Патенты с меткой «монокристалла»

Номер патента: 1452223

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Андреев, Воеводин, Грибенюков, Зуев

МПК: C30B 29/10, C30B 33/00, G02F 1/35 ...

Метки: излучения, монокристалла, оптического, параметрического, преобразователя, частоты

...сечений моно- кристалла ЕпСеР 1, имеет азимутальный Угол Ч " 0 ипи90 , что экви- валентно у, Оф из-за физической неразличимости направлний х и у в кристалле 2 аСеР (это также следует иэ выражений для эффективной нелинейной восйриимчивости для трехчас"тотного параметрического взаимодействия).Пересечение плоскостей ( ОО) и(010) - на чертеже эти плоскостинредставленм сечениями кристаллаЕпСеР с контурами, обозначенными соответственно точками АВГМ ЕМ,Р и ГМ,СИ 3 - аредставляеФ собой отрезокоптической осн кристалла с, обозначенный отрезком РР, относительно которого проводился отсчет углов синхрониэма О . Разметка эквивалентных направлений синхронизма АА, А, и А и измерение угловых отклонений этих направлений относительно оси роста...

Номер патента: 1484132

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Андреев, Батурина, Воеводин, Грибенюков, Калеева

МПК: G02F 1/35

Метки: излучения, монокристалла, оптического, параметрического, преобразователя, частоты

...1486132цаллГ.ь цл лцо фторопиястоВОГР стока ца 6 с внутреццчм Зиаметром РВ стакан заливали свежеприготовлецный раствор гцлохлорита натрия ИаОС 1, После отклонения оси стакана0 1 ц пт вертикали ца угол 40-50 стакан 1 приводился во вращение со скоростьюУ, (об/мин). Вращение стакана вокруг своей осн вызывает вра шецце шайбы со скоростью ОШУ 1), /Пы, об/мин. Химико-динамическая полировка рабочих поверхностей ППЧОИ из монокристалла ЕпСеР в водном растворе гипохлорита натрий 15 проводилась при различных значенияхО, и Пщ, при этом характеристика ППЧОИ зависит от обобщенного параметра ЧмаОсб - скорости потока водного раствора гипохлорита натрия 20 относительно ППЧОИ (см/с), которая равна скорости линейного перемещений НПЧОИ относительно...

Номер патента: 1771720

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Аввакумова, Агафонова, Бессонова, Бодячевский, Глазко, Заикин, Ивашина, Пивоваров, Попов, Федоров, Фомин

МПК: A61F 2/16

Метки: интраокулярных, линз, монокристалла

...ния хрусталика глаза, Сущ изобретения: в состав лейкосапфира ванадий, кобальт и А 120 з следующих соотношениях компон уз+-8 10 -2,4 10 мас.0(,;СО 2 5 10 мас.%, А 120 з - остальное, а затем к лический материал подвергают унию дозой 10 - 10 Р. 1 ил. Поставленная цель состав материала ввод и А 120 з при следующих понентов: Ч - 80 10 - 23 СО - 50 10 - 1 А 120 з - остальное атем кристалличес двергают у-облучению ен.Введение лишь одного из легирующих ингредиентов не оказывает влияния на спектральное пропускание лейкосапфира.Одновременное же введение легируюз+ щих добавок в количествах меньших Ч чем 8 10 мас,%, Со меньше. чем 5 10 мас, "открывает" кристалл нв длинах волн порядка 200-220 нм.инаф,Большее одновременное введение легирующих...

Номер патента: 1795358

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Непийвода, Новиков, Швидкий

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристалла, слоя, структурно-нарушенного, толщины

...Реально подобная ситуация складывается лишь при использовании20/14 7/5 Обработка алмазной пастой зернистости 8,2- 3 82- 12 9,0- 2 56,8+ 10 12 4. 30+ 735,1+ 4 45+18 Толщина нарушенного слоя, измеренная аз шаю им способом, мкм Толщина нарушенного слоя, полученная 42,4. 5заявляемым способом, мкм Составитель Т. ВладимироваРедактор В.Трубченко Техред М.Моргентал Корректор С.Патр, шева Заказ 426 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул,Гагарина, 101. сравнительно малых толщин нарушенных слоев. В случае кремния на медном излучении при отражении от плоскости (1 И)линейность от Ь зависимости...

Номер патента: 1619755

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Виноград, Горилецкий, Панова, Шахова, Шпилинская, Эйдельман

МПК: C30B 29/12

Метки: материал, монокристалла, основе, сцинтилляционный

...55 Установлено, что при регистрации жесткого излучения (Сз 137, Е у 662 кэВ) световой выход (С у) достигает максимального значения при концентрациях Сз 2 СОз (1,6 х х 10) - (8 10) мас. %, как это хорошо видно на приведенной фиг. 1, зависимость 1. При этом величина светового выхода на 30% превышает величину светового выхода Сз: Т с содержанием активатора 4 10мас. оТ 1, принятую за 100%, При введении СзгСОз до 1,6 10 мас.и более 8,0 10мас. % своой од "сцинтилляций снижается. При концентрации Сз 2 СОз до 1,6 10 мас. % значение светового выхода снижается вследствие недостаточности концентрации центров свечения, создаваемых Сз 2 СОз, для наиболее эффективной регистрации у-излучения с энергией 662 кэВ. При концентрации Сз 2 СОз...

