H01L 21/306 — обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление

Номер патента: 1051621

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Елисеев, Панкратов

МПК: H01L 21/306, H01L 21/68

Метки: защитный, экран

...были опробованы защитные свойства приспособлений с углами с 6 от 0 до 120 . Исследования показали, что травитель практически не проникает за пределы области касания приспособления со структурой, при е от 8 до 90 . Это можно объяснить следующим образом, используя фиг,2, на которой показан момент, предшествующий проникновению травителя уа границу 4, На каплю травителя действуют сила поверхностного электрических характеристик полупроводниковых структур.Указанная цель достигается тем,что в защитном экране, преимущественно в устройствах для травлениябоковой поверхности полупроводниковых пластин, выполненном в виде шайбы с фаской по периметру, на рабочейповерхности шайбы выполнен паз, боковые стенки которого расположены 10 под углом 8-900 к...

Номер патента: 1089674

Опубликовано: 30.04.1984

Авторы: Колешко, Лапицкий, Мешков, Романовский

МПК: H01L 21/306

Метки: пластин, полупроводниковых

...и сливным 3 патрубками и рассекателем 4 потока жидкости, выполненнымв виде перфорированной пластины, Вванне размещены трубки 5 с отверстиями 6 для подачи газа и узел отводагаза из жидкости, выполненный в видетрубок 7 с отверстиями, расположенными аналогично отверстиям 6 трубок 5,но имеющим. большой диаметр, Трубки 5и 7 изогнуты по форме обрабатываемыхпластин 8 и образуют каналы 9 для ихразмещения при обработке, Трубки 5через регулятор 10 расхода газа соединены с источником 11 газа. Отверстия 6 в трубках 5 выполнены подуглом 10-30 в сторону канала 9, арадиус этих отверстий выполнен в-апределах 5О - 5 10 см.Способ очистки пластин осуществляют следующим образом,Через нагнетательный патрубок 2 в ванну 1 подают промывочную жидкость, часть...

Номер патента: 708877

Опубликовано: 23.06.1985

Авторы: Зайцев, Пинчук, Рюмшин

МПК: H01L 21/306

Метки: активации, полупроводниковых, раствор, структур

...кислоты с рН 1-6, инертные к полупроводниковым материалам и их окислам, и фтористый аммоний при следующем соотношении ингредиентов, мас. 7; 1 10 -5.1 КОт 0,5 донасыщения Ионы золотаФтористый аммонийВода деиониОстальное эованная В растворе отсутствует свободная плавиковая кислота, благодаря чему степень воздействия его на защитные окислы незначительна. Скорость снятия атмосферного окисла с поверхности полупроводников легко регулируется количеством добавляемой кислоты, Поскольку каталитически активные центры на поверхности полупроводникового материала в процессе активации возникают при непосредственном (контактном) восстановлении ионов золота атомами полупроводника, использование окисляющих кислот нежелательно. Кислоты должны быть...

Номер патента: 1257730

Опубликовано: 15.09.1986

Авторы: Немировский, Николаев, Новицкий, Соломатин

МПК: H01L 21/306

Метки: жидкостной, пластин, полупроводниковых

...при химической и электрохимической обработкеполупроводниковых или иных пластин,например для травления, анодногоокисления, получения слоев пористого кремния и т.д,Цель изобретения - повышение ка 0чества полупроводниковых пластин путем защиты необрабатываемой стороныот попадания обрабатывающей жидкости.На фиг,1 схематически изображеноустройство, разрез, на фиг.2 - тожев рабочем положении.15Устройство содержит держатель полупроводниковой пластины в виде стакана 1, на дне которого имеется опорный выступ 2, уплотнительный элементвыполняемый в виде эластичной герметичной камеры 3, размещенной на стенках стакана 1, полость которой снабжена патрубком ч для напуска сжатогогаза, трубку 5 и электрический кон 25такгный элемент б с проводником...

Номер патента: 1074327

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Бакланов, Колесникова, Репинский, Свешникова

МПК: H01L 21/306

Метки: кремния, травитель

...скорости травлениякремния.При Се6 Е в области темпераотур 35-40 С увеличивается скоростьразложения дифторида ксенона и процесс становится нестабильным.П р и м е р. Раствор травителяготовят растворением навесок дифторида ксенона в ацетонитриле. Определение времени разложения дифторидаксенона и травление монокристалловкремния проводят в тефлоновом реакторе при непрерывном перемешиваниираствора травителя. Температуру травителя задают и поддерживают постоянной с помощью ультратермостата И.Определение времени разложения днфторида ксенона проводят периодическим титрованием проб раствора иодометрическнм методом.В таблице приведены времена полуразложения дифторида ксенона (с, ),растворенного в воде и ацетонитриле.Как видно из таблицы, растворы...

