Архив за 1982 год

Номер патента: 911619

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Ломов, Самров, Скобелин, Статейнов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, магнитного, магнитных, поля, приборов, формирователь, цилиндрических

...канала продвижения (фиг. 3). Магнитное .поле управления Й в зависимости от формы токов 11 и 1 имеет определенный годограф 1 О (фиг. 2-4).Каждый элемент или узел прибора на ЦМД . и весь. прибор в целом характеризуется минимальным годографом 11 функционирования, определяемым как минимальное значение 6 при каждом угловом положении, необходимым для функционирования данного элемента, узла илиприбора (Фиг. 3). Формирователь работает следующим образомПротекающие в катушках 1 и 2 токи создают магнитные поля Ни Н , Так как катушки ортогональны, то и Й Й. Мгновенное значение Н = к 11. При определенной конструкции,к = к, 55 Предлагаемое устройство позволяет для приборов на ЦМД, в которых плоскость .рабочего кристалла находится под углом (90 с) по...

Номер патента: 911620

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Грабенко, Калинович, Олейник

МПК: G11C 11/14

Метки: магнитопленочной, матрицы

...в связи с их малой упру 43 гостью, особенно при нагревании выше температуры .стеклования полимера, эта зависимость существенна, Полимерный подслой используется в состоянии с фиксированной минимальной упругостью, достигаемой нагреванием до размягчения, Регулировка же величины поля анизотропии осуществляется путем изменения толщины пленки.На .фиг. 2 показана часть матрицы: магнитная пленка 1 толщиной О,термопластичное покрытие 2 подложки,подложка 3, при выключенном магнитном поле, комнатной температуре и несфор.1 мированной аниэотропии. Через Р 1 обозначена минимальная толщина, воз/ можная для данного носителя информации.формирование анизотропии происходит следующим образом.На размягченном слое не происходит торможения деформации...

Номер патента: 911621

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Киселев, Козленко, Котунов, Нам, Николаев, Паринов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающее

...конструкцияпредлагаемого запоминающего устройства.Запоминающее устройство содержитмагнитоодноосную пленку 1, на которую последовательно нанесены первыйслой 2 диэлектрика, управляющиетоковые шины 3, второй слой 4 диэлектрика, доменопродвигающие аппли-,кации 5, немагнитный разделительныйслой 6 и пленочный постоянный маг-,нитУстройство работает следующим образом.Пленоцный постоянный магнит 7 состава Зв(Со, Ре), нанесенный наразделительный немагнитный слой б,например, методом вакуумного испарения, намагничивается во внешнем поле до уровня, обеспечивающего приприменяемой толщине слоя .6 величинуопорного поля в магнитооднооснойпленке 1, соответствующего примерносередине области существования ЦМД,Этим создается условия для функционирования...

Номер патента: 911622

Опубликовано: 07.03.1982

Автор: Березкин

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающее, постоянное, самоконтролем

...блока 1 памяти происходит при возбуждении 1-той шины из группы адресных шин 2 и одновременном появлении разрешающего сигнала на шине 3 строба считывания. В результате на вь 1- ходных обмотках трансформаторов накопителя 5 наводятся сигналы, которые через соответствующие ключи б считывания воздействуют на трансформатор 7, одновременно на трансформатор 7 воздействуют в противоположном направлении сигналы на выходах блока памяти. При этом предполагается, цто накопитель 1 блока памяти выполнен нв трансформаторах, выходные обмотки которых подклюцены ко входам ключей считывания, аналогицных ключам б считывания, а выходы этих ключей являются выходами блока памяти.Эти воздействия приводят к наведению на выходной обмотке трансформатора 7...

