H01L 21/306 — обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление

Номер патента: 1364146

Опубликовано: 27.12.1999

Авторы: Кулешов, Панин, Редькин, Юнкин, Якимов

МПК: H01L 21/306

Метки: p-n-переходов, кадмия-ртути, кристаллов, основе, п-типа, проводимости, теллурида, формирования

Способ формирования р-n-переходов на основе кристаллов теллурида кадмия-ртути р-типа проводимости, включающий обработку кристаллов потоком ионов, отличающийся тем, что, с целью повышения качества р-n-перехода за счет снижения радиационного воздействия на кристаллы, обработку проводят в плазме аргона ВЧ-разряда при давлении от 6,7 10-1 до 66,5 Па и величине удельной мощности на единицу поверхности от 0,6 до 1,3 Вт/см2.

Номер патента: 1424630

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Итальянцев, Пащенко

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, монокристаллического, основе, приборных, структур

Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия, включающий высокотемпературное полирующее газовое травление рабочей поверхности арсенида галлия ориентации <100> при 650 - 950oC со скоростью 0,02 - 30 мкм/мин на глубину 0,5 - 25 мкм в газовой смеси Ga-AsCl3-H2, ионную имплантацию атомов элемента IV группы периодической системы элементов, последующий отжиг в атмосфере водорода и паров мышьяка при температуре не менее 800oC в течение времени не менее 10 мин, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров приборных структур за счет улучшения электрофизических и структурных свойств ионолегированных...

Номер патента: 1814442

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Галицын, Ковчавцев, Мансуров, Пошевнев

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, индия, поверхности

Способ обработки поверхности арсенида индия, включающий обезжиривание, травление в растворе, промывку, сушку и термообработку в условиях сверхвысокого вакуума, отличающийся тем, что, с целью повышения степени совершенства структуры поверхности за счет снижения температуры термообработки, травление осуществляют в насыщенном растворе паров соляной кислоты в изопропиловом спирте в течение 5 - 10 мин, а термообработку проводят при равномерном подъеме температуры до 200 - 230oC за время 1,5 - 2 ч и последующей выдержке при этой температуре в течение 20 - 30 мин.

Номер патента: 965240

Опубликовано: 27.05.2000

Авторы: Репинский, Свешникова

МПК: H01L 21/306

Метки: висмута, германата, монокристаллов, полирующий, травитель

Полирующий травитель монокристаллов германата висмута, содержащий соляную кислоту и воду, отличающийся тем, что, с целью получения зеркально-гладких поверхностей и упрощения технологического процесса обработки кристаллов, он дополнительно содержит многоатомный предельный спирт - этиленгликоль или глицерин при следующих соотношениях компонентов, мас.%:Соляная кислота - 5 - 35Многоатомный предельный спирт - 10 - 85Вода - 5 - 85

Номер патента: 1001825

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Козлов, Лейчук, Пинчук, Рюмшин

МПК: H01L 21/306

Метки: молибдена, реставрации, сплавов, термокомпенсаторов, травитель

Травитель для реставрации термокомпенсаторов из молибдена и его сплавов, содержащий перекись водорода и соляную кислоту, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности удаления с поверхности термокомпенсатора алюмосилицидов при сохранении плоскопараллельности его сторон, он дополнительно содержит фтористоводородную кислоту при следующем соотношении компонентов, вес.%:Перекись водорода - 2 - 92Фтористоводородная кислота - 4 - 96Соляная кислота - Остальное

Номер патента: 1459542

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Блохина, Изидинов, Исмайлова

МПК: H01L 21/306

Метки: кремния, пористого, слоев, формирования

Способ формирования слоев пористого кремния, включающий электролитическое анодирование кремния n-типа проводимости с уровнем легирования ND 1014 см-3 при стационарном освещении в концентрированной плавиковой кислоте, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества слоев за счет повышения степени и однородности пористости, электролитическое анодирование проводят в интервале плотности токов от 30 до 150 мА/см2 в течение времени от 20 до 60 мин при освещенности рабочей поверхности кремния, которую устанавливают согласно соотношениюG = i/1,5 + 30,где G - освещенность,...

Номер патента: 1281085

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Свешникова

МПК: H01L 21/306

Метки: бария, дифторида, монокристаллов, полирования, травитель

1. Способ полирования монокристаллов дифторида бария, включающий подачу травителя на тканевый полировальник, вращение полировальника вокруг оси и прижатие обрабатываемых монокристаллов к полировальнику, отличающийся тем, что, с целью повышения качества обработки поверхности, травитель на полировальник подают с расходом 5 10-8 - 1,66 10-7 м3/с, а полировальник вращают вокруг своей оси с угловой скоростью 1,0 - 1,66 об/с.2. Травитель для полирования монокристаллов дифторида бария на основе водных растворов соляной и серной...

