C30B 29/22 — сложные оксиды

Номер патента: 1253182

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Асланов, Коваленко, Промоскаль, Скоробогатов

МПК: C30B 15/10, C30B 29/22

Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, тугоплавких

...водоохлаждаемого индуктора 5 с помощьютраверс 8 устанавливают тигель 7, боковая часть которого выполнена в виде многогранной призмы, грани кото"рой представляют собой набор из нескольких пластин, установленных сзазором параллельно друг другу ипоследовательно соединенных, а донная его часть выполнена иэ секций,установленгак с зазором относителнно друг друга, Тигель 7 устанавливают так, чтобы его кромка находи"лась на одном уровне с кромкой верхнего витка индуктара 5. Объем тигля7 и дополнительный объем между,тиглем и индуктором 5 заполняется ис"ходным порошкообразным сырьем, Ьункер 9 заполняется сырьем тогО жесостава. Увеличением мощности, под3водимой от источника б индукционного нагрева к индуктору 5, повышает ся температура тигля 7...

Номер патента: 1496332

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Асланов, Коваленко, Промоскаль

МПК: C30B 15/10, C30B 29/22

Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, тугоплавких

...Промоскаль Изобретение относится к техноложбы тигля,эана схема устройция монокристаллов ов, на фиг. 2 горизонтальный - разрез А-А на во включает герметичнуюток 2 для вытягиваниялов, имеющий возможност вертикального вращения и перемеще ния (механизмы вращения и перемещ нйя не показаны), затравку Э, пр соединенную к штоку, иа которую в тягивают монокристалл 4, ицдуктор ехацизмом 10 подачи сырьщую трубу 11 . 2 (фиг. 2) вь гогранной призмь состоят из неско установленных с о друг другу и п иненных. К месту ей пластины с по й в каждой гран дополнительная149Устройство работает следующим образом.В герметичной камере 1 внутри ицдуктора 5 неподвижно устанавливают тигель 7 с помощью траверс 8. Объем тигля 7 и дополнительный объем между...

Номер патента: 1457463

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Асланов, Балакирев, Коваленко, Промоскаль, Стрювер

МПК: C30B 11/00, C30B 29/22

Метки: выращивания, кристаллов, оксидов, сложных

...в центре, Надотверстием устанавливают трубу 11,служащую для подачи сырья иэ бункераПлавным увеличением мощности падвадимой от источника 12 идукционног(1нагрева к идукгарушихту нягре,вают и доводят пО расплавления, Необходимый уровень расплава получаютпутем дополнительной подачи шихтыиз бункера 7.После наплавления трубу11 отводят в сторону, доводят -асплавда температуры затравленил,. Онускаот .в него вращаощуюся затравку 9 и прова"дят затравление. Плавным изменением скорости опускания тигля 3 в пределах0,02-0,2 мм/ч по зависимости, представленной на фиг. 2, асущестнлиотразращиванне кристалла да заданногопоперечного размера (примерно 35 мм),После раэращивания коррекцию поперечного размера кристалла осуществляют изменением...

Номер патента: 1123326

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Асланов, Коваленко, Промоскаль, Скоробогатов, Стрювер

МПК: C30B 15/10, C30B 29/22

Метки: выращивания, монокристаллов

...электромагнитного поля в придонной части тигля, как 25и в приведенном аналоге, значительноослабляется путем взаимодействияэлектромагнитных полей, создаваемыхтоками, протекающими в индукторе идне тигля, Величина индукционноготока, протекающего в верхней частитигля, по сравнению с нижней, будетзначительно выше, что и приводит кее перегреву и, как следствие, куменьшению эффективности конвекциив расплаве. Это влечет за собойуменьшение передачи тепла от тигляк расплаву за счет конвективного механизма и разрушения тигля в процессе выращивания, начинающееся в еговерхней части.Целью изобретения является повышение надежности устройства за счетувеличения срока службы тигля.Поставленная цель достигается тем,что в устройстве для выращивания...

