Резистивный материал

Номер патента: 834782

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Белорусец, Боровинская, Выскубов, Мержанов, Михайлов, Суворов

МПК: H01C 8/00

Метки: композиционный, материал, резистивный

...элект зистивной компози счет изменения фа диапазон номинало Ома до сотен М меет высокую м ь Ьс, = 800 сопротивления реи изменяется завого состава исопротивлений ко леблется от одно Материал при это анич000 ую проче 1 остсм . 3 83478 циркония, диаборид циркония, карбонитрид титана) изготавливают способом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза,Связку получают из однозамещенной соли алюминия в фосфорной кислоте с плотностью 1,42 г/смЗначительное упрощение технологии изготовления композиционных резисторов достигается при использовании по рошка, представляющего смесь тугоплавкого соединения с наполнителем, который синтезируется путем сжигания металла 1 Ч-Ч групп с алюминием и элементом из группы углерод, бор, азот 15 При...

Номер патента: 374552

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G01R 27/00

Метки: микросхем, пленочных, резистивных, сопротивления, удельного

...Цля этого:в качестве образцового резистора используют рабочую плату микросхемы, а электроды резистора изготовляют одновременно с рисунком слоя коммутации данной схемы.На,фиг. 1 показан разрез участка подложки, на котором создан измеряемый образец резистора с электродами в виде двухсвязной области; на фиг. 2 - тот же участок подложки, вид сверху,На изолирующую подложку 1 нанесен слой материала 2, удельное сопротивление которого требуется определить. Онслоем значительно более прориала,Ь слое последнего с помощью тогогого способа гравировки, напримерфотолитографии, может быть удалематериала в виде, кольца, благодаряразуется, резистор кольцевой формытродами в,виде двухсвязной областт 0 ний электрод д, внутренний электропротивление...

Номер патента: 1059590

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Баратов, Бекичева, Жулай, Коломиец, Любин, Межов, Пойманов, Шило

МПК: G06K 19/02

Метки: изображений, нанесения, пленки, полупроводника, преобразоват, состава, стеклообразного, фототермопластический, фототермопластического, фоточувствительного

...путем дискретной подачи его в квазизамкнутый испаритель,а подогрев диэлектрической подложкиосуществляют в пределах 60 - 170 фС.На .чертеже изображена принципиальная конструкция фототермопластического преобразователя изображений.Преобразователь состоит из металлизированной подложки 1 с последовательно нанесенными на нее пленкамиточувствительного стеклообразногоп олупроводника 2 и термопластичес- проводника при испарении с цельюкого материала 3. получения фоточувствительных пленок,Фототермопластический преобразова- идентичных по химическому составу стель изображений работает следующим исходным испаряеьым материалом. Этообразом. способствует сохранению высоких свеПреобраэователь заряжается в по 5тотехнических и электрических...

Номер патента: 1061179

Опубликовано: 15.12.1983

Авторы: Скобленко, Смеркло, Тулуевский

МПК: H01C 7/06

Метки: величины, коэффициента, пленки, резистивной, сопротивления, температурного

...65 пленки с последующим расчетом величины ТКС, величину термического напряжения нагретой резистивной пленки определяют с помощью голографической интерферограммы, после чего компенсируют термические напряжения.механическим путем и производят измерение сопротивления при заданнойтемпературе с последующим расчетом ТКС,На Фиг. 1 представлен образец в исходном состоянии при температуре Т и сопротивлении Р (интерферограмма при этом не возникает), на фиг, 2 - образец в нагретом состоянии при температуре Т (объект деформирован под воздействиемТ, свободный конец консоли совмещается на расстояние Ь г, возникает интерФерограмма), на Фиг, 3 - образец при температуре Тд, при которой производится процесс компенсации механических напряжений и...

Номер патента: 1298515

Опубликовано: 23.03.1987

Автор: Кутлуяров

МПК: G01B 7/00

Метки: датчиков, резистивных, сопротивления

...работает следующим образом.Генератор 4 вырабатывает однополярные импульсы тока с амплитудами1, Е,1 К 1К, 1, которые выбираются так, чтобы при минимальных 35значениях сопротивлений датчиковК,-К выполнялись неравенстваНсП+ Кз 1 КэПс "са-с+ Е,1 К., 40При последовательном опросе ре зистивных датчиков 1 в первом такте рабочего цикла источника 4 импульсов тока вырабатывает однополярный прямоугольный импульс тока амплиту дой 1, который проходит по цепи, содержащей линию 3 связи и резистивные датчики 1,1-1.п. При этом на выходе источника 4, а значит и на выходе вычислительного блока 5, появится напряжениеА2 ф в) на зажимах генератора появится напряжениеЦ, К 1(К + К, +К ) + Нгде Б - напряжение стабилизации нелинейного элемента 2.1,В...