 10 мм/ч не обеспечивается пластическое течение между расплавленными зонами, и трещина не залечивается, а при скорости большей 80 мм/ч резко падают прочностные характеристики нагревателей. Нагреватель разрушается, и процесс эалечивания трещины прекращается, а...

Номер патента: 1382056

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Децик, Леман, Трубицын

МПК: C30B 29/22, C30B 33/10

Метки: локального, марганец-цинковых, монокристаллических, пластин, травления, ферритов, химического

СПОСОБ ЛОКАЛЬНОГО ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛАСТИН МАРГАНЕЦ-ЦИНКОВЫХ ФЕРРИТОВ, включающий нанесение защитной маски на пластины, нагрев травителя, содержащего ортофосфорную кислоту, и выдержку в нем, отличающийся тем, что, с целью обеспечения анизотропности травления, нагрев осуществляют до температуры 30 100oС, выдержку проводят в травителе, дополнительно содержащем азотную и уксусную кислоты при следующем соотношении компонентов, мас.ч.Ортофосфорная кислота (уд.в. 1,72 г/см3) 55 70Азотная кислота (уд.в. 1,51 г/см3) 45 50Уксусная кислота (уд.в. 1,05 г/см3) 35 50Дистиллированная вода 100 140

Номер патента: 1769449

Опубликовано: 20.03.1996

Автор: Федоров

МПК: B22D 27/04

Метки: литейная, монокристаллических, форма

1. ЛИТЕЙНАЯ ФОРМА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ИЗДЕЛИЙ, преимущественно тел вращения типа крыльчатки, содержащая рабочую полость, технологическую полость для выравнивания температуры и затравочную полость, сообщенную с рабочей полостью конусообразным переходным участком, отличающаяся тем, что, с целью повышения качества отливаемых изделий, технологическая полость выполнена в теле литейной формы, вокруг боковой поверхности рабочей полости, на боковой поверхности конусообразного переходного участка выполнены радиально сориентированные вспомогательные каналы с уменьшением их глубины в сторону периферии рабочей полости.2. Форма по п.1, отличающаяся тем, что радиально сориентированные вспомогательные каналы расположены равномерно и...

Номер патента: 1621562

Опубликовано: 27.10.1996

Автор: Губенко

МПК: C30B 15/04, C30B 29/40

Метки: монокристаллических, полупроводниковых, соединений

...ОаАз легируют 1 п с концентрацией 210 см . В раствор дополнительно19 -3вводят Сд и 1 п в концентрациях соответственно 510 , 10 см и 610 , 510 см18 19 -3 19 20 -3 В таких же условиях выращивают пленки ОаАз из растворов, содержащих Сй - 5 1017 и 1 п - 410 см (запредельная концент 2 -3рация). Соотношения концентрации Сб и 1 п в предыдущем случае 1:12 и 1:15.П р и м е р 4. Выращивают эпитаксиальные пленки баАз из раствора Оа с растворенным баАз (Аз - 5 ат,о/,) и Бе с концентрацией 1,210 см . В раствор до 19 -3полнительно вводят РЬ с концентрациями 610 , 5 а 10 см и и: 910 , 2,510 см (соотношение концентраций РЬ:и = 1:15 и 1:12). Выращивают в идентичных условиях, но с концентрациями дополнительных элементов РЬ и п 10 и 810 см18 20 -3...

Номер патента: 1568803

Опубликовано: 10.11.1997

Авторы: Двуреченский, Коляденко

МПК: H01L 21/268

Метки: изоляторе, кремния, монокристаллических, островков

Способ изготовления монокристаллических островков кремния на изоляторе, включающий формирование на монокристаллической подложке разделительного диэлектрика, осаждение слоя поликремния, формирование островков поликремния, осаждение капсулирующего диэлектрического слоя и рекристаллизационный отжиг импульсным нагревом в режиме плавления поликремния, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона используемых разделительных диэлектриков и упрощения технологии, островки поликремния располагают на расстоянии 5 50 мкм друг от друга, а рекристаллизационный отжиг проводят при длительности импульса 1 30 мс и плотности энергии излучения 24 100 Дж/см2.

