Способ изготовления конденсаторов с диэлектриком из монокристалла

Номер патента: 21272

Автор: Вологдин

ZIP архив

Текст

Класс 21 , 10 М 21272,Йвторекое евбидетелытво на изоо ние: ОПИСАНИЕ способа изготовления конденсаторов с диэлектриком и м оно кристалла.,ГПри изготовлении конденсаторов с диэлектриком из монокристалла возможно полусч ение значительйой емкости при сравнительно больших расстояниях междуобкладками, вследствие высокой диэле-ктрической постоянной некоторых кри-сталлов, например, сегнетовой соли, Однако, обработка таких кристаллов весьма затруднительна. Настоящее изобретение касается способа изготовления, конденсаторов из монокристаллов и имеет. целью устранить обработку их.На чертеже фиг. 1-изображает сосуд с кристаллизатором и погруженными в него пластинами изготовляемого конденсатора; фиг. 2, 3 и 4 - пластины для конденсатора различной формы выполнения.В сосуц 4 с кристаллизг 1 тором опускаются проводящие обкладки 1, 2 конденсатора, как показано на фиг, 1, Можно также сразу поместить целый ряд обкладок 1, 1, 1 ф и 1, 2, 2", если нужно получить значительную емкость, После кристаллизации диэлектрика пластины 1, 1, 1" точно так же, как и пластины 2, 2, 2 ф, соединяются общими проводниками и образуют конденсатор.Пластинам можно придать форму сеток, как показано на фиг. 2, или заменить их проводниками, натянутыми в шахмат.ном ил ином- порядке, как показано на фиг. 3 и 4, Если соединить проволоки,обозначенные крестом, вместе и проволоки, обозначенные кружком, также вместе, то образуются две обкладки конденсатора, при чем для надлежащей ориентировки кристаллографических осей образующегося монокристалла кристаллизатор можно поместить в магнитное или электрическое поле, ориентированное надлежащим образом,Предмет изобретения.1. Способ изготовления конденсато. ров с диэлектриком из монокристалла, отличающийся тем, что при образовании кристаллического диэлектрика обкладки. конденсатора помещаются в кристалли затор и самый процесс кристаллизации идет между этими обкладками.2. При способе, охарактеризованном в и. 1, применение для ориентировки кристаллографических оЧей диэлектрика относительно обкладок магнитного или электрического поля, проходящего через кристаллизатор.3. При способе, охарактеризованном в и. 1, применение в качестве обкладок системы, состоящей из ряда сеток, между которыми и идет кристаллизация,4, При способе, охарактеризованном в и. 1, применение в качестве обкладок системы проволок, расположенных рядами в шахматном или другом порядке (фиг. 3, 4).

Смотреть

Заявка

66289, 13.03.1930

Вологдин В. П

МПК / Метки

МПК: H01G 4/06

Метки: диэлектриком, конденсаторов, монокристалла

Опубликовано: 31.07.1931

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-21272-sposob-izgotovleniya-kondensatorov-s-diehlektrikom-iz-monokristalla.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления конденсаторов с диэлектриком из монокристалла</a>

Похожие патенты