Способ обработки анизотропного монокристалла ниобата лития
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(54) СП ОБРАБОТКИ АНИЗОТРОПНОГО МОНОКРИСТАЛЛ НИОБАТА ЛИТИЯ Изобретение относится к механической обработке кристаллов, а именно к способам обработки аниэотропных монокристаллов.Известен способ обработки кристаллов, включающий шлифование с многократным промежуточным выхаживанием 11.Недостаток указанного способа заключается в появлении сколов на острых кромках кристалла, что снижает качество деталей, изготавливаемых из анизотропного монокристалла ниобата лития.Наиболее близким к предлагаемому способу тю технической сущности и достигаемому результату является способ обработки аниэотропного монокристалла, включающий ориентацию монокристалла относительно направления перемещения абразивных частиц инструмента и последующее шлифование с выхаживанием и по-лирование 2).Недостаток указанного способа заключается в том, что при обработке анизотропного моно. кристалла ниобата лития, точность ориентации монокристалла не должна превышать пяти минут относительно заданного: кристаллографичес. кого направления, при этом на острых, кром. ках анизотропного монокристалла ниобата лития появляются мелкие трещины, снижающие качество обработанной поверхности.Целью изобретения является повышение качества обработки.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу обработки анизотропного моно- кристалла ниобата лития, включающему ориентацию монокристалла относительно направления пе. ремещения абразивных частиц инструмента и последующее шлифование с выхаживанием и полирование, шлифование осуществляют под углом 60 - 80 к оптической оси монокристалла,Такое выполнение способа обеспечивает сниже ние требований к точности ориентации моно- кристалла относительно направления шлифования при одновременном уменьшении вероятное. ти появления микротрещин, что повышает ка. чество обработанной поверхности.На чертеже изображена зависимость между ве личиной угла ориентации оптической оси моно- кристалла при шлифовании и.вероятностью появления трецйн.олопов Составитель В. Техред Т, Фант Шанд орректор Л. Бокшан Тираж 587дарственного комитета СССРизобретений и открытийЖ, Раушская наб д. 4/5 писное иал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 3 99Способ обработки монокристалла ниобаталития осуществляют следующим образом.Анизотропный монокристалл ниобата литияориентируют относительно направления перемещения абразивных частиц мнструмента под уг.лом 60 - .80 к оптической оси монокристаллаи осуществляют последующее шлифование свыхаживанием и полирование,При шлифовании монокристалла ниобата лития под укаэанным углом к оптической осимонокристалла проекция вектора напряжений,возникающих под действием сил резания, навектор наименьшей прочности монокристаллауменыпается и достигает минимума в поло.женин, при котором оптическая ось будетрасполагаться перпендикулярно направлениюпродольной подачй. В этом случае обеспечивается незначительность дефектов на обработанной поверхности по сравнению с шлифоЗаказ 103126 ВНИИПИ Гос по делам 113035, Москва, 8128 4 ванием монокристалла ниобата лития вдоль оптической оси монокристалла. Формула изобретения5Способ обработки анизотропного монокристал.ла ниобата лития, включающий ориентациюмонокристалла относительно направления перемещения абразивных частиц инструментаи последующее шлифование с выхаживаниеми полирование, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью повышения качества обработки, шлифование осуществляют под углом60 - 80 к оптической оси монокристалла,Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1, Авторское свидетельство СССР У 554134,кл. В 24 О 1/00, 1974.2. Авторское свидетельство СССР Иф 366086,кл. В 28 О 5(00, 1972,
СмотретьЗаявка
3358756, 17.07.1981
ВОЙСКОВАЯ ЧАСТЬ N44388-РП
ИШКОВ ЛЕОНИД ВИКТОРОВИЧ, КУПИН ВЯЧЕСЛАВ НИКОЛАЕВИЧ, КОЗЛОВ ИГОРЬ ВЛАДИМИРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: B28D 5/00
Метки: анизотропного, лития, монокристалла, ниобата
Опубликовано: 23.02.1983
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-998128-sposob-obrabotki-anizotropnogo-monokristalla-niobata-litiya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ обработки анизотропного монокристалла ниобата лития</a>
Способ обработки монокристаллов ниобата лития
Номер патента: 568309
Опубликовано: 15.11.1978
МПК: G03H 1/18
Метки: лития, монокристаллов, ниобата
...возникающей в кристал ле, измерялась с использованием излучения Не - йелаэера (633 нм).Кривая 1 изображает запись голограммы излучением аргонового лазера (дпинаволны 488 нм, плотность мощности21 Бт/см ), Кривая 2 изображает процессстирания голограммы излучением того желазераКривые, 3 и 4, 5 и 6, 7 и 8,9 и 10 изображают соответственно второй,третий, четвертый и пятый циклы записьстирание голограммы в одном и том жеместе кристалла.Как видно иэ фиг. 1, записывающестирающая характеристика не обладаетсимметрией. Воспроизводимость характеристики отсутствует,На фиг. 2 показана реверсивная характеристика шести последовательных цикловзапись (5 сек) - стирание (5 сек) в одном и том же месте кристалла; для исходного чистого кристалла - кривая...
