B01J 17/30 — B01J 17/30

Номер патента: 78074

Опубликовано: 15.04.1975

Авторы: Андреевская, Буров, Бутузов

МПК: B01J 17/30

Метки: вещества, структуры, электроориентированной

...загружают коллоидные кристаллические частицы вещества, например кварца титанатан)Оария и т. п. Бун 1 ер снабхкен соплом, через коорый равномерно Вы.сыпаются частицы вещества, Сопло бункера окружено кольцеобразным электродом, к которому подведен полюс высокого напряжения.В нижней части колокола под бункером расположен обогреватель,закрытый тонкой графитовой пластинкой, к которой подводится минуси земля. Сыплющиеся на пластинку коллопдно-измельченные мелкокристаллические частицы вещества ориентируются по полю и фиксируются им на обогреваемой пластинке. Температуру обогрева регулируют таким образом, чтобы обеспечить спекание коллоидных частиц вориентированном состоянии.Электроды могут бь 1 ть расположены и по бокам...

Номер патента: 492299

Опубликовано: 25.11.1975

Авторы: Антонов, Гельперин, Михин, Пеклер, Филатов, Фурман

МПК: B01J 17/30

Метки: веществ, высокой, чистоты

...самотеком на зо492299 ФОРМУЛА ИЮБРЕТЕНИЯ Составитель ИеРЫХЛОВЬРлдкор,цавовя тегреда фуРуБ 2 ВРектора Е.Росона Заказ7 1 за "ф ФИ Ти)аж 7821111 Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытийМосква, ЖРаушская набд, 4/51 о,и и с ное Г 1 ПП Патент Москва, Г, Бережковская наба орошение колонны, При температуре охлаждающей поверхности менее 165 оС происходит образование и рост кристаппов хпористого апюминия из конденсата, стекающего тонкоИ ппенкой по поверхвос ти.Создание противотока между твердой и жидкой фазами обеспечивает вымывание промесей, захваченных кристаппами, и получение более чистых кристаллов. Количество кристеллмзующейся твердой фазы регулируется интенсивностью охлаждения поверхности. Закрис...

Номер патента: 497047

Опубликовано: 30.12.1975

Авторы: Атакулов, Афузов, Билялов, Мирзаахмедов

МПК: B01J 17/30

Метки: кадмия, селенида, слоев

...ожет Ндг- % от 3 мм, 1 см - 15% обретения е получения м их в ва исходного с лекулярным к поверхно тем, что, ний, генери адмия загр шка и при т его веса. Способ оса ждение испарении ч 0 рителя мо под углом ющи йся тонапряже селенид к 25 виде поро 10 - 15% оИзобретение относится к способу полученияслоев селенида кадмия, генерирующих фотонапряжение и используемых в оптоэлектронике,Известен способ получения слоев селенидакадмия осаждением их в вакууме на подложки при испарении исходного селенида кадмияиз испарителя молекулярным пучком, направленным к поверхности подложки под углом60. Способ не обеспечивает высоких генерационных свойств получаемых слоев.С целью увеличения фотонапряжений, генерируемых слоем, предложено загружать исходный...

Номер патента: 519213

Опубликовано: 30.06.1976

Авторы: Григорович, Мартыненко, Новоселова, Украинский

МПК: B01J 17/30

Метки: слоев, сульфошпинелей, ферромагнитной

...испарителяУВР - ЗМ. 5 По достижении вакуума Р-;.,10 -торр испаритель в течение двух минут нагревают до 700 С и повышают температуру от 700 до 2000 С с постоянной скоростью за две минуты. Этот диапазон скоростей нагрева испари теля является оптимальным по следующимпричинам. При малой скорости нагрева испарителя выше 700 С на подложку переносится сначала слой сульфида кадмия, а затем слой сульфида хрома, образующихся в результате 5 разложения шпинели. Поэтому последующийотжиг не обеспечивает получение однородного по толщине слоя шпинели. При большой скорости нагрева испарителя происходит выбрасывание частиц испаряемого вещества до их 20 полного испарения. зультате вакуумного испа мцокоричневые блестящие анный химичеокий состав...

Номер патента: 561331

Опубликовано: 25.10.1977

Авторы: Белый, Гуманский, Соловьев, Ташлыков, Тишков

МПК: B01J 17/30

Метки: карбида, кремния, слоев

...- увеличениетолщины слоя карбида кремния и его од нородности.Поставленная цель достигаетсятем, что на поверхность монокристаллакремчия предварительно наносят слойуглерода толщиной 300 - 800 1, а бом бардировку ионами ведут импульсамидлительностью 1 - 20 мсек с частотойследования 15 - 20 импульсов в 1 сек.Способ поясняется чертежом,Ионы углерода, используемые для З 0 легирования, получают из графитовых561331 формула изобретения 1 О бородоваКорректор СПодписноенистров СССРийВ 4 Й Составитель ВезТехреп С,БецаТираж 947комитета Совета Иибретений и открытРаушская наб., ужгород, ул. Пр Л.Жаворонков Редакт 1/7 ИПИ Государстве по дел 113035 МоскваЗаказ ого изо Жт, г лиал ППП Пате оек электродов 1 и 2, разделенных изоляторами 3, ускоряются в...