Номер патента: 1228526

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Дубовик, Назаренко

МПК: C30B 15/14, C30B 29/22

Метки: выращивания, монокристаллов, оксидов, расплава, сложных

...1 б в керамическом диске 15, после че.о привод вытягивающего механизма отключают. В камере 7 охлаждения монокристалл 20 выдерживают 2 ч, затем охлаждают до комнатной температуры со скоростью 50 Кч, а в области температур, в которой существует аномалия термического расширения кристаллов лантангаллиевого силиката (850- 700 К), со скоростью ЭО К/ч.При этом платиновый экран 10,крышка 17 и керамические экраны 8, 9 прорези 11, выполненные в экране 8, а также удаленный верхний виток, на указанное расстояние обеспечивают выравнивание теплового поля в камере 7 охлаждения, повышают ее инерционность при охлажчденни и обеспечивают линейный температурный градиент по длине кристалла в области аномалии термического расширения 3 град/см.Для...

Номер патента: 1658668

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Адонкин, Данько, Калашников, Катрич, Качала, Мирошников

МПК: C30B 11/00, C30B 13/00, C30B 15/00 ...

Метки: выращивания, монокристаллов, оксидов, тугоплавких

...паров воды (более 3:10 мг нэ 1 дм) приводит к увеличению расхода вольфрама и молибдена и загрязнению кристаллаэ этими примесями.Аналогично связывается кислород, десорбирооэнный с поверхности.экраноо и нагревателя, Дальнейшее пооьииение температуры не приводит к каким-либо процессам, способным вызвать мзссоперенос молибдена и оольфрэма в зону нагреоа.В процессе плавления оксида алюминия и его кристаллизации при указанных выше давлениях сколько-нибудь заметной реакции между расппэоом и компонентами газовой середы не установлено. Таким образом, проведение кристаллизации о защитной восстановительной а 1 мосфере/ состоящей иэ Лг, И 2 и СО, в отличие от вакуума ипи атмосферы инертного гзэз (зргона) полностью ликвидирует процесс...

Номер патента: 904347

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Асланов, Скоробогатов, Стрювер

МПК: C30B 15/12, C30B 29/22

Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, основе, сложных

...механизма 10 подачи через трубку 11. В процессе подачи шихты образуется слой гарнисажа 15,удерживающий образовавшийся расплав,Различный перегрев расплава определяет эффективность его очистки. Перегревниже 100 С не дает существенного эффектапо очистке сырья и улучшает качество кристаллов незначительно,Перегрев в сторону более высоких тем 10 ператур, свыше 150 ОС, ограничивается температурой плавления материала тигля.Поэтому можно считать предлагаемый диапазон перегрева расплава оптимальным,П р и м е р. Выращивают монокристалл15 УЗА 5-012:Иб, Общий вес загрузки исходного сырья при этом составляет 4200 г.После получения заданного уровня расплава увеличением мощности йсточника индукционного нагрева уменьшают толщину20 слоя гарнисажа...

Номер патента: 1816812

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Ананьев, Дроздова, Дунин-Барковский, Кожбахтеев, Коляго, Рез, Шувалов

МПК: C30B 29/22, C30B 7/10

Метки: висмута, гидротермального, группы, оксида, сложного, элемента

...системы с нитратом висмутом, Процесс синтеза ведут при температуре 50-120 С, помещая в стеклянный или фторопластовый сосуд шихту, залитую дистиллированой водой. Время синтеза 12 - 24 часа.Сущность изобретениячто введение в шихта висмутта, а не оксида, позволяет ованной воде, при атмосфернои при мягкой температуре -Как видно из табл. 1, до 50 С выход вещества очень низок, в интервале 80- 100 С он резко возрастает, далее поднимаясь при 110 - 120 С практически на один уровень. Однако; дальнейшее повышение температуры приводит к необходимости применять дорогостоящую автоклавную аппаратуру, что экономически нецелесообразно,В табл. 2 приведены примеры получения кислородных соединений висмута с элементами Ч группы. Это эвлитин В 49 зОг,...