Номер патента: 1322948

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Барышников, Григоров, Мартынович, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: f2-центрами, активная, лазерная, лития, монокристалла, окраски, основе, среда, фторида

АКТИВНАЯ ЛАЗЕРНАЯ СРЕДА НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С F*002-ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ И СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ.1. Активная лазерная среда на основе монокристалла фторида лития с F2-центрами окраски, отличающаяся тем, что, с целью снижения порога накачки и повышения оптической устойчивости центров окраски, концентрация F2-центров соответствует коэффициенту их оптического поглощения в интервале 100 - 700 см-1.2. Способ получения активной лазерной среды на основе монокристалла фторида лития с F2-центрами , включающий облучение монокристалла ускоренными электродами, отличающийся тем, что, с целью снижения порога накачки и повышения оптической устойчивости центров окраски,...

Номер патента: 1393290

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Барышников, Мартынович, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: активной, лазерной, лития, монокристалла, основе, среды, фторида, центрами

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АКТИВНОЙ ЛАЗЕРНОЙ СРЕДЫ НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С F*002-ЦЕНТРАМИ по авт. св. N 1322948, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности концентрации F2-центров, облучение электронами производят в течение интервала времени от 0,1 до , где t - время жизни анионной вакансии.

Номер патента: 969026

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Афонин, Мироненко, Непомнящих

МПК: C09K 11/55, C09K 11/61

Метки: лития, люминофора, монокристалла, основе, фторида

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЛЮМИНОФОРА НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ путем его выращивания методом направленной кристаллизации из шихты, содержащей фторид лития и добавку фторида щелочно-земельного металла, отличающийся тем, что, с целью обеспечения стабильности работы люминофора при повторном применении и уменьшения потерь дозиметрической информации, исходную шихту предварительно термообрабатывают в вакууме при 100 150oС.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что термообработку шихты ведут в две стадии, на первой из которых при 100 150oС в течение 1 3 ч, а на второй при 400 450oС в течение 1 10 ч.3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что добавку берут в виде фторида магния в количестве 0,05 0,07...

Номер патента: 948171

Опубликовано: 20.05.1998

Авторы: Будаковский, Крайнов, Мнацаканова, Ткаченко

МПК: C30B 11/00, C30B 29/54

Метки: монокристалла, основе, стильбена, сцинтиллятор

1. Сцинтиллятор на основе монокристалла стильбена, отличающийся тем, что, с целью повышения термической и механической прочности и улучшения структурного совершенства, он дополнительно содержит хлоранил в концентрации (0,2 - 1,2) 10-2 мол.%.2. Способ получения сцинтиллятора на основе монокристалла стильбена, включающий направленную кристаллизацию его расплава на ориентированной затравке, отличающийся тем, что, с целью увеличения скорости роста, в расплав дополнительно вводят хлоранил в концентрации 0,05 - 0,3 мол.%.

Номер патента: 1835966

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Дикаев, Миргородская

МПК: H01L 21/312

Метки: дифракционной, монокристалла, поверхности, решетки

Способ изготовления дифракционной решетки на поверхности монокристалла, включающий формирование на поверхности монокристалла фоторезистивной решетчатой маски с равной шириной полосы и промежутка голографическим методом, анизотропное вытравливание через маску канавок трапециевидного или треугольного профиля и удаление маски, отличающийся тем, что, с целью получения дифракционной решетки с удвоенной пространственной частотой, перед удалением фотомаски на структуру напыляют металлическую маскирующую пленку толщиной не более полуширины полосы фоторезистивной решетчатой маски, после удаления маски проводят повторное анизотропное вытравливание канавок аналогичного профиля в открытых от...

Номер патента: 1367555

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Егоров, Козлов, Литвин, Макеев, Попков, Рубинович, Фрейдинов

МПК: C30B 15/30

Метки: вытягивания, механизм, монокристалла, расплава

1. Механизм для вытягивания монокристалла из расплава, включающий герметичный корпус, содержащий намоточный барабан и гибкую подвеску для затравкодержателя, снабженный верхней и нижней червячными парами с приводами вращения и перемещения затравкодержателя, горизонтальную коническую шестерню, связанную с колесом верхней червячной пары, и взаимодействующую с ней вертикальную коническую шестерню с эксцентрично закрепленной на ней осью для размещения сателлитов, взаимодействующих с цилиндрическими шестернями, установленными соосно с вертикальной конической шестерней, одна из которых связана с намоточным барабаном, отличающийся тем, что, с целью повышения точности регулирования скоростей...