Способ определения микродефектов в монокристаллах
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
СОЮЗ СОВЕТСОЦИАЛИСТИЧРЕСПУБЛИК ИХ Я А 504001 Я 23 ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЗ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(54) СПОСОВ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ВВРОДЕфЕКТОВ В ИОНОКРИСТАЛЛАХ(57) Изобретение относится к области определения реальной структуры моно- кристаллов и физическому материаловедению и моает быть использовано для определения количественных характеристик микродефектов в объеме, исследуемого монокристалла , а именно их концентрации, типа н размеров. Способ реализуется нв двухкристальнойрентгенотопбграфической установке.Исследуемый монокристалл облуМаютпучком рентгеновских лучей, коллимироввнным при асимметричном отрааенииот кристалла-монохромвтора. Монокристалл отклоняют от полоаения, соответствующего максимуму кривой отрмения,на угол 1 у60/Е 2 (е+2 Й)-1 ф,где 6 9 - полуаиринв динамическойкривой отрааения исследуемого крас .талла; й - толцина кристалла; Еглубина рвсполоаения исследуеваюх дефектов. Такое отклонение кристаллапозволяет осуществить интерфереицивроаденных при рассеянии нв дефектеволн с опорными волнами идеальногокристалла и получить интерфереиционное изобравение дефекта. 1 ил.1322796 4где ьй - лолущирина динами вской кривой отракения исследуемогомонокристалпа;С - толщина монокристдлла. исследуемых дефектов монокристаллотклоняют на угол а 9 Ге+к Ч" ( - -) ф - 1 1-гСоставитель Т.ВладимироваТехред М.Дидык 1. Корректор В.Бутяга Редактор Б.федотов Ъ Тираа 847 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам иэобретеиий и открытий 113035, Иосква, 1-35, Рауаская яаб., д. 4/5
СмотретьЗаявка
3965920, 29.07.1985
ИНСТИТУТ КРИСТАЛЛОГРАФИИ ИМ. А. В. ШУБНИКОВА
ИНДЕНБОМ В. Л, КАГАНЕР В. М
МПК / Метки
МПК: G01N 23/20
Метки: микродефектов, монокристаллах
Опубликовано: 23.05.1988
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1322796-sposob-opredeleniya-mikrodefektov-v-monokristallakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения микродефектов в монокристаллах</a>
Предыдущий патент: Способ переработки анодных осадков электролитического рафинирования алюминия
Следующий патент: Способ определения микродефектов в монокристаллах
Случайный патент: Машина для стыковки над приямками раструбных труб