Номер патента: 1441837

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Барабошкин, Есина, Тарасова

МПК: C25D 3/66

Метки: вольфрамовых, монокристаллических, осаждения, покрытий, расплав, электрохимического, эпитаксиальных

Расплав для электрохимического осаждения эпитаксиальных монокристаллических вольфрамовых покрытий, содержащий вольфрамат натрия и трехокись вольфрама, отличающийся тем, что, с целью получения гладких бездефектных покрытий, он дополнительно содержит вольфрамат калия при следующем соотношении компонентов, мас.%:Трехокись вольфрама - 8 - 16Вольфрамат калия - 9 - 40Вольфрамат натрия - Остальное

Номер патента: 1775939

Опубликовано: 10.02.2000

Автор: Зорин

МПК: B22D 27/04

Метки: литейной, литья, монокристаллических, отливок, формы

1. Способ изготовления литейной формы для литья монокристаллических отливок, включающий формирование рабочей полости с продольной и полярной осями и затравочных карманов, установку в них затравок, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годного и качества отливок предварительно определяют участки расположения затравочных карманов по местам зарождения столбчатых зерен на технологической отливке аналогичной конфигурации путем направленной кристаллизации без затравок, затравочные карманы формируют одинаково ориентированными на участках, соответствующих выявленным местам зарождения столбчатых зерен и сообщенными непосредственно с нерабочей полостью, а затравки устанавливают одинаково...

Номер патента: 858491

Опубликовано: 10.05.2000

Авторы: Ваганов, Плохова

МПК: H01L 23/00

Метки: 100, группового, защитная, маска, монокристаллических, ориентированных, пластин, плоскости, разделения, химического

Защитная маска для группового химического разделения монокристаллических пластин, ориентированных в плоскости (100) на кристаллы, стороны которых ориентированы по направлениям <110>, с помощью локального анизотропного травления, представляющая собой совокупность прямоугольников с фигурами упреждения на вершинах прямых углов, отличающаяся тем, что, с целью увеличения выхода годных кристаллов, фигуры упреждения из защитной пленки на вершинах четырех ближайших углов соседних кристаллов представляет собой систему полосок, ориентированных по направлениям сторон кристаллов <110> и соединенных таким образом, что образуют крестообразную фигуру с центром, равноудаленным от вершин четырех...

Номер патента: 218324

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Клименко, Ржанов, Строителев

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, монокристаллических, слоев

1. Способ выращивания монокристаллических слоев преимущественно полупроводниковых материалов, например германия, в вакууме из расплава при температуре, близкой к точке плавления, отличающийся тем, что, с целью получения слоев на подложках, не эпитаксиальных кристаллизирующемуся веществу, с близкими коэффициентами термического расширения, приводят в контакт нормально расплавленному слою в область минимума теплового поля иглообразную монокристаллическую затравку, кристаллографическая ось которой совпадает с ее геометрической осью, и снижают температуру расплава по заданной программе.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения слоя на несмачивающейся подложке, растягивают...

Номер патента: 1387797

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Фомин

МПК: H01L 21/314

Метки: геттера, кремния, монокристаллических, пластинах

Способ изготовления геттера в монокристаллических пластинах кремния, включающий термообработку пластин для формирования бездефектной приповерхностной области пластин, отличающийся тем, что, с целью устранения эррозии поверхности пластин и уменьшения плотности структурных дефектов, перед термообработкой пластин на их поверхности формируют слой термической двуокиси кремния толщиной 0,045 - 0,05 мкм, после чего осаждают слой поликремния толщиной 0,1 - 0,5 мкм.

Номер патента: 1656766

Опубликовано: 20.09.2005

Авторы: Еланчик, Захаров, Кажакин, Кузькин, Сизов, Чирков

МПК: B22D 27/04

Метки: методических, монокристаллических, отливок, печах, проходных

Способ получения монокристаллических отливок в проходных методических печах, включающий изготовление блоков форм с литниковыми чашами, размещение в блоках форм монокристаллических затравок, а в литниковых чашах - металлических заготовок, установку блоков форм в часть стаканов из тугоплавкого теплопроводного материала с большим коэффициентом поглощения электромагнитного излучения, преимущественно графита, засыпку полости между блоками форм и стаканами сыпучим наполнителем из материала, аналогичного материалу стаканов, подачу загруженных стаканов на вход разогретой проходной методической печи и далее введение их в рабочее пространство печи через шлюзовое устройство по теплопроводной...