Номер патента: 1838457

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Клейнман, Косяченко, Стефанович, Трунов, Хамаганова

МПК: C30B 29/22, C30B 9/06

Метки: бария-редкоземельного, бората, двойного, монокристаллов, соединения, элемента

...сдвинуты из плоскости, вкоторой расположены анионы кислорода, что создает электрические диполи, ориентированные вдоль гексагональной оси. Этой особенности кристаллической структуры отвечает существование у кристаллов сегнетоэлектрических и связанных с ними пироэлектрических, пьезоэлектрических и нелинейно-оптических свойств.Квадратичная оптическая восприимчи вость кристаллов ВазУЬ(ВОз)з определяласьметодом генерации второй оптической гармоники на порошковых препаратах разной степени дисперсности согласно, Измерения проводились с помощью лазера на иттрий алюминиевом гранате, активированномионами неодима Я=1,0 б 4 мкм) в режиме модулированной добротности по схеме "на отражение" по отношению к эталонному препарату а-кварца...

Номер патента: 1515789

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Космына, Машков, Прокопович, Семиноженко

МПК: C30B 29/22, C30B 9/06

Метки: выращивания, высокотемпературных, монокристаллов, основе, сверхпроводящих

...отношение размеров кристаллов вдоль оси с и размерам вдоль оси а составляет 0.16. а для предлагаемого способа 0.9.Параметры монокриствллов 40 45 50 УВаэ хЗгСоэОт-д.НоВаэ.хЗгСцзОт-д оптимальны (температура сверхпроводящего перехода - Тс соответственно равна 85 и 80 К) и получены беэ дополнительной термообработки. Ширина сверхпроводящего переРазмеры монокристаллов составляют0,7 х 0,7 х 0,6 мм, вдоль направления оси с размер составляет 0,6 мм, отношение размеров вдоль оси с к размеру вдоль оси а составляет 0,86.П р и м е р 3, Выращивание монокристаллов 08 аг-хЗгхСозОт-д.8 платиновый цилиндрический тигельдиаметром 60 мм загружают исходные ве щества в количестве, г: б 20 з 53,15; ВаСОз96,94; ЗгСОз 21,66: СцО 78,25; что соответствует...

Номер патента: 1522792

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Воронов, Космына, Машков, Некрасов, Прокопович, Семиноженко

МПК: C30B 29/22, C30B 9/06

Метки: выращивания, высокотемпературных, монокристаллов, основе, сверхпроводящих

..."РИФ", Нагревают со скоростью 80 С/ч до 1280 С, при этом шихтурасплавляют и расплав выдерживают 10 чдля полной гомогенизации, затем охлаждают со скоростью 3 С/ч до 1140 С и далееохлаждают со скоростью100 С/ч до комнатной температуры. Монокристаллы отделяют от застывшего расплава механическимпутем. Размеры монокристаллов 0,7 х 0,7 хх 0,3 мм, 2,3 х 2,3 х 0,4 мм. Выход монокристаллов составляет 7,6/ что намного превосходит выход кристаллов поспособу-прототипу ( 1 ).П р и м е р 3. Выращивание монокристаллов Мб Ва 2 Сц 07 - д.В платиновый цилиндрический тигельдиаметром 60 мм загружают исходные вещества в количестве, г; Кб 20 з 39,08; ВаСОз99,28; СцО 61,64, что соответствуетс оста ву, м ол, /,: 75 М б В а 2 С оз 07-4,25 (0,5 ВаО - СцО).Тигель...