Номер патента: 911623

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Бородин, Бузунов, Буренков, Николаев, Шубинский, Яценко

МПК: G11C 19/00

Метки: запоминающее

...выходной информационныйрегистр 25 и триггер 8.При записи информации в устройство по информационному входу 10 уплот.ненная последовательность последова"тельным кодом заносится во входнойинформационный регистр 211, а черезэлемент ИЛИ 111 в сдвиговый регистр 1,Считывание подноразрядного словаинформации производится по заданному полноразрядному адресу, состоящему из г-разрядных групп, которыепоступают по адресным шинам 22 ираспределяются по соответствующимсчетчикам 21 адресов (синхронизациямомента занесения адреса в счетчикиадреса на чертеже не показана),После поступления в устройствополноразрядного адреса считываемогослова в шину 12 управления реверсомрегистра сдвига подается сигнал обращения к памяти, которым открываются по управляющему...

Номер патента: 911624

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Гольденберг, Кузьмичев, Лебедев, Рязанов

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...погреш-,ность отслеживания изменяющегосявходного напряжения, что являетсясущественным недостатком, снижающимточностные характеристики устройства.Цель изобретения - повышение точ20ности устройства,Поставленная цель достигается тем,что в аналоговое запоминающее устройство, содержащее первый накопительный элемент, например первый конденсатор, одна иэ обкладок которого соединена с одним из выводов первогопассивного элемента, с выходом первого ключа и со входом усилителя,другая обкладка первого конденсатора30соединена со входом второго ключа,с выходом усилителя и с выходом устройства, выход второго ключа соединен с другим выводом первого пассивного элемента, вход первого ключасоединен с одним из выводов второгопассивного элемента,...

Номер патента: 911625

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Емельянов, Крисилов, Мосенко, Пядышев, Старцев

МПК: G11C 27/00

Метки: динамическое, запоминающее

...четвертым и пятым ключами, причем вход четвертого и выход пятого ключей соединены с неинвертирующим входом операционного усилителя, выход четвертого ключа соединен со входом генера. тора тока, а вход пятого ключа является входом устройства.На чертеже представлена функциональная схема динамического запоминающего устройства.Устройство содержит операционный усилитель 1, элемент памяти, выполненный, например, на конденсаторе 2, элемент стабилизации, выполненный на полевом транзисторе 3 со встроенным каналом, генератор 4 тока, первый, 5, второй 6, третий 7, четвертый 8 и пятый 9 ключи. Сток, затвор, исток транзистора 3 подключены соответ ственно к шине 10 питания, выходу ключа 6, входу генератора 4 тока и выходу устройстваВход ключа 8...

Номер патента: 911626

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Андреев, Иванов, Коржев, Пресняков

МПК: G11C 29/00

Метки: оперативной, памяти

...3.1-3,3.Входы установки в единицу тригге- щров 11 каждой группы йодклвчены со"ответственно к адресным входам вако- .пителя 4, а выходык соответству-ющим выходам накопителя 4.Входы установки в ноль триггеров11 подключени к управляющему входу фнакопителя 4.. Колчество .тригтеров 11 групп на-копителя 4 соответствует максимальному. количеству модулей, содержащихся в проверяемой оперативной памяти.Устройство работает следующим образом.Адрес, по которому произошел сбойв контролируемой оперативной памяти,поступает на адресные входы б, ин- ЗФормация о неисправных разрядах - настробирующие входы 7 устройства.Первый блок 1. анализа адреса выявляет 1 строку, а второй блок 2анализа адреса - столбцыф проверяемой оперативной памяти, в...

Номер патента: 911627

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Горбенко, Горшков, Николаев

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, самоконтролем

...считываемого массива чисел,При записи число через вход 20поступает в регистр 9,и содержимоерегистра 4 адреса через элементыИЛИ 13 подается на вход накопителя 1Обратный код из регистра 9 черезэлементы ИЛИ 13 записываются в ячейку накопителя 1, Затем содержимоеячейки считывается на регистр 11.После этого производится запись-счи-,.тывание прямого кода числа на регистр10. Причем при записи прямого кодаодновременно с информационным разрядами записываются контрольные разряды, корректирующего кода, которыеформйруются формирователем 22 и через вторую группу элементов ИЛИ 13поступают в накопитель 1,Содержимс е60 Если в маркерном разряде содержится код 1 и после записи массива чисел появится отказ, значение которого совпадает со значением...

