Устройство для поддержки монокристалла

Номер патента: 656476

Авторы: Вольфганг, Герхард

ZIP архив

Текст

О П ИСАИ БРЕТЕ Сфюэ СоввтсиикСоциалистическиРеспублик К ПАТЕН) Заявлено 20,1 1.75 (21) 2191804/22-2 23) ПРио 32) 21,11,74 тет арственныд к СССР делам нзобре и открьинй(72) Авторы изобретения анг Келлер и Герх ретт Иностранная фи Сименс АГ (ФРГ) 1) Заявитель 54 ) УСТРОЙСТВ КИ МОНОКРИСТЮЛА м аемогой плавнесозой,тов,Изобретение относится к процесс выращивания монокристаллов, например, полупроводниковых материалов и может быть использовано для поддержки монокристалла, выращив в процессе бестигельной зонно ки на затравке с диаметром, в колько раз меньшим.Известное устройство для поддер ки монокристалла содержит воронкообразную муфту с точечными опорами в верхней части, установленную соосно держателю затравки с возможностью вертикального перемещения и соединенную с гидравлическим при водом 11) .Конструкция известного устройст ва не обеспечивает Надежной поддер ки монокристаллов диаметром более 70 мм и требует уменьшения длины расплавляемых стержней соответственно высоте муфты или увеличения высоты камеры.Целью изобретения является повышение надежности подцержки и в можность увеличения высоты камерыС этой целью устройство снабжено кольцевой плитой, укрепленной на держателе соосйо ему под муфт Муфта выполнена из набора элемен установленных в, контакте с кольцевой плитой с возможностью сдвиганияи (или раздвигания относительнодруг друга. В муфте находится сыпучий материал.На фиг. 1-4 изображены различныеварианты устройства в разрезе ( сразличным конструктивным выполнением муФты),Устройство для поддержки монокристалла (фиг. 1) содержит воронкообразную муфту из одинаковыхэлементов 1, укрепленных на держателе 2, затравки 3 на горизонтальныхосях 4. Нижним краем элементы 1 контактируют с кольцевой плитой 5, расположенной соосно держателю под муфтой. Держатель выполнен с щелевиднымотверстием б, в котором расположенгоризонтальный штифт 7, соединенныйс манипулятором. Плита 5 и штифт7 установлены с возможностью перемещения по вертикали, В начале процесса элементы 1 развинуты и индуктор,создающий расплавленную зону, расположен внутри муфты, Емкость с сыпучим материалом установлена над муфтой. Расплавленную зону создаютна затравке и перемещают вверх, постепенно разращивая затравку до заданного диаметра, в несколько раз большего диаметра затравки, При удалении расплавленной зоны ца достаточ ное расстояние, меньшее критического, для возникновения вибраций штифт 7 при помощи манипулятора перемещают вверх, в результате чего кольцевая плита 5 также смещается вверх, давит на нижние концы элементов 1 и они сдвигаются, образуя воронкообразную муфту.При помощи манипулятора наклоняют емкость с сыпучим материалом 8, который заполняет муфту, обеспечивая надежную поддержку моцокристаллу по всей поверхности его конического участка. На Фиг, 2 изображен вариант устройства с муфтой из телескопкческих кольцевых элементов, цакболь -ший 9 из которых по диаметру снабжен внешним кольцевым бортиком 10и укреплен ца вертикальных штоках11, проходящих через стенку 12 камеры, Элемент 13 с наименьшим диаметром прикреплен к кольцевой плите 5После разращинания монокристалладо заданного диаметра, штокам сообщают движение ннерх, в результатечего элементы,раздвигаются и образуют воронкообразную муфту, которуюзатем наполняют сыпучкм материаломаналогично тому, как описано вью.На фиг. 3 изображен вариант устройства с муфтой из двух элементов1 и кольцевой плитой 5, выполнеццы- З 8ми из магнитного материала. В кольцевую плиту 5 встроена катушка 14 возбуждения,Держатель 2 затравки 3 выполненс осевым отверстием 15, в котором 4 Орасположены токоподноды 16 к катушке,При достаточном удалении зоны отзатравки через катушку пропускаютэлектрический ток, и под действием 4 г,магнитных,.сил элементы 1 сдвигаются,обРазуя муфту.На фиг. 4 изображен вариант устройстна, н котором элементы 1 выполнены из листового железа и укреплены на кольцевой плите 5 при помощи50шарниров 17. Устройство также содержит катушку нозбухдения, пропускание тока через которую приводит ксдвиганию элементов, которые притягиваются к плите 5 под действиеммагнитных сил. Конечное расположениеэлементов 1 муфты показано штриховой линией. Формула изобретения 1, Устройство для поддержки моцокристалла, ныращиваемого в процессе бестигельцой зоццой плавки цазатравке с диаметром В несколько разменьшим его диаметра, включающееворонкообразную муфту, установленную соосцо держателю затравки с возможностью перемещения, о т л и ч а ющ е е с я тем, что, с целью возможцости плавки более длинных стержнейбез увеличения высоты камеры, оноснабжено кольцевой плитой, укрепленной ца держателе соосно ему под муфтой, муфта выполнена из набора элементов, установленных в контакте скольцевой плитой с возможностью сдвиганич к/или раэдвигация относительнодруг друга и заполнена сыпучим материалом,2. Устройство по п,1, о т л ич а ю щ е е с я тем, что муфтавыполнена из одинаковых элементов,укрепленных симметрично оси держателя на горизонтальных осях, держатель выполнен " осевым щелевидным отверстием и снабжен штифтом,расположенным в отверстии горизонтально под плитой, причем плита иштифт установлены с возможностьювертикального перемещения, и шифтсоединен с манипулятором.3, Устройство по п.1, о т л ич а ю щ е е с я тем, что муФтавыполнена из телескопических кольцевых элементов, наибольший по диаметру из которых снабжен внешнимкольцевым бортиком и укреплен навертикальных штоках, установленныхподвижно по вертикали.4. Устройство по пп. 1-3, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что муфта выполнена из титана, а кольцевая плита - из стали.5, Устройство по п.1, о т л ич а ю щ е е с я тем, что муфта икольцевая плита выполнены из магнитного материала, в плиту встроена катушка возбуждения, и держатель выполнен,с осевым отверстием,в котором расположены токоподводык катушке.6Устройство по п.5, о т л ич а ю щ е е с я тем, что элементымуфты выполнены из листового железа и укреплены на кольцевой плитепри помощи шарниров.Источники информации, принятыево внимание при экспертизе1. Патент ФРГ Р 2348883,кл . 12 , 17/10, 11,04.74,658476 оставитель Т.Фиехред С.Мигай ва Корректо ск каз 1555/5 н 5 Филиал ППП Патент, г.ужгор л.Проектная едактор Л,Курасов Тираж 876 ЫИИПИ Государственного к по делам иэобретений и 13035, Москва, Ж, Рау

Смотреть

Заявка

2191804, 20.11.1975

ГЕРХАРД БАРОВСКИ, ВОЛЬФГАНГ КЕЛЛЕР, ГЕРХАРД ШРЕТТЕР

МПК / Метки

МПК: B01J 17/10

Метки: монокристалла, поддержки

Опубликовано: 05.04.1979

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-656476-ustrojjstvo-dlya-podderzhki-monokristalla.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для поддержки монокристалла</a>

Похожие патенты