Номер патента: 1135382

Опубликовано: 15.10.1986

Авторы: Лазарев, Луфт, Хусид, Яссен

МПК: H01L 21/306

Метки: антимонида, галия, монокристаллов, основе, полирования, прецизионного, растворов, твердых, травитель, химического

...и 457-ного ра 40створа плавиковой кислоты НР при соотношениях компонентов, указанных впримерах 1-5. Используются реактивы .марок ОСЧ или ХЧ (молочная кислота)и деионизованная вода марки АТравление поверхности монокристал 45лов СаЯЬ.Образец, например монокристаллическую пластину СаЯЬ ориентации100) или 111 В толщиной 400 -600 мкм, предварительно подвергнутую химико-механическому полированию (ХМП), очищают от поверхностныхзагрязнений, помещают во фторопластовую кассету и подвергают химико-динамическому полированию вначале в55 известном составе травителя (1) или(2) с большой скоростью травления35382 43 мин; обработка в концентрированной НГ - 5 мин, промывка в воде2-3 мин, сушка в центрифуге - 2 мин.Такая последовательная обработкапри...

Номер патента: 1127477

Опубликовано: 15.10.1986

Авторы: Герасимова, Луфт, Хусид, Яссен

МПК: H01L 21/306

Метки: галлия, монокристаллов, полирования, травитель, фосфида, химического

...концентрированФ55ных азотной и соляной кислот повсей вероятности, уксусная кислотавзаимодействует с активным хлором,образующимся в смесях концентрирован 477 3 ных НС 1 и НБО с образованием хлор 3уксусной кислоты, являющейся более сильной кислотой и лучшим комплексантом по отношению ко многим ионам металлов, .чем уксусная кислота. Это способствует лучшему отводу продуктовреакции окисления фосфида галлия в системе Низ -НС 1 - СН СООН, а следовательно; и повышению полирующей способности предлагаемых составов травителей (по сравнению с прототипом);лучшее по сравнению с прототипомкачество поверхности полированных пластин, особенно монокристаллических пластин, изготовленных из высоколегированных образцов Р - СаР;получение гладкой зеркальной...

Номер патента: 1424072

Опубликовано: 15.09.1988

Авторы: Быков, Колесник, Сотников, Сотникова

МПК: H01L 21/306

Метки: кремния, поверхности

...и подают окислитель - озонкислородную смесь через устройство, выполненное иэ фто" ропласта с размером отверстий 0,1" 0,5 мм, с количеством отверстий не менее 500, со скоростью 6-8 л/мин в течение 5-10 мин. При этом значение рН раствора поддерживается близким к 10,5, а концентрация озона в окислительной смеси 6 Х. Затем пластины отмывают в деионизованной воде барботируемой озонкислородной смесью при параметрах технологического процесса.П р и м е р 2. В ванну наливают деионизованную воду и нагревают до 45 о55 С. Помещают пластины кремния в воду и начинают процесс перемешивания посредством барботиронания аммиак- азотной смеси со скоростью 3-5 л/мин (рН раствора 11,0) и окислительной озонкислородной смеси со скоростью 1-9 л/мин с...

Номер патента: 1436775

Опубликовано: 30.12.1990

Авторы: Гончаров, Деев, Скуратовский

МПК: H01L 21/306

Метки: жидкостного, пластин, полупроводниковых, травления

...сторон. 10Цель изобретения - повышение процента выхода годных кристаллов интегральных схем за счет исключенияпод;равливация рабочих сторон плас- итиц. 15В предлагаемом способе полупроводниковые пластинысовмещают попарнорабочими поверхностями, на которьксформированы интегральные схемы,После заполнения зазоров деионизован ной водой пластины охлаждают до температуры замерзания деионизованнойводы, Благодаря наличию слоя льдамежду совмещенными попарно полупроводниковыми пластинами и поддержа".нию температуры жидкого травителяниже 0 С при травлении обратных сторон полупроводниковых пластин рабочие стороны закрыты. от проникновения между ними жидкого травителя, аэкэотермическая реакция, возникающаяпосле окунания полупроводниковыхпластин...