Номер патента: 1526290

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Воронов, Космына, Некрасов, Семиноженко, Ткаченко

МПК: C30B 29/22, C30B 9/06

Метки: высокотемпературного, сверхпроводящего

...материала с высокой плотностью. При этом обеспечивается увеличение размеров материала за счет разращивания слоя по диаметру и толщине, Материал представляет собой монолитную массу, состоящую из кристаллов размерами 30-50 мкм, которая в целом обладает сверхпроводящими свойствами, Концентрация основного вещества в материале составляет 95-97.Прекращение процесса кристаллизации при 1200-1210 С и извлечение материала из расплава (слой, образованный на поверхности, еще не примерз к стенкам тигля) обеспечивает целостность размеров поликристаллического материала, так как при этом исключается операция выбивания и отделения этого слоя материала от застывшего раствора - расплава.Размеры поликристаллического слитка составляат: диаметр 15 мм,...

Номер патента: 1649852

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Бондарь, Бурачас, Горишний, Загвоздкин, Кривошеин, Литичевский, Пирогов, Рыжиков

МПК: C30B 11/00, C30B 29/22

Метки: германоэвлинита, наплавления, синтеза, шихты

...теплового поля и улучшает качество кристалла, а предотвращениеразрушения и продление срока эксплуатации платинового тигля снижает себестоимость кристалла;Скорость охлаждения до 970+70 С недолжна превышать 200 С/ч, так как дальнейшее увеличение скорости приводит к неравномерному затвердеванию расплава идеформации рабочего тигля, с другой стороны скорость менее 50 С/ч неоправданноувеличивает продолжительность процессаи, следовательно, его себестоимость.Скорость дальнейшего охлаждения должна быть не менее 200 С/ч, так как применьшей скорости возможно образование.метастабильных фаэ, и не более 600 С/ч,так как при большей скорости происходитместная закалка и появление хрупкости тигля.Наличие бункера позволяет производить весь процесс...

Номер патента: 1558052

Опубликовано: 15.01.1994

Авторы: Головей, Исаенко, Сафонов, Семенов

МПК: C30B 29/22, C30B 33/04

Метки: иодата, лития, монокристаллов

1. СПОСОБ ОБРАБОТКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИОДАТА ЛИТИЯ, включающий их -облучение, отличающийся тем, что, с целью снижения оптической плотности и повышения прозрачности монокристаллов в длинноволновой области спектра, облучение ведут до дозы поглощения 180 - 720 Гр.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью расширения спектрального диапазона в коротковолновую область, после -облучения дополнительно проводят облучение монокристаллов ультрафиолетовым светом длиной волны 270 - 300 нм интенсивностью 4 - 5 мВт/см2 в течение 2,5 - 3 ч.

Номер патента: 1723847

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Бабийчук, Космына, Некрасов

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: высокотемпературных, монокристаллов, сверхпроводников

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВ на основе сложных оксидов, включающий расплавление исходных компонентов в тигле, выдержку, кристаллизацию путем медленного охлаждения, отделение кристаллов и последующее быстрое охлаждение до комнатной температуры, отличающийся тем, что, с целью увеличения размеров кристаллов, их выхода и удобства извлечения, расплавление и кристаллизацию проводят в двойном тигле, внутренний из которых имеет отверстие в дне, отделение кристаллов ведут путем подъема внутреннего тигля со скоростью не более 3 мм/ч, после чего проводят быстрое охлаждение со скоростью не более 60oС/ч.

Номер патента: 778374

Опубликовано: 30.07.1994

Авторы: Миллер, Переляев, Швейкин

МПК: C30B 29/22, H01L 45/00

Метки: материал, переключающих, полупроводниковый, элементов

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИХ ЭЛЕМЕНТОВ, включающий монокристаллический диоксид ванадия, отличающийся тем, что, с целью повышения его устойчивости и надежности в работе, материал дополнительно содержит пятиокись ванадия в количестве 0 - 95 мас.% в виде поликристаллической матрицы, в которой размещены монокристаллы диоксида ванадия, ориентированные параллельно друг другу.