Номер патента: 911628

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Хлавнович, Шкода

МПК: H01C 1/082

Метки: балластный, реостат

...реостата исключено влияние предыдущих охлаждаеьых элементов на эффективность охлаждения последующихэлементов. Достигается это /расположением охлаждаемых элементов спира-лей реостата в плоских изоляторах(галетах)конструкция которых обеспеиивает крепление спиралей и образует систему каналов для прохожденияохлаждающего воздуха.Охлаждающий воздух поступает.изокуружающей среды в радиальные кана"лы галет, обдувает каждую спиральотдельно и после этого попадает в об/щий канал в центре пакета из галет,откуда выбрасывается вентилятором в 25 окружающую среду.На фиг. 1 показан балластный реостат на фиг. 2 разрез А-А на "фнг.1.Реостат состоит кз набора термостойких плоских галет 1, спиральных ЗО резистивных элементов 2, лежащих в911628 формула...

Номер патента: 911629

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Колдашов, Красов, Поташникова, Пуронене, Турчина, Фомина, Чигонин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...влажности (98) не более Ф 1 а также выход годных резисторов 75-95 (в зависимости от величины сопротивления резисторов).911629 Сонротив- ТКС 1/фС ление, . 108(при Ом/О 25-. 155 С)ею ю ю Ве Содержание; мас.Ф Стабильность,Ф Состав в 1 О Рьо, вцо 1 ипо 1 и Предлагаемый 117 7010 1, 2 4990 13 47 30 . 4 б 129 100 1,2 0,7 100 10. 35 25 10 20 9,3 69,8 20,9 Известный Формула изобретения Редактор Н,Гришанова Составитель Н,КондратовТехред Л.Пекарь Корректор О. Билак Заказ 1140/46 Тираж 758.ВНИИПИ Государственного комитета СССР. по делам изобретений и открытий 113035,Москва, Ж, Раушская наб.,4/5Подписное филиал ППП Патент 1 г.ужгород, ул.Проектная,4 Установлено, что при содержании в резнстйвной композиции вольфрама менее 2 и более 20 мас, Ф и...

Номер патента: 911630

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Карабанов, Рябов, Соломенников

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...от состава исходной смеси.Прн изменении содержания двуокиси кремния в реэистивном материале 20-80 ТКС имеет положительную величину.В зависимости от состава величина ТКС измеряется в широких пределах. Для состава, содержащего 15 СгО г ве" личина ТКС равна 10 1/оС, а для состава с 30 СгоОк - 55 1/оС. При содержании СгОг более 90 величина ТКС становится отрицательной.Температурная зависимость сопротивления аналогична температурной зависимости сопротивления позисторов. Удельное сопротивление резистивнога материала в области низких температур составляет 10-10 ь Ом см,что позволяет изготовлять микрорезнсторы для микроэлектронных схем.Ниже приведены конкретные примеры изготовления реэистивных материалов ;предлагаемого состава с различньм. т...

Номер патента: 911631

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Былина, Косицына, Нестеренко, Преснов, Ротнер

МПК: H01C 7/04

Метки: термистор

...3 и термоустойчив.е покрытие 5. Термистор помещен в корпус из кварцевого стекла(не показан).Термистор работает следукщим образом.5С помощью выводов 3 термистор подсоединяется к измеряемому объекту. Измерительнья мостом .сопротивления измеряется сопротивление термистора. По градуировочной кривой зависимости .сопротивления термистора от температуры объекта. При изменении тем-. пературы объекта термистор меняет свое сопротивление. Это изменение регистрируется и по градуировочной кривой оценивается соответствующее изменение температуры измеряемого объекта .в данный момент времени.Термистор изготовляют следующим образом. 20Монокристаллический алмаз помещают в центральную часть пресс-формы с алмазным порошком и выдерживают загрузку в камере...