Номер патента: 1623498

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Журавлев, Микертумянц, Сазонов, Северцев

МПК: H01L 21/306

Метки: загрязнения, ионов, поверхности, полупроводниковых, структур, удаления

...предварительно заменив катионоселективные мембраны анионоселективными и осуществив переплюсовку, т. е. приложив к структуре отрицательный потенциал, а на электроды - положительный.В устройстве достигается значительная экономия воды эа счет того, что один и тот же объем деионизованной воды можно использовать многократно при сохранениивысокого качества очистки полупроводниковой структуры, так как ионы загрязнения в процессе очистки непрерывно выводятся из отмывочного раствора и его чистота в процессе очистки не ухудшается,Одновременно в устройстве обеспечивается и экономия электроэнергии, так как наличие мембраны между электродами позволяет приблизить их друг к другу. Воэможность уменьшить расстояние между электродами в устройстве...

Номер патента: 1755334

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Арро, Донцова

МПК: H01L 21/306

Метки: контролируемого, корпусов, растворения, эпоксидных

...корпусов при сохраненииметэллиэации.Для реализации способа используюткассету, которую изготавливают из фторопласта, состоящего из пяти частей; верхняячасть кассеты, нижняя часть кассеты, средняя часть кассеты, держатель и крепежныйвинт, В верхней части кассетырасйоложеноквадратное отверстие на том месте над кристаллом, где пластмассу необходимо локально растворить. В средней части кассетырасположены углубление, соответствующеепо форме и размерам корпусу, и щели дляметаллических выводов (ножек), Щели посвоей форме и размерам в средней и нижней частях, или только в средней в случаекоротких выводов, кассеты должны точносоответствовать длине и наклону вйводов.Щели в нижней части кассеты не должныбыть сквозными.Все три части плотно...

Номер патента: 1669337

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Мироненко, Налькина, Нестеров, Хрящев

МПК: H01L 21/306

Метки: антимонида, индия, полирования, приготовления, раствора

...супермедленным трввителем состава МВТВК1:50 по приведеннойвыше методике в течение 30, 60, 90 с.Часть образцов, облученных той аедозой, обработана при соОтношенииМВТ ; ВК " 1:100 в течение 2 н 3 мин.Результаты определения средней скорости травления сведены в таблицу,-раздел 111.Пример 4, В раздел 1 Ч таблицы сведены результаты по определению средней скорости травления присоотношении МВТ : ВК = 1:100 образцов внтимонида индия, нмплантированных большей дозой ионов магния,Из сравнения результатов разделов111 и 1 Ч таблицы видно, что даае приодинаковых степени разбавления и времени травления на скорости травлениясказывается степеньарушения струк-туры материала при р.зпичных дозахоблучения. Из результатов т;блицы следует, что...

Номер патента: 1282765

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Андреев, Березная, Воеводин, Грибенюков

МПК: H01L 21/306

Метки: диарсенида, кадмия-германия

...раствор винной кислоты Применание НОО Н О Поверхность сероГо цвета; слаборастворяются вторые фазы и окислы,материал не растворяется Поверхность серого цвета; слаборастворяются вторые фазы и окислы;материал очень слабо растворяется 2Появляется блеск на поверхности,растворяются вторые фазы и окислы;очень слабое растворение материала Поверхность блестящая; быстрое растворение вторых фаэ и окислов, слабое растворение материала Травление вторых фаэ, окислов и материала; слиток разваливается наблоки 1Увеличение содержания азотнойкислоты приводит к пассивации поверхности и реакция не идет, Изменениесодержания винной кислоты в сторонуувеличения приводит к увеличению скорости реакции;,при введении в раствортрех частей кислоты реакция становится...

Номер патента: 1807533

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Терентьев, Яфаров

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, окисным, плазменного, слоем, собственным, травления

...бездефектную обработку поверхности баде, В реалзных случаях знертии ионов е условиях деФицита ) а химического реагента при низких давлениях недостаточно для травления, так как поверхность покрыта слоем собственного окисла, Для его удаления необходимо или увеличивать энергию ионов для физического распыления окисла, или вводить в рабочий газ восстановитель.Состав газа для травления бэАз и егоокисла различается. Скорость травлениябаАз коррелирует с содержанием в плазмеатомарного хлора, тода кэк удаление собственного окисла зависит от содержания вос 5становителя, например, в виде углерода,Восстановление окисного слоя углеродомуменьшает порог энергетичного травлениябаАз, однако скорость травления может снизиться при неправильном...