Способ выращивания монокристаллов ниобата лития
Номер патента: 845506
Опубликовано: 27.02.2000
Авторы: Баласанян, Вартанян, Габриелян, Казарян
МПК: C30B 15/00
Метки: выращивания, лития, монокристаллов, ниобата
Способ выращивания монокристаллов ниобата лития из расплава шихты, содержащей кислородные соединения ниобия и лития, отличающийся тем, что, с целью повышения оптической однородности кристаллов при увеличении скорости выращивания, в шихту дополнительно вводят калий и компоненты берут в количестве, определяемом из соотношения окислов пятиокиси ниобия и окиси лития, мол.%, равном (51,0 - 51,4) : (48,6 - 49,0), и окиси калия (4 - 6) % от веса суммы окислов ниобия и лития.
Способ травления монокристаллов ниобата лития
Номер патента: 1583479
Опубликовано: 07.08.1990
МПК: C30B 29/30, C30B 33/00
Метки: лития, монокристаллов, ниобата, травления
...существенно понизитьтемпературу травления, сократитьего время и получить четкие Фигурытравления. Монокристаллы ниобаталития обрабатывают расплавом КОНс добавкой ИаОН в количестве 35 мас.Епри 150+0,2 С в течение 5 - 7 с. Пос -ле травления образцы опускают встаканчик с кипящей дистиллирован -ной водой, через 1 мин стаканчикоснимают с плитки и охлаждают до 30 С.Затем образцы обтирают и исследуютпод микроскопом. Способ позволяетполучить большую инФормацию о реной структуре, а также выявить до -менные структуры отрицательного иположительного дисков поляризации, 1583479травления ведет к потере контрастности или искажеиию картины травления.На снимке видны домены обоих знаков Использование предлагаемого способа по сравнению с известным позволяет...
Способ получения крупногабаритных монокристаллов ниобата лития
Номер патента: 1468025
Опубликовано: 15.03.1993
Авторы: Ефремова, Космына, Левин, Машков
МПК: C30B 15/00, C30B 29/30
Метки: крупногабаритных, лития, монокристаллов, ниобата
...после охлаждения, и, следовательно, предотвращает электрический пробой и образование трещин.Высохшая пленка электроизоляционного лака, покрывающая монокристалл, защищает его поверхность от загрязнения, Имея высокую электрическую прочность (20-60 кВ/мм) пленка электроизоляционнаго лака предотвращает электрические пробои по поверхности монокристалла нескомпенсированного заряда, возникающего при хранении монокристалла в обычных условиях из-за небольших колебаний температуры, и, следовательно, предотвращает образование трещин в кристалле.Способ получения состоит из следующей последовательности операций;1468025- вытягивание кристалла из расплава на затравку;- послеростовой отжиг и охлаждение выросшего кристалла до температуры окружающей...
Способ выращивания монодоменных кристаллов ниобата лития из расплава
Номер патента: 958508
Опубликовано: 15.09.1982
Автор: Гернанд
МПК: C30B 15/00
Метки: выращивания, кристаллов, лития, монодоменных, ниобата, расплава
...кристаллов по методу Чохральского, задачей данного изобретения является указание простого метода для выращивания однодоменных кристаллов ниобаталития из расплава.В основу изобретения положен тотфакт, что мероприятия для реализацииоднодоменной структуры по известнымдо сих пор методам и дополнительныемероприятия не только усложняют процесс выращивания кристаллов ниобаталития, но также могут отрицательносказываться на качестве кристаллов,например в отношении оптической однородности и пропускания. Кроме того,однодоменность обеспечивается не повсей полезной длине кристаллов.Существо предлагаемого изобретениязаключается в том, что в противоположность к до сих пор распространеннойтеории однодоменные кристаллы ниобаталития могут...
Предыдущий патент: Исполнительный орган камнерезной машины
Следующий патент: Устройство для формообразования каналов в термопластичных материалах
Случайный патент: Шаблон для изготовления жгутов электропроводов