Номер патента: 615785

Опубликовано: 10.04.2001

Авторы: Бредихин, Волкова, Милешко, Нагучев, Чистяков

МПК: H01L 21/306

Метки: кремния, легирования, оксидной, пленки, фосфором, электролит

Электролит для легирования оксидной пленки кремния фосфором, содержащий ортофосфорную и азотную кислоты и этиленгликоль, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы, он дополнительно содержит азотнокислый эрбий при следующем соотношении компонентов, мас.%:Ортофосфорная кислота (уд. вес 1,68 г/см3) - 5 10-4 - 5,0Азотная кислота (уд. вес 1,40 г/см3) - 0,1 - 0,4Азотнокислый эрбий (пятиводный) - 0,25 - 1,0Этиленгликоль - Остальное

Номер патента: 527989

Опубликовано: 10.04.2001

Авторы: Бредихин, Милешко, Селиванова

МПК: H01L 21/306

Метки: кремния, легирования, оксидной, пленки, фосфором, электролит

Электролит для легирования оксидной пленки кремния фосфором, содержащий ортофосфорную и азотную кислоты, отличающийся тем, что, с целью улучшения свойств легированной пленки, в его состав введен этиленгликоль в качестве основного растворителя при следующем соотношении компонентов, об.%:Ортофосфорная кислота (уд. вес 1,68 г/см3) - 1 10-4 - 10Азотная кислота (уд. вес 1,40 г/см3) - 1 10-2 - 5 10-1Этиленгликоль - Остальное

Номер патента: 599667

Опубликовано: 10.04.2001

Авторы: Бредихин, Волкова, Милешко, Палиенко, Чистяков, Шкиров

МПК: H01L 21/306

Метки: кремнии, легированной, оксидной, пленки, электролит

Электролит для получения легированной оксидной пленки на кремнии, содержащий этиленгликоль, борную и азотную кислоты, отличающийся тем, что, с целью улучшения свойств легированной оксидной пленки как источника диффузии для формирования слоев p-типа в кремнии, в его состав дополнительно введена ортомышьяковая кислота при следующем соотношении компонентов, мас.%:Борная кислота - 5 - 15Азотная кислота (уд. вес 1,40 г/см3) - 0,1 - 0,3Ортомышьяковая кислота (уд. вес 2,26 г/см3) - 0,001 - 0,01Этиленгликоль - Остальное

Номер патента: 545210

Опубликовано: 10.04.2001

Авторы: Бредихин, Милешко, Селиванова

МПК: H01L 21/306

Метки: бором, кремния, легирования, окисной, пленки, электролит

Электролит для легирования окисной пленки кремния бором, содержащий этиленгликоль и борную кислоту, отличающийся тем, что, с целью улучшения свойств пленки, в его состав дополнительно введена азотная кислота при следующем соотношении компонентов, мас.%:Борная кислота - 0,10 - 10,00Азотная кислота - 0,05 - 0,50Этиленгликоль - Остальное

Номер патента: 602054

Опубликовано: 10.04.2001

Авторы: Бредихин, Волкова, Милешко, Палиенко, Чистяков, Шкиров

МПК: H01L 21/306

Метки: анодного, кремния, оксидирования, электролит

Электролит для анодного оксидирования кремния, содержащий этиленгликоль и ортофосфорную кислоту, отличающийся тем, что, с целью легирования оксидной пленки кремния второй примесью - компенсатором, он дополнительно содержит ортомышьяковую кислоту при следующем соотношении компонентов, об.%:Ортофосфорная кислота (уд. вес 1,68 г/см3) - 5 - 15Ортомышьяковая кислота (уд. вес 2,26 г/см3) - 0,01 - 0,1Этиленгликоль - Остальное

Номер патента: 1820787

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Гомжин, Лебедев, Черноусов

МПК: H01L 21/306

Метки: плазмохимического, подложки, полупроводниковой, удаления, фоторезиста

Способ плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковой подложки, включающий ее размещение в рабочей камере на термостатированном подложкодержателе на расстоянии свыше 100 мм от зоны активации плазмы, активацию низкотемпературной плазмы в газовой среде, содержащей кислород, транспортирование активных радикалов из зоны активации в зону обработки и обработку подложки со слоем фоторезиста, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности удаления фоторезиста относительно нижележащего слоя и снижения окисления нижележащих материалов при сохранении высокой скорости процесса, в газовую среду дополнительно вводят аргон, при этом содержание аргона в смеси составляет 20-95 об.%.