Номер патента: 1817867

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Головнин, Джуманова, Рифтин, Тихонов, Церфас

МПК: H01L 21/306

Метки: диодов, полупроводниковых

...при получении диодов средней ибол . эй мощности,После соэд.ния р-и перехода путемдиффузии влюмии.,:я, бора и фосфора иа соответствуюшие стороны пластины на ее поверхность осаждают никель, Химическоеосаждение никеля с отжигом 1-.го слоя притемпературе 600-700 С в среде водородаповторяют 2-3 раза для получения качественного омического контакта, На никелированные пластины, наносят рисунок иэ слояфоторезиста с помощью фотолитографического процесса, Слой фотореэиста наносятв местных промежутков между полупроводниковыми структурами диодов. На свобод ные от фотореэиста области наносятэлектрохимическим способом слой золота,толщиной 1 - 1,5 мкм, который выполняетфункции омического контакта и одновременно является маскирующим покрытиемпри...

Номер патента: 950113

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Гальцев, Глущенко, Грищук, Красножон

МПК: H01L 21/306

Метки: быстродействующих, структур, транзисторных

...Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 при температуре 940 С с последующей термической обработкой в среде сухого и увлажненного водяными парами кислорода ( 1150 С) формируют базовую область глубиной 4 мкм с маскирующим ее диэлектри ческим покрытием двуокиси кремния,Далее фотогравировкой вскрывают в слое 3102 окно, через которое загонкой фосфора из РСз при температуре 1050 С с последующей термической обработкой в 10 среде кислорода (т 1050 С) формируют внутри базовой облас.ги эмиттерную область глубиной3 мкм с диэлектрическим покрытием двуокиси кремния, легированной фосфором, 15После этого закрывают лицевую поверхность подложки со сформированными на ней базовыми эмиттерными...

Номер патента: 2002339

Опубликовано: 30.10.1993

Автор: Агриков

МПК: H01L 21/306

Метки: газообразного, плазменной, поверхности, струей, твердого, тела, теплоносителя

...управляемость процесса обусловлена также принципиальной невозможностью контролировать ряд параметров плазмы в пограничном слое изза ее неравновесности и неидеальности,Высокая энергоемкость процесса обусловлена тем, что потребляемая мощность, как правило, превышает 100 кВт.Низкая воспроизводимость результатов объясняется недостаточной управляемостью процесса,Изобретение направлено на решение задачи снижения энергоемкости безвакуумной плазменной обработки поверхности твердого тела для реализации термообработки на базе быстропротекающих тепловых процессов, очистки и активации поверхности, нейтрализации поверхностных зарядов, адсорбционно-гаэовой защиты поверхности, травления и нанесения покрытий,В предлагаемом способе плазменной...

Номер патента: 2003201

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Кулик, Павлов

МПК: H01L 21/306

Метки: плазмохимического, поверхности, твердого, тела, травления

...показывают, что время протекания гетерогенной реакции плазмо-химического травления при указанных условиях, существенно зависит от большого количества параметров и должна определяться при отработке конкретного процесса плаэмо-химического травления. Максимальное время воздействия мальная температура поверхности твердого тела при воздействии определяется условиями разрушения поверхности (например, началом ее плавления), либо условиями аморфизации приповерхностного слоя, либо недопустимым развитием рельефа поверхности при травлении и другими причинами. Эти условия определяются экспериментально, при разработке конкретного процесса травления. При известной максимально-допустимой температуре Тд поверхности твердого тела из конкретного...

Номер патента: 667011

Опубликовано: 30.11.1993

Автор: Черный

МПК: H01L 21/306

Метки: интегральных, схем

...пленки. разде-.., ных областей.:.:.:. ;-, . лительных канавок, прй:этом проиеходитДля точного определения момента.", йолная электрическая изоляция -Структур.окончания сошлифовки монокристалла на .,;Таким образом, глубина изолированных об: . фоторезисторной маске располагают окна .:;: ластей монокристалла определяется глуби- "под контрольные углублениятакой формы и З 0ной вытравлейного рельефа и не зависит отразмеров,:чтобы йри .травлении раздели- ": прогиба подложки.На:поверхности.вскры-тельныхканалов на заданную глубйну конт- :, :. той пластины: находятся изолированнйе об-.рольные углубления изготавливалйсь на , ласти, разделенвые промежутками окйсла,.номинальнуа глубину зз 4 егания.монокри : который образовался:при:окислении...