Номер патента: 911632

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Бадинтер, Геллер, Любчак, Старуш, Шнайдерман

МПК: H01C 17/00

Метки: изоляции, микропровода, резистивных, стеклянной, элементов

...50 мкм.Цель изобретения - повышение выхода годных прн диаметре микропроводаменее 50 мкм.Указанная цель достигается тем,что в способе изготовления резистивных элементов из микропровода в стеклянной изоляции, заключающемся в намотке микропровада при температуре размягчения стекла и постоянстве величины произведения межвиткавого данления на температуру,намотку микропроэада ведут совместно с наматкой стекловолокна,а величину произведения межвиткового давления на температуру для стекловолокна выбираютбольшей величины произведения давленияна температуру для микропровода.Совместная намотка микропроводаи стекловолокна обеспечивает сохранение целостности микропровода с диаметром менее 50 мкм и, как следс 1- вие - повышение выхода годных...

Номер патента: 911633

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Водяников, Водяникова, Лопухин, Явнов

МПК: H01C 17/245

Метки: интегральных, подгонки, симметричных, схем

...от номинала, затем изменяют величину подстроечного резистора другой части и доводят до получения номинала, выходного параметра этой части.На фиг. 1 изображена принципиальнаяэлектрическая схена симметричного мультивибратора, подлежащего подгонке; на Фиг,2 - процесс подгонки по известному способу; на фиг.3 - то же, по предлагаемому способу; наФиг,4 - пример конструкции двух резисторов с общей стороной, приспособ"ленных для подгонки по предлагаемомуспособу; на фиг.5 - результат,испарения лазером общей стороны при одновременной подгонке резисторов; на Фиг.б - результат дополнительногоиспарения резистивной пленки резистора 8. 55Рассмотрим процесс подгонки наГ примере симметричной интегральной схемы (фиг. 1), содержащей подстроеч 3 4ные...

Номер патента: 911634

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Крушеницкая, Кузнецова, Новикова

МПК: H01F 5/02, H01R 9/00

Метки: катушка, электрическая

...передачу тепла пайки иакаркас и,обеспечивает герметичнуюзащиту мест паек. Это позволяет исболее широкий перечень материалов, а также способствует автоматизацииф монтажа катушек. Формула изобретения 25 щая каркас с фланцами, имеккаими сквозные отверстия для вывода прововыступает за его пределы,д другое33 соединено с концом соответствующей обмотки посредством пайки, о т л и 41 которых выполнен.паэ. т-образной Форма. сквозное отверстие расположенов дне камеры, а выстуйавщее за пределы паза тело Г-образного лепесткаразмещено и широкой части .Т-образного паза с воэможностью выдвиженияф из него соединенное с концом обмотки.плечо, имеющее ширину, равную узкойчасти паза, размещено внутри камеры,при этом концы обмоток имеют запаспровода,...

Номер патента: 911635

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Баранов, Колос, Шпак

МПК: H01F 7/18

Метки: двухобмоточным, электромагнитом

...вход логи.ческого элемента 8 и независимо от 40того, какой сигнал проходит при,включении питания на управляющийвход 15, обеспечивает отрицательныйуровень иа прямом выходе логического ЭлЕМента 8. Отрицательный уро- . 45.вень напряжения с прямого выходаэлемента 8 поступает на вход элемента 9 и ннвертируется. Положительныйуровень.с инверсного выхода элемента 9 включает первый коммутатор 4;Одновременно отрицательный сигцалс выхода формирователя.14 поступаетна вход элемента 13 и низким уровнем напряжения с его прямогО выходазапрещает включение четвертого коммутатора 12 на время работы Формирователя 14. В исходном состоянии, привключении напряжения питания на прямом выходе формирователя 7 присутствует низкий уровень напряжениякоторый...

