Устройство для определения параметров кристаллической решетки твердых тел

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИН 343 О 84С 01 И 23 П 0 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИИ(71) Харьков ский го судар ств енный университет им. А.М. Горького (72) В.В. Воробьев, М.Я Крупоткин и В.А. Финкель(56) Аго 11 М. Мц 1 хрцгрояе пецегопЙНгасхоп хпя 1 гцшепадопя.-Мцс 1.1 пяйг. МегЬойя. Ч. 35, 9 1, 1965,13-33.Зопея Е. 3., Таппег В.К. А йоцЪ 1 е ахдя Х-гау.Й 1 Нгасйоше 1:ег Йог шаяпегояйг 1 сдоп шеаяцгешепгя.-З. Раув. Е Бс. 1 пягцшепя, 1980, 7. 13, Р 11, 1183-1188.) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАОВ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКИ ТВЕР МЕТР ДЫХ ТЕЛ (57) Изобретение относится к устройствам для определения параметров кристаллической решетки, используемых при рентгеноструктурном анализе твердых тел в магнитном поле, Цель изобретения - повышение точности измерения параметров кристаллической решетки твердых тел за счет увеличения допустимых углов.дифракции при азимутальном вращении магнитного поля относительно горизонтальной оси, перпендикулярной отражающей поверхности образца. Устройство содержит С- Я образный сердечник 1 с обмотками 2, подсоединенными к блоку питания, и держатель образца 3, помещаемый в отверстие, выполненное в центральной Ъ па части сердечника. Поворот магнита относительно образца осуществляется прижимной планкой 4 и посадочным кольцом 5 с отверстиями по периметру, за-,/крепленным на гониометре рентгеновского диФрактометра. 1 ил,1430841 Параметры кристаллической решетки определялись е относительной точностью не хуже 210 А. Формула изобретения Составитель О. Алешко-,ОжевскийРедактор Н. Киштулинец Техред М,Дидык Корректор О, Кравцова Заказ 533645 Тираж 847 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к физикетвердого тела, в частности к устройствам для определения параметровкристаллической решетки, используемых 5при рентгеноструктурном анализе твердых тел в магнитном поле..Цель изобретения - увеличение точности определения параметров кристаллической решетки образца за счет увелияения допустимых углов дифракциипри вращении магнитного поля относительно горизонтальной оси, перпендикулярной отражающей поверхности об"разца. 15На чертеже изображена конструкцияустройства.Устройство содержит С-образныйсердечник 1 с обмотками 2, подсоединенными к блоку питания, держатель 20образца 3, помещаемый в отверстие,выполненное в центральной части сердечника 1, прижимную планку 4, фиксирующую магнит относительно образцаи жестко соединенную с сердечником 251, посадочное кольцо 5, закрепленноена гониометре дифрактометра.Устройство работает следующим образом.В центральное отверстие посадочного кольца 5 вставляется цанговыйдержатель с образцом 3, прикрепленным к держателю. Затем к посадочномукольцу с помощью винтов прикрепляетсяпланка с магнитом. Положение магнита относительно образца изменяется поворотом планки в определенное положе-.ние.С-образный сердечник выполнен изармкожелеза (с зазором между полюсами 7 мм). Симметричные обмотки выполнены из медной проволоки типа ПЭВТЛ,3 мм. Планка и посадочное кольцо выполнены из латуни. По периметру кольцао сделаны отверстия через каждые 15 Цанговый держатель также выполнен из латуни. Описанное выше приспособление помещалось на гониометр дифрактометра ДРОН - 2,0.С помощью этого устройства проведено исследование монокристаллов Р в магнитных полях с однородностью в рабочей зоне не хуже 10 Э.Поле определялось с точностью до 5 Э и плавно варьировалось от 0 до 1 кЭ,Устройство для определения, параметров кристаллической решетки твердых тел, включающее рентгеновский дифрактометр с электромагнитом С-образной формы, выполненного с возможностью поворота относительно образца, и держателем образца, о т л ич а ю щ е е с я тем, что, с целью увеличения точности определения пара" метров кристаллической решетки образца эа счет увеличения допустимых углов дифракции при вращении магнитного поля относительно горизонтальной оси, перпендикулярной отражающей поверхности образца, электромагнит укреплен на держателе с возможностью независимого от образца поворота вокруг, упомянутой горизонтальной оси и установлен так, что. его полюса не выходят за плоскость отражающей поверхности образца.