Номер патента: 1759183

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Гапоненко, Изидинов

МПК: H01L 21/306

Метки: кремния, регенерации, травителя

СПОСОБ РЕГЕНЕРАЦИИ ТРАВИТЕЛЯ ДЛЯ КРЕМНИЯ, включающий контроль состава отработанного травителя и восстановление исходной активности травителя путем введения в отработанный травитель добавок химических реагентов, отличающийся тем, что, с целью упрощения регенерации травителя из смеси плавиковой, азотной и уксусной кислот с объемным соотношением 1 : (6 - 17) : (1 - 3) и сокращения расхода реагентов, в качестве добавок химических реагентов используют смесь равных объемов перекиси водорода и плавиковой кислоты, причем количество этой смеси, достаточное для восстановления исходной активности единицы объема отработанного травителя данного исходного состава, устанавливают в предварительных экспериментах, связанных с определением общей массы...

Номер патента: 1228722

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Алейникова, Кислякова, Кондратьев, Сутырин, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H01L 21/306

Метки: акустических, волнах, поверхностных, резонаторов

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, включающий изготовление кристалла с топологией резонатора, монтаж кристалла в корпус и подстройку центральной частоты резонатора путем обработки в ВЧ-плазме, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных резонаторов, за счет улучшения воспроизводимости обработки в плазме и улучшения долговременной стабильности резонаторов, обработку проводят в ВЧ-плазме нейтрального газа.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что обработку проводят в плазме аргона при давлении аргона 13,3 - 26,6 Па, в течение 120 - 600 с, причем в зависимости от требуемой величины подстройки время обработки определяется какt=

Номер патента: 749293

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Булгаков, Косоплеткин, Красножон, Толстых

МПК: H01L 21/306

Метки: двуокиси, ионно-химического, кремния, нитрида, травления

СПОСОБ ИОННО-ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ДВУОКИСИ И НИТРИДА КРЕМНИЯ в потоке фторсодержащих ионов и электронов, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности травления по отношению к кремнию, травление проводят в потоке положительных ионов фтористого водорода и продуктов диссоциации аммиака.

Номер патента: 1364142

Опубликовано: 15.07.1994

Авторы: Енишерлова-Вельяшева, Иноземцев, Русак

МПК: H01L 21/306

Метки: iii», выявления, кремния, микродефектов, ориентацией

СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ МИКРОДЕФЕКТОВ КРЕМНИЯ С ОРИЕНТАЦИЕЙ (III), включающий травление в кипящем травителе, содержащем фтористый водород, хромовый ангидрид и воду, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей способа в части выявления микродефектов типа кластеров точечных дефектов, преципитатов, деслокационных петель в приповерхностных слоях кремниевых пластин глубиной до 10 мкм и эпитаксиальных структур с ориентацией (III), травление проводят при следующем количественном соотношении компонентов травителя, мас.%:Фтористый водород 1 - 2Хромовый ангидрид 1 - 10Вода 88 - 98причем время травления составляет от 2 до 5 мин.

Номер патента: 1766214

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Валеев, Железнов, Красников, Кузнецов, Лезгян, Наливайко

МПК: H01L 21/306

Метки: интегральных, рельефа, сглаженного, создания, схемах

1. СПОСОБ СОЗДАНИЯ СГЛАЖЕННОГО РЕЛЬЕФА В ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ, включающий формирование на полупроводниковой подложке с активным и пассивным элементами проводников различной ширины, нанесение диэлектрической пленки, формирование фоторезистивной маски с окнами над центральной частью проводников, травление диэлектрической пленки, удаление фоторезиста и формирование переходных контактных окон, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет упрощения и повышения воспроизводимости процесса сглаживания диэлектрика, наносят диэлектрическую пленку толщиной h 2,5 d, где d - толщина проводников, травление диэлектрической пленки проводят жидкостным методом на глубину,...

