Лобанович

Номер патента: 894501

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Афанасьев, Болдырев, Завьялова, Имамов, Ковальчук, Лобанович

МПК: G01N 23/207

Метки: монокристалла, поверхностного, полупроводникового, рентгеновский, слоя, спектрометр, способа, трехкристалльный

...от друга на 180Ба чертеже показана схема спектрометра. Способ осуществляется следующим образом.На первом этапе реализации первые два кристалла являются монохромато-. рами, а третий кристалл исследуемый. В этом случае получают трехкристальные собственные кривые отражения, не искаженные инструментальной ошибкой. При съемке нарушенного слоя кривая дифракционного отражения содержит хвосты, интенсивность ко" торых складывается, в общем случае,из интенсивности динамического рассеяния и интенсивности диффузного рассеяния на дефектах в нарушенном слое. Затем измеряют кривую дифракционного отражения от идеального кристалла, используя, например, об"ратную ненарушенную сторону исследуемого монокристалла.Затем, на втором этапе, исследуемый...

Номер патента: 894500

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Александров, Афанасьев, Болдырев, Имамов, Ковальчук, Лобанович, Фалеев

МПК: G01N 23/207

Метки: исследования, монокристалла, поверхностного, слоя, совершенства, структурного

...с энергией25 кэВ при дозах 3,110 см- и6,210"ф см . Измерения производились на трехкристальном спектрометре при использовании СцК,- излучения и симметричного отражения типа (Ш),На Фиг.б показана серия спектровкремния облученного ионами бора сдозой 3,1 10" см-, а на фиг.7представлены хвосты двухкристальной кривой отражения от этого кристалла, причем пунктиром показанакривая отражения до облучения. Изфиг,7 видно, что при углах, меньшихбрегговского, появляется дополнительная область днфракции, тогда какс другой стороны кривая отраженияпрактически совпадает с кривой от"ражения ненарушенного кристалла.Этот факт находит четкое выражениев трехкрнстальных кривых, полученных предлагаемым способом, При по"вороте кристалла в сторону большихуглов...

Номер патента: 830206

Опубликовано: 15.05.1981

Авторы: Афанасьев, Буйко, Имамов, Ковальчук, Кон, Лобанович

МПК: G01N 23/20

Метки: искажений, монокристалла, поверхностномслое, профиля, распределенияструктурных

...профиля до совпадения кривых 4.Недостатками данного способа являются небольшая точность из-за малых интенсивностей отражений в дополнительных областях дифракции при исследовании тонких поверхностных слоев, а также неоднозначность восстановленного профиля при сложных формах искажений.Цель изобретения - повышение точности и достоверности получаемого профиля структурных нарушений. 40Поставленная цель достигается тем,что согласно способу определения профиля распределения структурных искажений в поверхностном слое монокристалла, заключающемуся в том, что про-изводят регистрацию кривой дифракционного отражения монохроматическогорентгеновского излучения от исследу"емой поверхности монокристалла, моделируют профиль распределения...

Номер патента: 805419

Опубликовано: 15.02.1981

Авторы: Болдырев, Буйко, Имамов, Ковальчук, Ковьев, Лобанович, Миренский, Шилин

МПК: G21K 1/06

Метки: излучения, монохромато-pa, рентгеновского

....содержит две параллельныемонокристаллические пластины, установленные на общем основании 2 1,Недостатком такого монохроматораявляется то, что он позволяет проводить измерение в весьма ограниченномдиапазоне длин волн и порядков отражения,Цель изобретения - расширениефункциональных возможностей изготавливаемых монохроматоров.Поставленная цель достигается тем, что в способе изготовления монохроматора рентгеновского излучейия, заключающемся в формировании из одной монокристаллической пластины щели с параллельными стенками, исходную пластину закрепляют на параллельных опорных поверхностях по обеим сторонам пластины таким образом, что части поверхности и:;астины, обратные по отношению к частям ее поверхности, закрепленным на опорных...

Номер патента: 800836

Опубликовано: 30.01.1981

Авторы: Афанасьев, Болдырев, Имамов, Ковальчук, Ковьев, Лобанович, Миренский, Семиошкина, Смирнов, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, монокристалли-ческих, слоев, совер-шенства, структуры

...эмиссии в виде газонаполненной камеры 4 снаходящимся в ней держателем образца,установленной на гониометрической головке главного гониометра 5, и детектор 6 дифрагированного образцом излучения.Камера 4 представляет собой объем 7,внутри которого расположены держательс образцом 8, нитевые электроды 9 и10. Держатель с образцом с помощьюустройства 11 может перемещаться относительно электродов. Камера такжеимеет два штуцера 12, служащих цляввода и вывода газовой смеси, наполняющей объем, и два окна 13, прозрачныхдля рентгеновских лучей, Напряжениеподается на держатель с образцом и одиниз электродов 9 или 10, что соответствует исслецованию образца при брэгговской или лауэвской дифракции (на просвет). Предварительно коллимированное и...

Номер патента: 763751

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Афанасьев, Болдырев, Буйко, Имамов, Ковальчук, Ковьев, Кон, Лобанович

МПК: G01N 23/207

Метки: монокристалла, поверхностного, полупроводникового, слоя

...того, кривые дифракционных отражений от исследуемой и ненарушенной поверхности монокристалла получают с помощью поляризованных пучков рентгеновского излучения.и Чтобы пояснить физическую сущностьпредлагаемого способа, рассмотрим модель,описывающую дифракию на тонких кристаллических слоях. Кристалл (подложка)представляет собой плоскопараллельнуюплаСтину с идеальной кристаллической решеткой, на поверхности которой находитсянарушенный слой толщиной 1, При этомслой считается слабо отражающим. Этосправедливо при условии, когда толщина слоя 1.н меньше экстракционнойзь длины кристалла Еэ, которая в геометрии Брэгга зависит от порядка отраженияи величины структурной амплитуды. Рассеяние в такой ситуации описывается кинетической теорией....

Номер патента: 144281

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Друговская, Зверева, Колхир, Лобанович, Цветаева

МПК: C08J 11/04, C08K 5/01

Метки: регенерации, резины

...токсичен, транспортабелен и легко дробразного состояния.Так как пек, в отличие от газогенераторных древесных смол, не содержит органических кислот, то при регенерации резин, содержащих текстиль, необходимо добавлять соответствующий агент.144281 Путем сочетания сланцевого дека с мягчителями, проявляющими достаточный пластифицирующий эффект, получают регенерат, обладающий всем комплексом необходимых свойств, характеризующийся повышенной прочностью и хорошей обработкой на рафинировочном обоРудовании,Пример 1. а) Прямой опыт с пеком. Регенерации подвергают каркас от покрышек 7,50 - 20 и 260 - 20 (НК, СКБ, СКС-ЗОА). Регенерирующим агентом служит, в количестве 36% на резину, смесь равных количеств сланцевого пека и сланцевого битума в...