Гуткевич

Номер патента: 1599732

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Гоганов, Гуткевич, Имамов, Ломов, Новиков

МПК: G01N 23/20

Метки: искажений, монокристалла, приповерхностных, слоев, совершенного, структурных

...0,5-50 нм.Способ осуществляется следующимобразом.Для исследуемого кристалла выбирается семейство дифракционных плоскостей, составляющих с поверхностьюкристалла угол ) ( 9 ь, Поскольку интенсивность ПБП тем выше, чем меньшеугол отклонения от точного угла Брэгга, то следует выбирать (8 -(О) ".о Бг-. 1 - 3, а для повышения локальности необходимо, чтобы значение (6 ьр+ Ц)обыло близко к 90 . Для стандартныхполупроводниковых кристаллов, используемых в промьппленности, удобно выбирать следующие отражения: при ориентации поверхности 1111 - отражение (311) и излучение М, Со, Ре,а при ориентации 100) - отражение(311), (400) и излучение Сц. При использовании стандартныхисточников излучения монохроматизация падающего пучка не...

Номер патента: 1451164

Опубликовано: 15.01.1989

Автор: Гуткевич

МПК: C12N 15/00

Метки: viтrо, кинетики, клеточных, оценки, популяций

...И- и Я-про филей аппроксимировали кусочно-линейными функциями. В общем виде эта процедура состоит в описании каждого пика М- и Б-профилей двумя линейными функциями 1 20 25 где 3 - коэффициент регрессии, характеризующий восходящуючасть пика;- время, в течение которогопеременная у увеличивается;- коэффициент регрессии, характеризующий нисходящуючасть пика;й " время, в течение которогопеременная у уменьшается.Приравнивая значения у и у нулю, находим точки начала и окончания пика. На фиг.1 рассмотрим второй пик кривой М-профиля (интервал между 3 и 1 О часами фракционирования). Восходящая часть пика начинается в точке, соответствующей 3 ч и продолжается в течение двух последующих часов, описывается выражением, которое является...

Номер патента: 135155

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Гуткевич, Лебедев, Писаревский, Селянинова

МПК: G01T 1/202

Метки: отражатель, сцинтилляторов

...ОТ РАЖА Ко 5 пгтет по,тетия пзооретепп:пото) .;(:Ри откгп Ьголл ге 1 ге и:ооветеппг М 2 зп 96 г,Оп блпког)пп В качестве отражателя светпримеияется ооычио порошкообраоргашгческие примеси, вызывакиг,глогцает влагу из воздуха и прижена уплотиешгю.11 ред:гаГаетс 51 вместо Окиси )а Гиии ири.Сиять погитетра (фторопггаст). Зто позволяетпростггть те);иоггогиго упаков ла, несколько увеличить разреигагоиг ю способность прибора, вредное влияшге влаги и иес)ргаии 1 геских примесей, улучшит зацигО крггста,г,га и иа;ежгость еГО кои Гггкта со стек гом РЗ 3 дггя сциитиллирмгОии. к)иста зная Окись магния. Оиа содержит ис ноже, гт еиис к)истгг, Са, ле ко паксп)ке к)упиы кристаллов ио ло; гге -и;) вср)тор эт и кри глен Тс мень ими рт 1 редмет...