Номер патента: 1120880

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Говядинов, Григоришин, Кухновец, Сидоренко

МПК: H01L 21/306

Метки: мдм-структур, н-образной, характеристикой

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДМ-СТРУКТУР С N-ОБРАЗНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКОЙ, включающий формирование на алюминиевой пластине пористого диэлектрического слоя, электролитическое осаждение металла в поры, напыление контактного электрода, отличающийся тем, что, с целью повышения качества МДМ-структур за счет исключения возможности образования мостов проводимости, перед осаждением металла в поры дополнительно образуют барьерный слой в нерастворяющем электролите, причем потенциал анодирования в нем должен превышать амплитуду переменного напряжения осаждения металла на величину 0 < U 4B.

Номер патента: 1814439

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Алиев, Бакланов, Бухтияров

МПК: H01L 21/306

Метки: кремния, поверхности

...Т=550 ОСдля практически полной десорбции насыщенного хемосорбционного слоя требуется22 с, при Т=600 ОС требуется 8 сХотя после полного удаления хемосорбционного слоя на поверхности отсутствуют какие-либо загрязнения, поверхность аморфизирована(данные ДМЭ -дифракции медленных электронов). Очевидно, аморфный слой образуется в результате реакции диспропорционирования, протекающей между низшими фторидами кремния при десорб.ции хемосорбционного слоя, и поэтому толщина его не.должна превышать одного монослоя кремния. Действительно, прогревповерхности кремния при 750 С в течение 2 мин приводит к появлению рефлексов (З (100). структура (2 х 1), Е,=93 эв).Предлагаемый способ очистки поверх-.ности кремния реализуется следующим образом.П р и м е р...

Номер патента: 1822299

Опубликовано: 20.05.1995

Авторы: Гапоненко, Изидинов

МПК: H01L 21/306

Метки: кремниевых, травления

СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ИЗДЕЛИЙ, включающий приготовление смеси плавиковой, азотной и уксусной кислоты, взятых в заданном соотношении объемов, охлаждение полученного травителя, предварительное определение скорости травления кремния в травителе данного состава и последующую обработку кремниевых изделий в том же травителе в течение времени, необходимого для стравливания кремния на заданную глубину, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости глубины травления за счет создания условий самопрекращения процесса травления, объемное соотношение перечисленных кислот в травителе выбирают соответствующим 1:(6-17):(1-3), на стадии предварительного определения скорости травления дополнительно устанавливают удельный объем травителя,...

Номер патента: 1277840

Опубликовано: 27.06.1995

Авторы: Прохоров, Романова, Янсон

МПК: H01L 21/306

Метки: кремниевых, подложках, положения, полупроводниковых, скрытых, слоев, слоем, формы, эпитаксиальным

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛОЖЕНИЯ И ФОРМЫ СКРЫТЫХ СЛОЕВ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖКАХ С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ, включающий химическую обработку, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, повышения точности и увеличения используемой площади кристалла, химическую обработку проводят путем анодирования поверхности до образования окрашенных слоев пористого кремния или двуокиси кремния, по разности окраски которых определяют проекцию скрытых слоев на поверхность эпитаксиального слоя.

Номер патента: 1653484

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Будянский, Гомжин, Ефремов, Лебедев, Покроев

МПК: H01L 21/306

Метки: плазмохимического, пленок, удаления, фоторезиста

СПОСОБ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО УДАЛЕНИЯ ПЛЕНОК ФОТОРЕЗИСТА с образцов, имеющих диэлектрические слои, включающий непрерывный напуск рабочего газа и откачку продуктов реакции, активацию потока рабочего газа плазмой ВЧ-разряда, отделение зоны активации газа от зоны обработки образца, размещение образца в зоне обработки в потоке активированного разрядом газа и удаление полимерной фоторезистивной пленки под действием химически активных частиц, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годной продукции путем сокращения числа электростатических пробоев тонких диэлектрических слоев обрабатываемых изделий, определяют напряжение пробоя диэлектрического слоя V* и в процессе удаления фоторезиста контролируют потенциал плазмы в зоне...

Номер патента: 1228720

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Козин, Хасков, Чистякова

МПК: H01L 21/306

Метки: кремниевых, рельефных, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЛЬЕФНЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР, включающий создание на кремниевой пластине защитной пленки окисла кремния, полное удаление пленки и локальное уменьшение ее толщины в областях структур, в которых травление пластины проводится на максимальную глубину и на глубину заданного рельефа, и обработку пластины в травителях, отличающийся тем, что, с целью повышения точности рельефа структур, защитную пленку окисла кремния наносят толщинойв областях структур, в которых травление пластины проводится на глубины заданного рельефа, пленку окисла кремния уменьшают до толщин, определяемых из соотношения