Номер патента: 1222175

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Гомжин, Лебедев, Юдина

МПК: H01L 21/306, H05H 1/00

Метки: индивидуальной, плазмохимической, пластин

Устройство для плазмохимической индивидуальной обработки пластин, содержащее реакционно-разрядную камеру с плоскопараллельными электродами, один из которых соединен с ВЧ-генератором, а другой с держателем пластины заземлен, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции и повышения равномерности обработки, электрод, соединенный с ВЧ-генератором, выполнен в виде плоской спиральной пружины, внешний конец которой жестко закреплен, а внутренний установлен с возможностью вращения вокруг оси, при этом ширина спиральной пружины выбрана из условиягде a - ширина спиральной пружины;D - диаметр пластины;n...

Номер патента: 1266401

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Викерев, Кафтанатьев, Нестеров, Скворцов, Удальцов

МПК: H01L 21/306

Метки: кремниевых, мембран

Способ изготовления кремниевых мембран, включающий шлифование, полирование и анизотропное травление подложек, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления и выхода годных, после двустороннего шлифования и полирования нерабочей стороны подложек на этой стороне производят анизотропное травление углублений до получения толщины мембран, превышающей требуемую толщину на 1,2-1,35 глубины нарушенного слоя, образующегося после шлифования, а затем производят химико-механическое полирование рабочей стороны подложек до достижения требуемой толщины мембран, причем давление на мембраны в процессе полирования рабочей стороны изменяют в соответствии с выражениемР = k...

Номер патента: 1748505

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Герасимов, Козин, Подлепецкий, Сафронкин, Фоменко, Чувашов

МПК: G01N 27/12, H01L 21/306

Метки: полупроводниковых, приборов

Способ изготовления полупроводниковых приборов, включающий формирование на планарной стороне кремниевой пластины слоя окисла, создание диффузионных областей, металлизации и контактных площадок активного элемента прибора, нанесение двухслойного металлического покрытия на поверхность пластины, формирование фоторезистивной маски с окнами, соответствующими выводам прибора от контактных площадок, гальваническое наращивание металла в окнах фоторезистивной маски, удаление фоторезистивной маски и двухслойного металлического покрытия вне областей выводов, нанесение защитного покрытия на планарную сторону пластины, травление пластины с непланарной стороны до требуемой толщины активного элемента,...

Номер патента: 1840202

Опубликовано: 20.08.2006

Авторы: Алехин, Емельянов, Лаврищев

МПК: H01L 21/306

Метки: iiiвv, анодного, окисления, полупроводников, типа, электролит

1. Электролит для анодного окисления полупроводников типа АIIIВV, содержащий органический растворитель, кислородосодержащую и электропроводную составляющую, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров границы раздела полупроводник - анодный окисел, электролит дополнительно содержит четыреххлористый углерод в количестве 5-15 вес.%.2. Электролит по п.1, содержащий органический растворитель, пирофосфорную кислоту, отличающийся тем, что электролит дополнительно содержит четыреххлористый углерод при следующем соотношении компонентов, вес.%:Пирофосфорная кислота 0,3-3,0Четырехлористый углерод 5-15Растворитель остальное

Номер патента: 1840205

Опубликовано: 20.08.2006

Авторы: Алехин, Емельянов, Лаврищев

МПК: H01L 21/306

Метки: анодного, антимонида, индия, окисления, электролит

Номер патента: 1697563

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Базыленко, Баянов, Родин, Турцевич

МПК: H01L 21/306

Метки: металла, микрорисунка, многослойной, полицидом, структуре, тугоплавкого

Способ изготовления микрорисунка в многослойной структуре с полицидом тугоплавкого металла, нанесенным на микрорельеф из двуокиси кремния, включающий формирование фоторезистивной маски на поверхности структуры с полицидом тугоплавкого металла, реактивно-ионное травление полицида в окнах маски в смеси гексафторида серы с хлорсодержащим газом при давлении 1,0-8,0 Па и плотности мощности разряда на поверхности полицида 0,3-0,6 Вт/см 2, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных структур за счет повышения анизотропности травления и создания вертикального профиля травления, травление полицида тугоплавкого металла в смеси гексафторида серы с хлорсодержащим газом приводят...

Номер патента: 786715

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Бобков, Гурский, Костенко, Румак, Сергеев, Снитовский

МПК: H01L 21/306

Метки: пластин, полупроводниковых

1. Способ обработки полупроводниковых пластин, включающий погружение пластин в ванну с рабочей жидкостью и пропускание через нее газа, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности обработки и качества обработки пластин, к пластинам прикладывают низкочастотные колебания и сообщают им вращение в горизонтальной и возвратно-поступательное движение в вертикальной плоскости, перед пропусканием через рабочую жидкость газ нагревают до температуры ее кипения, затем после полной десорбции примесей с пластин вытесняют рабочую жидкость потоком воды и продолжают ее подачу до полной отмывки пластин, после чего повышают давление газа для вытеснения воды и производят его подачу до...