Номер патента: 911636

Опубликовано: 07.03.1982

Автор: Радаев

МПК: H01G 4/02, H01G 5/013

Метки: конденсаторов, спиральных, электродов

...спиральной направляющей, а911636 спиральное кольцо размещено в гребенках основания,На фиг. 1 изображено устройство в разрезе) на Фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1..Устройство содержит основание 1 и опорный элемент 2, на котором жестко закреплена спиральная нанравляющая 3, выполненная в виде сепаратора, в котором расположены элементы качения в виде шариков 4. Шарики выступают по обе стороны спиральной направляющей 3 и образуют четное число (например - два) .ярусов качения. Основание 1 снабженогребенками 5, зубья 6 которой расположены соответственно виткам спи-. ральной направляющей 3. В гребенках ,5 основания 1 размещено спиральное кольцо 7. В центральном отверстии основания 1 установлен валик 8 со шпонкой 9 и уйорным штифтом...

Номер патента: 911637

Опубликовано: 07.03.1982

Автор: Радаев

МПК: H01G 4/02, H01G 5/013

Метки: конденсаторов, спиральных, электродов

...набора спиральных колец.Втулка и каждое спиральное кольцо спиральной направляющей выполнены из двух изогнутых по окружностиэлементов, а радиус кривизны каждогопоследующего элемента на половинушага спирали больше, чем предыдущего,На фиг. 1 изображено устройство в разрезе; на фиг. 2 - разрез А-Ана фиг. 1; на фиг. 3 - вариант выполнения втулки и спиральных колец,Устройство содержит основание 1 со спиральными гребенками 2, опорный элемент 3, на котором закреплена спиральная направляющая, выполненная в виде набора жестких спиральныхколец 4-9, втулку 10 и валик 11 со шпонкой 12 и упорным штифтом 13 Втулка 10 и спиральные кольца 4-9 могут быть выполнены составными - втулка 10 из двух элементов 14 и 15, а спиральные кольца 4-.9 каждое из двух...

Номер патента: 911638

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Агаманукян, Акопян, Кешишян, Хачатрян, Чатинян

МПК: H01G 4/04

Метки: давления, конденсаторов, маслонаполненных, предохранитель, силовых

...снабжен отсекающнм элементом, перемещающимся под действием пружины, разрываемая контактная пластина выполнена плоской под углом относительно направления движения отсекаю О щего элемента, а датчик давления вы-, полнен в виде герметично сжимающего" ся снльфона, снабженного калиброванной пружиной.На Фиг. 1 схематически изображен 15 предохранитель давления; на Фиг, 2- то же, общий вид.В цепь общего вывода конденсатора 1 последовательно включается разрывная контактная пластина 2. Пружина 3 служит для отведения одной иэ половинок разрываемой контактной пластины 2 после разрезания ее ножом 4. Фиксатор 5 служит для удержания толкателя б во взведенном состояник в исходном положении предохранителя. Пружина 7 исполнительного механизма служит для...

Номер патента: 911639

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Ермоленко, Ильин, Каратаев, Медведев, Пиголицин, Шулятев

МПК: H01G 4/12

Метки: заготовку, керамическую, нанесения, пленочную, электродов

...кера мической заготовки обеспечивает вырубку электродов с четким рисунком и запрессовку их без деформации в керамическую пленочную заготовку на глубину равную толщине электрода, т.е. заподлицо с поверхностью керамической заготовки.Эластичная прокладка может. быть выполнена из того же .материала, чтои ленточный носитель слоя электрО- проводящего материала, например лавсана. Толщина используемой эпас тичной прокладки не должна быть мень ще одной толщины керамической пленочной заготовки, так как н противном случае не происходит операции. вырубки электродов из слоя электрб проводящего материала, закрецлекйого на временном ленточном ыосйтМе. В то же,время толщина эластичной прокладки не должна быть более чеж". рех тоящин керамической...

