H01L 21/316 — из оксидов, стекловидных оксидов или стекла на основе оксидов

Номер патента: 1651698

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Вискуп, Кастрицкий, Красницкий, Петрашкевич, Турцевич, Шкуть

МПК: H01L 21/316

Метки: осаждения, пленки, стекла, фосфоросиликатного

Способ осаждения пленки фосфоросиликатного стекла, включающий загрузку кремниевых подложек со структурами интегральных схем в реактор, нагретый до 350-450°С, вакуумирование реактора, раздельную подачу в реакционную зону реактора смеси моносилана с фосфином и кислорода и наращивание пленки фосфоросиликатного стекла при давлении 26,6-46,6 Па и соотношениях ингредиентов фосфинмоносилан с фосфином 0,03-0,25, кислород-моносилан 0,8-4,0, при температуре нагрева реактора, отличающийся тем, что, с целью повышения качества фосфоросиликатного стекла путем увеличения электрической прочности и снижения дефектности осаждаемых пленок, после наращивания пленки толщиной 0,1-0,3 мкм прекращают...

Номер патента: 1147205

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Плотников, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрика, подзатворного, создания, тонкого

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, включающий формирование слоя двуокиси кремния толщиной менее 50 нм путем термического окисления монокристаллической пластины кремния n-типа проводимости ориентации (100) при температуре 900-1100°С и отжиг в атмосфере инертного газа при температуре окисления, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов, слой двуокиси кремния формируют толщиной 20-40 нм, а отжиг проводят в атмосфере аргона с добавлением 0,5-10 об.% кислорода.

Номер патента: 1151153

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Буляк, Пухов, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/316

Метки: изоляции, мдп-интегральных, межуровневой, структурах, схем

Способ изготовления межуровневой изоляции на структурах МДП-интегральных схем, включающий последовательное формирование на поверхности структуры подслоя и слоя двуокиси кремния, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических параметров структур за счет повышения стабильности величины порогового напряжения, подслой межуровневой изоляции формируют анодированием структур в кислородной плазме ВЧ-разряда при давлении кислорода 1,33-2,66 Па и температуре не более 150°С.

Номер патента: 1371456

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Буляк, Плотников, Румак, Хатько, Шевчук, Ясников

МПК: H01L 21/316

Метки: кремния, оксида, слоев, создания, тонких

Способ создания тонких слоев оксида кремния для подзатворного диэлектрика МДП-структур, включающий нагрев монокристаллических кремниевых пластин от комнатной температуры до температуры окисления (700-950°С), формирование подслоя двуокиси кремния термическим окислением пластин кремния и доокисление его до толщины 10-50 нм в газовой смеси, содержащей кислород, водород и хлористый водород при расходе кислорода и водорода, равном соответственно 30-75 и 15-68 об.%, последующий отжиг в инертном газе, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур путем уменьшения дефектности подзатворного диэлектрика, подслой окисла формируют последовательной выдержкой сначала в...

Номер патента: 1099782

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Канищев, Костенко, Куксо, Пухов, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/316

Метки: кремния, окисления, пластин

Способ окисления пластин кремния, включающий нагрев пластин до температуры окисления (900-1150)°С, выдержку при этой температуре в атмосфере сухого кислорода при нормальном давлении и охлаждение до комнатной температуры, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества окисла путем снижения количества микропор на границе кремний - окисел, выдержку предварительно осуществляют при давлении (10-4-10-6) мм рт.ст. в течение (1-2) мин, а затем при давлении (101 -10-4) мм рт.ст. до получения слоя окисла толщиной (20-25) нм.

Номер патента: 1223789

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Плотников, Румак, Хатько, Ясников

МПК: H01L 21/316

Метки: моп-структур, создания

Способ создания МОП-структур, заключающийся в нанесении маски из Si3N4 на поверхность кремниевой подложки, селективном окислении во влажном кислороде, снятии Si3N4, предварительном окислении во влажной атмосфере, создании подзатворного диэлектрика и нанесении полевого электрода, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных структур путем уменьшения дефектности поверхностного слоя кремния, предварительное окисление проводят до получения толщины окисла 130-150 нм, а в качестве влажной атмосферы используют смесь H2-O2 или H2-O2 -HCl, содержащую 1-4% HCl.

