Способ травления монокристалла смешанного галогенида цезия
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
988853 0 0,01-0 Полирующий эффект отсутствует 1-0,5 о ж 5-1-8 абый полируюй эффект Полирующий эффектпроявляется слабо,есть следы шлифовки ий Проявлен полнрэффект (полноеотсутствие следов шлифовки)То же 3 3 а нглиае Составитель В. Сальникоктор И. Митровка Техред О.Неце Шароши Корректор Заказ 10989/ЗЗВНИИПИ Госпо делам113035, Мос Тираж 637арственного комитета СССобретений и открытий, Ж, Раушская наб., д,писное иал ППП "Патент", г, Ужгород, ул, Проектнаят еи ю 5-10 То жеП р и м е р 2. Шлифовальный образец ф о р м у л а и з о б р е т е н и яСВНВг (рабочая поверхность 10 мм,й1. Способ травления монокристалла1вес 10,1248 г) помещают в пробирку с 30 смешанного галогенида цезия путем обрапритертой пробкой, заливают 10 мл этило- ботки его спиртом, о т л и ч а ю ш и йвого спирта, температура 18 оС. Каждые с я тем, что, с целью обеспечения воз 10 мин вынимают образец, подсушивают можности травления и полирования монодо постоянного веса и взвешивают. Раст- кристалла СЗНВг, в качестве спиртворения нет, Поверхность матовая, молоч- З 5 используют этиленгликоль.ного цвета, 2, Способ по. 1, о т л и ч а юПриведенные примеры и результаты щ и й с я тем, что травление ведут втаблицы свидетельствуют о возможности течение 1-3 мин при расходе этилеодновременного травления и полированйя коля 1-2 мл на 20 г монокристаллмонокристалла СВНфг 4 этиленгликолем, 40 Источники информации,причем для качественной полировки обеих принятые во внимание при экспертизеплоскопараллельных поверхностей монокрис. ЗПФИп Э. Риге апд Арр 8. РЪ 5,талла достаточно 1-2 мл этиленгликоля 1978, 16, % 5, 501-507,на 20 г С 5 НВг, при времени обработки 2.3 Сто ЬоМ, 1977, 41, % 2,1-3 мин. 216-224 (прототип).
СмотретьЗаявка
2959252, 21.07.1980
УЖГОРОДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
ДАНИЛОВ ВЛАДИМИР ВАСИЛЬЕВИЧ, БОГДАНОВА АЛЕКСАНДРА ВАСИЛЬЕВНА, ШУЛЬГА ВЛАДИМИР ГАВРИЛОВИЧ
МПК / Метки
МПК: C09K 13/00
Метки: галогенида, монокристалла, смешанного, травления, цезия
Опубликовано: 15.01.1983
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-988853-sposob-travleniya-monokristalla-smeshannogo-galogenida-ceziya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ травления монокристалла смешанного галогенида цезия</a>
Предыдущий патент: Утяжеленный буровой раствор
Следующий патент: Травитель сегнетоэлектрической керамики системы цирконата титанатэ свинца
Случайный патент: Рабочий орган землесосного снаряда