Номер патента: 911640

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Бабушкин, Коротких

МПК: H01G 9/022

Метки: алюминиевых, конденсаторов, оксидных, электролит

....на основе этиленгликоля. Адипиновая кислота способствуетНаиболее близким по составу к снижению сопротивления электролита предлагаемому является электролит .и, АУ конденсаторов. Ионы фосфата для оксидных алюминиевых конденсато- , предотвращают гидратацию оксидного ров с высокими удельными зарядами, слоя,снижая газовыделение в консодержащий этиленгликоль, адипино денсаторах при повышенной температуре,911640 торов. Он нетоксичен, технологичен в изготовлении и не требует использования нового оборудования.Таблица 1 денсаторов при длительной эксплуатации в различных температурных режимах, повышает надежность конденсаНоминалыконденсаторов в х мкф Нормальные условия Параметры конденсаторов до испытаний Ток утечки.мкА фактически допуск по ТУ...

Номер патента: 911641

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Ануфриев, Геликман, Кристалинский, Новик, Столов

МПК: H01G 9/00

Метки: конденсаторов, тренировки

...и качество пайки.При этом происходит уменьшение внутреннего эквивалентного сопротивления, Время окончания тренировки определяется временем расплавленияприпоя, что обеспечивает исключение911641 перегрева конденсаторов, разбрызгивание припоя и снижение расхода электроэнергии. Крометого, повышает" ся производительность труда и сокращается трудоемкость изготовления конденсаторов. Аналогичный эффект достигается подачей на конденсаторы линейнонарастающего напряжения, мо ф дулированного синусоидальным напряжением.Ниже приведен пример реализации предложенного способа.П р и м е р, Выборка из 668 шт. анодных секций конденсаторов типа К 53-1 А произвольным образом разбивается на две равные партии по 334 шт, анодных секций каждая. Из...

Номер патента: 911642

Опубликовано: 07.03.1982

Автор: Ковалев

МПК: H01G 13/02

Метки: лентой, липкой, обмотки

...цель достигается темтчто устройство для обмотки иэделийлипкой лентой, содержащее загрузочный бункер, захватывающий механизм,выполненный в виде нескольких барабанов с радиальными пазами, бобиныслипкой лентой, направляющие элементы для липкой ленты, механизмотрезки липкой ленты, направляющиеэлементы липкой ленты выполнены ввиде направляющих роликов, установ"ленных между барабанами захватывающего механиэма, причем барабаны захватывающего механизма снабжены дискретным приводом и толкателями с приводом возвратно-поступательного движения.На чертеже приведена схема устройства.устройство содержит загрузочный 10 бункер 1 для подачи иэделий 2 взахватывающий механизм, выполненный в виде барабанов .3 - 7 с радиальными пазами 8, бобину 9...

Номер патента: 911643

Опубликовано: 07.03.1982

Автор: Овсяник

МПК: H01H 47/22

Метки: магнитный, пускатель, трехфазный

...соединенных кнопки 2 включения, диода 3,резистора 4, кнопки 5 отключенияи обмотки 6 управления, К каждомувыводу для подключения трехфаэнойнагрузки подключены анодами диоды. 7, последовательно с которыми соединены резисторы 8, подключенныедругими выводами к точке соединениярезистора 4 с кнопкой 5 отключения.Делитель напряжения, состоящий иэрезистора 9, подключенного к выводу для присоединения нулевого провода линии и резистора 10, подключенного через диод 11 к выводу для присоединения нулевого провода нагрузки, выходом соединен с концом обмотки 6 управления, трехфазная нагрузка 12 соединена в звезду с нулевым выводом.Устройство работает следующим образом., При.замыкании контактов кнопки 2 включения через диод 3, резистор 4 и кнопку 5...

Номер патента: 911644

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Пацеура, Сердюк

МПК: H01H 75/02

Метки: аппаратов, быстродействующих, защиты, контактный, узел, электрических

...б защелки 7 выполненменьшей высоты,что способствуетего быстрому расцеплению,Б случае использования механизма для выключателя (Фиг. 2) дополнительно вводят включающий рычаг12 с пружиной 13, на котором закреплена на оси 8 защелка 7, упор 14 изакрепляют рычаг 12 на оси 4.При расцеплении защелки 7 вклю- щчающий рычаг, 12 под действием пружины 13 поворачивается до упора 14.Движение остальных элементов механизма соответствует описанному выше. Включение механизма осуществляется приводом 11 который поворачивает включающий рычаг 12 до зацепления зуба 6 защелки 7 с зацепом 2, затем усилие привода снимается, включающий рычаг 12 поворачивается почасовой стрелке пружиной 13. Усилиепружины 13 передается через зацеп2 и тягу 5 на контактный рычаг 1...