Номер патента: 736424

Опубликовано: 20.11.2005

Авторы: Голубятников, Дмитрук, Черников

МПК: B01J 17/18

Метки: волокон, монокристаллических

1. Способ получения монокристаллических волокон путем вытягивания из расплава через формообразователь, отличающийся тем, что, с целью увеличения теплоотвода от вытягиваемых волокон и обеспечения за счет этого повышения производительности, волокна после выхода из формообразователя пропускают между охлаждаемыми элементами, имеющими с внутренней стороны слой графитовой ткани.2. Устройство для осуществления способа по п.1, включающее тигель для расплава, снабженный формообразователем и роликовым механизмом, отличающееся тем, что над формообразователем установлены параллельно друг другу и направлению вытягивания два охлаждаемых элемента, имеющих с внутренней стороны слой графитовой...

Номер патента: 1215378

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Голубятников, Дмитрук, Журавлев

МПК: C30B 15/34

Метки: волокон, выращивания, группового, монокристаллических

Устройство для группового выращивания монокристаллических волокон из расплава, включающее лодочку для расплава, снабженную формообразователем, содержащим вертикальные пластины, установленные в лодочке параллельно друг другу и образующие капилляр, и токоподводы, присоединенные к торцам лодочки, отличающееся тем, что, с целью увеличения срока использования лодочки и формообразователя и повышения надежности процесса, формообразователь снабжен формообразующим элементом, выполненным в виде расположенной над лодочкой горизонтальной пластины, имеющей наружные выступы со сквозными отверстиями, расположенными вдоль капилляра между вертикальными пластинами, в верхней части которых выполнены...

Номер патента: 1332849

Опубликовано: 27.01.2006

Авторы: Желнина, Костышев, Чирков

МПК: C21D 8/00, C22F 1/10

Метки: лопаток, монокристаллических, никелевых, сплавов, турбинных

1. Способ обработки монокристаллических турбинных лопаток из никелевых сплавов, включающий нагрев, отличающийся тем, что, с целью повышения усталостной прочности, перед нагревом проводят поверхностную пластическую деформацию со степенью 5-25%, а нагрев ведут до 1200-1250°С с выдержкой 10-60 мин при этой температуре. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что после нагрева осуществляют дополнительную поверхностную пластическую деформацию со степенью 1-3%.

Номер патента: 650273

Опубликовано: 27.04.2006

Авторы: Голубятников, Дмитрук, Черников

МПК: C30B 15/10, C30B 15/34

Метки: волокон, вытягивания, монокристаллических, нескольких, одновременного, расплава

Устройство для одновременного вытягивания из расплава нескольких монокристаллических волокон, включающее тигель и установленный в его полости блок линейно расположенных формообразователей с вертикальными капиллярными каналами, выполненными из электропроводного материала, и источник тока, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности процесса и прочности получаемых волокон, тигель имеет форму лодочки, торцовые стенки которой присоединены к источнику тока при помощи токоподводов, и блок выполнен из двух пластин, установленных вдоль лодочки параллельно одна другой, причем боковые торцы пластин прикреплены к торцовым стенкам лодочки и на их верхних торцах между капиллярными...

Номер патента: 888606

Опубликовано: 20.04.2008

Авторы: Голубятников, Дмитрук, Черников

МПК: C30B 15/34

Метки: волокон, монокристаллических

Устройство для получения монокристаллических волокон по авт. св. № 736424, отличающееся тем, что, с целью увеличения интенсивности теплоотвода по вытягиваемым волокнам и повышения за счет этого производительности процесса, нижние края охлаждаемых элементов дополнительно снабжены с внутренней стороны валиками из легкоплавкого металла или сплава.