Резистивный материал
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихРескублик ои 911629(У)М Кп 3 Н 01 С 7/00 с присоединением заявки МГосуаарстеениый омитет СССР ио делам изобретений и отрытий(23) Приоритет(53 УДК 6 21. 396. 69(088.8) Опубликовано 070382 Бюллетень М 9 9 Дата опубликования описания 070382 З.И,Пуронене, В.Г.Красов,Н.Д.Колдашов, Г,В.Ту чина-, Е.Мфомина, Н.Н.Чигонин и Т.П.Поташник а К(;,",(,;-.:"-;(54) РЕЗИСТИВНЫИ МАТЕРИАЛ Окись свинца (РвО) 35-70 Двуокись кремния (810 10-17 Двуокись рутения (НцО, 10-30 Вольфрам 2,0-20 Окись марганца(с валент" ноствю П,М илк 1 У) 1,0-10 Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для получения толстопленочных резисторов.Известен резистквный материал,получаемый введением в стекло состава,мас,г Рво 35-45 г ВО15-25 г 810 о30-40 г частиц двуокиси рутения,(1"30) и порошка пятиокиси ванадия(1-10), (1) .Недостатком данного материалаявляется невозможность получении наего основе толстопленочных резисторов с сопротивлением ниже 200 Ом/о .Наиболее близким по.техническойсущности к предлагаемому является .материал для резисторов, содержащий,мас. г двуокись рутения,(0,7-20),окись свинца (70-82), окись кремния(9-23) Щ.Недостатками этого материала являются высокое экегчеиие температурного коэФфициента сопротивленкя (до. 54910 " 1/оС), и низкая (до 3) стабильность сопротивления прк повышен- ной влажности.Цель изобретения - снкжение тем,пературного коэффициента сопротивле.ния и улучшения стабильности резисторов,Пбставлениая цель достигается тем,что материал для резисторов, содержащий окись свинца РвО, двуокись кремния 8101, двуокись рутения Вц 01,дополнительно содержит вольфрам н окись ,"марганца с валентностью П,Ш или 1 У при следующем количественном соотношении компонентов мас, :10 Введение в состав материала для резисторов окисного соединения марганца и металлического вольфрама позволяет получить толстопленочные резисторы в диапазоне сопротивлений от 50 Ом/и до 5 кОм/о, не содержащие в составе драгоценного металла - серебра, имеющие стабильность параметров при длительном воэдействии (в течение 30 суток) повьюаенной влажности (98) не более Ф 1 а также выход годных резисторов 75-95 (в зависимости от величины сопротивления резисторов).911629 Сонротив- ТКС 1/фС ление, . 108(при Ом/О 25-. 155 С)ею ю ю Ве Содержание; мас.Ф Стабильность,Ф Состав в 1 О Рьо, вцо 1 ипо 1 и Предлагаемый 117 7010 1, 2 4990 13 47 30 . 4 б 129 100 1,2 0,7 100 10. 35 25 10 20 9,3 69,8 20,9 Известный Формула изобретения Редактор Н,Гришанова Составитель Н,КондратовТехред Л.Пекарь Корректор О. Билак Заказ 1140/46 Тираж 758.ВНИИПИ Государственного комитета СССР. по делам изобретений и открытий 113035,Москва, Ж, Раушская наб.,4/5Подписное филиал ППП Патент 1 г.ужгород, ул.Проектная,4 Установлено, что при содержании в резнстйвной композиции вольфрама менее 2 и более 20 мас, Ф и окисно" го соединения марганца менее 1 и более 10 мас, Ф температурный коэффициент сопротивления увеличивается.,а стабильность резисторов снижается, ато вероятно вызвано образованием нестабильных соединений металлического типа проводимости.П р им е. р ы. Порошкообразные окись:свинца, окись кремния, двуокись рутения, двуокись марганца, порошок металлического вольФрама тщательно смешивают, Изполученной массы прес суют таблетки, которые помещают в корундовый тигель и прозрят нагревИэ таблицы следует, чъо предлагаемый материал при указанных соотношениях компонентов позволяет получать резисторы с температурнеев коэффициентом сопротивления (95-100)к 10 ь 1/С и стабильностью 0,7-1,6 .Предлагаемый резмстивный материал может быть использован в микроэлектронике, радиопромышленности,промышленности средств связи. Он позволяет заменить известные резисторы на основе Ад-РЙ. Резистивный материал, содержащий окись свинца Рво двуокнсь кремния 81 О , двуокись рутения Нцоа, о т.л и ч а ю щ и и с я тем, 1 что,; в муфельной печи при 900 990 фС э течение 0,5-10 ч. В результате нагрева происходит синтез рутенатов свинца и кремния. Синтезированный материал измельчают в планетарной мельнице в течение 10 ч. Полученные мелкодисперсные порошки резистивной композиции тщательно перемешивают с органической связкой, наносят на подложки из керамики ф 22 хС и выжигают в конвейерной печи при 800-850 фС.Приготавливают три состава материала для резисторов. Соотношения исходных компонентов материала и электрофизические характеристики полученных резисторов приведены в таб лице,с целью снижения температурного коэффициента сопротивления и улучшениястабильности резисторов при поввааенной влажности, он дополнительно содержит вольфрам н окись марганца свалентностью Й, Щ или,1 У при следующем количественном состношении ком 46 понентов, мас. ЪОкись свинца (РвО) 35-70Двуокись кремния (Мф М 17Двуокись рутения (ицО) 10-30Вольфрам 2,0-204 Окись марганца (с вален- .тностью П,( или 1 У).Источники информации,принятые во.внимание при экспертизе1.Патент СшА Э 400 б 278, кл.428-427,50 01.02 е 77.2.Патент СВВ 9 3951 б 72,кл.10 б,197 б.
СмотретьЗаявка
2837845, 28.09.1979
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Х-5476
ПУРОНЕНЕ ЗИНАИДА МИХАЙЛОВНА, КРАСОВ ВЛАДИМИР ГРИГОРЬЕВИЧ, КОЛДАШОВ НИКОЛАЙ ДМИТРИЕВИЧ, ТУРЧИНА ГАЛИНА ВИКТОРОВНА, ФОМИНА ЕВГЕНИЯ МИХАЙЛОВНА, ЧИГОНИН НИКОЛАЙ НИКОЛАЕВИЧ, ПОТАШНИКОВА ТАТЬЯНА ПЕТРОВНА
МПК / Метки
МПК: H01C 7/00
Метки: материал, резистивный
Опубликовано: 07.03.1982
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-911629-rezistivnyjj-material.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Резистивный материал</a>
Предыдущий патент: Балластный реостат
Следующий патент: Резистивный материал
Случайный патент: Устройство для заряда накопительного конденсатора