Номер патента: 911645

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Абдуев, Амадзиев

МПК: H01J 5/46

Метки: ввод, электровакуумный

...приспособ-.ление в плане; на фиг. 2 - разрезА-А на Фиг. 1.,На чертеже обозначены полупроводниковая пластина 1 р- или и-типапроводимости, замкнутый контур 2,тип проводимости которого противопо,ложен типу проводимости пластины,области 3, тип проводимости которыхпротивоположен типу проводимости aластиныОбласти в предлагаемом приспособлении служат проводниками, а изоляция областей друг от друга осуществляется за счет того, что любые двар-и-перехода островок - пластинаоказываются включенными встречно.При любой. полярности напряжения между областями тока между ними не будет, потому что если один р-и-пере-. ф 0.ход открыт, то другой обязательнозакрыт. Если корпус, в котором установлено данное приспособление, проводящий, то вторым р-п-переходом...

Номер патента: 911646

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Буц, Емельянов, Кузьминов, Мальгин

МПК: H01J 9/42

Метки: повышения, прочности, электрической

...на электрическую прочность макетов вакуумных конденсаторов сост ветствуют медным коаксиальньщ электродам, образующим вакуумный промежуток 6=0,25 мм. Емкость макета вакуумного конденсатора - 110 пф, В ходе экспериментов по высоковольтной 10 тренировке макетов вакуумных конденсаторов накопительная емкость изменяется от 0 до 10 пф, а суммарная емкость, равная сумме емкостей макета вакуумного кс денсатора и накопи тельного конденсатора - от 10 до 10 пф. Ограничительное сопротивление В = 22 10 Ом, Изменение ограничительного сопротивления в интервале от 5.10 до 5.10 Ом влияние иа электрическую прочность макетов вакуумных конденсаторов не оказывает.Тренировка при каждом значении накопительной емкости ведется до достижения насыщения зависимости...

Номер патента: 911647

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Васильева, Гришина, Ковалев, Ктиторов, Рахимов, Розанов

МПК: H01J 17/00

Метки: несамостоятельного, разряда

...90 Тор, ионизирующее излучение осуществляет пучок электронов с энергией 100 кэВ и с плотностью тока5 1 - 10 мкА/см, а частота высококачественного напряжения 7 - 8 МГц.Сущность изобретения заключается в том, что замена постоянного поля на высокочастотное с указанными выше характеристиками устраняет пррэлектродные слои в плазме, являющиеся областями самостоятельной ионизации и выполняющйми роль эмиттера заряженных частиц. Дело в том, что при Тс Г, не успевает произойти экранировка приложенного напряжения, вызванная дрейфом электронов, приводящих к формированию катодного слоя. ЗначениеЦзависит от амплиту ды прикладаемого высокочастотного напряжения, мощности внешнего ионизатора, давления и состава газа. Причем с повышением газового...

Номер патента: 911648

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Емельянов, Кузьминов, Мальгин, Смирнов

МПК: H01J 21/00

Метки: вакуумной, изоляции, повышения, прочности, электрической

...прочность вакуумной изоляции.Время запаздывания вакуумного пробоя критично к изменению амплитуды импульсов, так как увеличение напряженности электрического поля на 10 сопровождается сокращением времени запаздывания на порядок.911648 Формула изобретения Составитель Е.ПчеловРедактор М.Янович Техред Т.Маточка Корректор Л.Бокшан Заказ 1141/47 Тираж 758 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 Цель достигается тем, что в способе повышения электрической прочности вакуумной изоляции .после окончания тренировки вакуумного промежутка пробоями на импульсном напряжении,характеризующейся достижением стабильной...