Травитель для выявления нарушения кристаллической структуры полированной поверхности кремния

Номер патента: 513575

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Марончук, Пухов, Сушко

МПК: H01L 21/20

Метки: кремнием, легированных, поверхности, слоев, эпитаксиальных

...легированнь ченных методом жидкос личаюшийс яте ворения избыточного кр шают в,раствор-расплав 3-10 вес. % алюминия галлия при 800-850 С рхностих кремнитной эпи итаксиальм, полуксии о т м, что,емния,, содери 90-9 елью р омеес, % в течение Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для получения эпитаксиальных р-и структур на основе арсенида галлия, предназначенных для изготовления ИК-светодиодов. 5Известен способ получения р-и структур из ограниченног раствора-расплава, Использование этого способа при получении сильно легированных кремнием эпитаксиальных слоев приводит к образованию на поверхности слоевО арсенида галлия дентритов кремния.Целью изобретения является получение р-п структур арсенида галлия...

Номер патента: 1108962

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Мальцев, Милошевский, Нагин, Тюлькин, Чернышев

МПК: H01L 21/04

Метки: двухслойного, дефектности, диэлектрика, кремния, нитрид, окисел, проводник, структуре, уменьшения, —полупроводник

СПОСОБ УМЕНЬШЕНИЯ ДЕФЕКТНОСТИ ДВУХСЛОЙНОГО ДИЭЛЕКТРИКА В СТРУКТУРЕ ПРОВОДНИК НИТРИД КРЕМНИЯ ОКИСЕЛ КРЕМНИЯ ПОЛУПРОВОДНИК, заключающийся в проведении термообработки структуры нитрид кремния окисел кремния - полупроводник в атмосфере кислорода перед нанесением проводника, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени хранения информации в структуре, термообработку проводят в атмосфере влажного кислорода при температуре 800 - 1150 oС в пределах одного часа, затем с поверхности нитрида кремния удаляют пленку оксида кремния, образовавшуюся в процессе термообработки, и перед нанесением проводника проводят отжиг в атмосфере водорода при 700 - 1000oС в течение 30 60 мин.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что отжиг...

Номер патента: 1130321

Опубликовано: 23.12.1984

Авторы: Амосов, Белов, Слесаренко, Ярзуткина

МПК: A61B 6/02

Метки: выявления, животных, костей, микроструктуры, нарушений

...количественно характеризующих присутствие соответствующего цвета в гамме, позволяет количественно провести сравнительныйанализ цветов и таким образом осуществить сравнительную оценку плотности костной структуры.Т.е, впервыеразработан способ, обеспечивающийвозможность, во-первых, проанализировать плотности всего объемакости, а, во-вторых, основанный наобъективных критериях, где сравниваемые величины выражены количественно,Для качественной визуальнойоценки структурных различий костейсравниваемых животных предпочтительно пользоваться аналоговым режимомработы УАР. В этом режиме амплитуда черно-белого видеосигналарентгенограммы преобразуется в семьцветов с плавными переходами междуними; синий, пурпурный, желтый,зеленый, лимонный, голубой,...

Номер патента: 396604

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: G01N 23/225

Метки: исследования, кристаллических, поверхностей

...100 С,100 А имер. На наносят т еского исл 1 л рт. с х 1 аС 1 терм ич 1 10 - 10 А/с к, Темп толщина пленк лагород декорир ература у 5 р 3 оци обл ью по о личным вероятно дцых м ерхности ые металль овать только(400 в 5 С сследуемой п дают слабо в тношению к по своей п ть осажден таллов ца сспосооцыпри ловы, что часто оверхности.ыраженной активным рироде. Не я кристаловер шенныхх Картина декорировация представлена ца электронной м икрофотографци, цз которой видно, что поверхность КаС лекорцруется кристалликами трех типов, резко различаю. щимися по форме и размерам: мелкими кристалликами А и Б треугольцой формы; более крупными нлоскцмц кристалликами В с тексагональным габцтусом ц цглообразцымц кристалликами Г, ориентированными ца пло:- кости...

Номер патента: 873069

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Ильинский, Кононенко, Новоставский, Скляров, Тимин

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометр, исследования, кристаллических, структуры, тонкой

...осидетектора на точку 0, Главная ось гонио.метрического устройства 8 перпендикулярнаэкваториальной плоскости в точке 0 и еенаправление выбрано, как направление однойиэ главных осей координатной системы дифрактометра,Поворотный стол 7, расположенный на ва.лу 8 вместе с собственной осью вращения, может наклоняться вокруг оси качанияс, проходящей через точку О перпендикулярно оси 8, Направление оси.качания совпадает со второй главной осью координатнойсистемы дифрактометра. Базовая плоскость по.воротного стола 7 всегда параллельна оси качания с" и находится ниже геометрическогоцентра 05 дифрактометра,Ось 1 всегда перпендикулярна оси о и проходит через точкуо,. 5 1 О 15 20 25 30 35 40 На базовой поверхности поворотного столаразмещен блок 9...