Номер патента: 1282767

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Плотников, Румак, Хатько, Ясников

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрика, подзатворного, создания

Способ создания подзатворного диэлектрика, включающий нагрев кремниевых пластин от контактной температуры до температуры окисления, формирование подслоя двуокиси кремния толщиной (7-12) нм термическим окислением пластин кремния при 900-1100°С и доокисления в атмосфере Ar-O2-HCl, содержащей (10-50) об.% кислорода при соотношении расходуемых объемов HCl/O 2 = 0,01-0,04, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов за счет повышения качества подзатворного диэлектрика, подслой двуокиси кремния формируют в атмосфере Ar-O 2-HCl, содержащей (10-50) об.% кислорода и HCl не более 0,6 об.%.

Номер патента: 1233731

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Плотников, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрика, подзатворного, создания, тонкого

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, заключающийся в формировании слоя двуокиси кремния толщиной менее 50 нм путем термического окисления монокристаллического кремния в атмосфере аргона, содержащей кислород, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента выхода годных МОП-структур путем улучшения их зарядовых свойств за счет повышения качества структуры окисла, окисление проводят до получения электронографически аморфного окисного слоя толщиной, определяемой из соотношений для подложек кремния n-типа проводимости с ориентацией (100)и(2+0,25)·

Номер патента: 1356895

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Корешков, Плотников, Румак, Хатько, Шевчук

МПК: H01L 21/316

Метки: изоляции, интегральных, мдп, межкомпонентной, схем

Способ изготовления межкомпонентной изоляции К МДП интегральных схем, включающий создание в кремниевой подложке областей кармана, формирование на кремниевой подложке нитридной маски, охранных областей, их локальное окисление при температуре 900-1100°С до толщины 0,7-1,5 мкм и отжиг в атмосфере химически инертного газа, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных схем путем повышения зарядовой стабильности изоляции, перед локальным окислением проводят отжиг в диапазоне температур окисления в атмосфере химически инертного газа в течение 10-60 мин, а локальное окисление осуществляют в два этапа предварительным формированием подслоя двуокиси кремния, последовательной...

Номер патента: 1225430

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Плотников, Румак, Хатько, Ясников

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрика, подзатворного, создания, тонкого

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, включающий нагрев кремниевых пластин от комнатной температуры до температуры окисления, формирование подслоя двуокиси кремния термическим окислением пластин кремния при 900-1100°С в атмосфере Ar-O2 и доокисления в атмосфере, содержащей хлористый водород, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных приборов за счет повышения качества окисла, подслой двуокиси кремния толщиной 7-12 нм формируют последовательным повышением температуры до температуры окисления в течение 20-50 мин в атмосфере, содержащей 0,5-10 об.% кислорода и выдержкой в течение 3-45 мин в атмосфере, содержащей 10-50 об.% кислорода, а доокисление...

Номер патента: 1345967

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Беневоленский, Канищев, Костюченко, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрика, моп-приборов, подзатворного

Способ изготовления подзатворного диэлектрика МОП-приборов, включающий формирование на поверхности полупроводниковой подложки слоя диоксида кремния методом термического окисления, нанесение слоя фосфорно-силикатного стекла, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик приборов путем уменьшения сквозной микропористости слоя диоксида кремния, слой диоксида кремния формируют толщиной (0,08-0,15)·10-6 м, на его поверхность наносят методом физического осаждения слой молибдена толщиной (0,07-0,3)·10-6 м и перед нанесением слоя фосфорно-силикатного стекла указанный слой молибдена стравливают.

Номер патента: 1299397

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Пухов, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/316

Метки: двуокиси, кремния, плазмохимических, пленок

Способ получения плазмохимических пленок двуокиси кремния, включающий нанесение слоя двуокиси кремния в плазме ВЧ-разряда из смеси моносилан-аргон-кислород, отличающийся тем, что, с целью улучшения зарядовых свойств плазмохимических пленок за счет аморфизации их структуры, после нанесения пленок производят отжиг в атмосфере водорода, азота или инертного газа в диапазоне температур от 600 до 650 K или от 900 до 950 K в течение 10-90 мин.