Номер патента: 1503346

Опубликовано: 30.11.1994

Авторы: Блистанов, Гераскин, Козлова, Портнов, Розин

МПК: C30B 29/22, C30B 7/02

Метки: выращивания, гексагональной, иодата, кристаллов, лития, модификации

1. СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИОДАТА ЛИТИЯ ГЕКСАГОНАЛЬНОЙ МОДИФИКАЦИИ, включающий приготовление водного раствора иодата лития и кристаллизацию на затравку Z-среза заданной формы изотермическим испарением раствора, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет уменьшения объема фантомной области кристалла, затравку берут прямоугольной формы, ограниченной по периметру гранями {1010} и {1120} с соотношением сторон по плоскости {1010} и {1120} не менее 1/ . .2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллов в виде пластин, затравку берут с соотношением сторон по плоскости {1010} и { 1120} более 1,5.

Номер патента: 1800858

Опубликовано: 20.03.1995

Авторы: Шибанова, Яковлев

МПК: C30B 29/22, C30B 33/02, C30B 9/12 ...

Метки: yba2cu3o7, высокотемпературных, монокристаллов, сверхпроводящих

...Тс. 90 К,ЬТс Я 0,5 К) без удорожания процесса(т,е. без замены корундовых тиглей на платиновые);Цель достигается тем, что в известном способе получения монокристаллов УВагСцз 07- д включающем расплавление смеси оксида иттрия( П), меди(П) и бария(П) в корундовом тигле на воздухе, изотермическую выдержку расплава, охлаждение со скоростью 1-4 град/ч до затвердевания, извлечение выросших кристаллов и отжиг в атмосфере кислорода, последний проводится при давлении 3-4 атм,Нижний предел давления кислорода при отжиге определяет минимальное давление кислорода, позволяющее насытить монокристалл кислородом до оптимальной концентрации в температурных и временных условиях, укаэанных в прототипе. Верхний предел интервала давлений определяется...

Номер патента: 1833659

Опубликовано: 20.05.1995

Авторы: Азизов, Белицкий, Гончаренко, Селезнева, Урсуляк, Яковлев

МПК: C30B 29/22, C30B 9/06

Метки: висмут-свинец-стронций, кальциевого, купрата, монокристаллов

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ВИСМУТ-СВИНЕЦ-СТРОНЦИЙ-КАЛЬЦИЕВОГО КУПРАТА с кристаллической структурой фазы 2:2:1:2, включающий нагрев шихты, содержащей Bi2O3, PbO, SrCO3, CaCO3 и CuO, выдержку для гомогенизации расплава и кристаллизацию при охлаждении, отличающийся тем, что, с целью уменьшения ширины перехода в сверхпроводящее состояние T и увеличения плотности критического тока, компоненты шихты берут в следующем соотношении, мол.Bi2O3 19,85 20,62PbO 4,41 4,58SrCO3 31,71 32,24CaCO3 13,56 13,82CuO Остальноекристаллизацию проводят на платиновом...

Номер патента: 1693908

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Бушуева, Захарюгина, Зверева, Петров

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: бария, гексаферрита, материал, монокристаллический, основе

МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ ГЕКСАФЕРРИТА БАРИЯ, содержащего добавки цинка и марганца, отличающийся тем, что, с целью увеличения температуры Кюри, повышения за счет этого термостабильности рабочей частоты и расширения частотного диапазона при сохранении узкой ширины кривой ферромагнитного резонанса, материал дополнительно содержит никель и имеет соотношение компонентов, соответствующее кристаллохимической формулеBa2 Zn2-x-yNix MnyFe12O22,где x 0,2 0,35;y 0,2 0,3.

Номер патента: 1382056

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Децик, Леман, Трубицын

МПК: C30B 29/22, C30B 33/10

Метки: локального, марганец-цинковых, монокристаллических, пластин, травления, ферритов, химического

СПОСОБ ЛОКАЛЬНОГО ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛАСТИН МАРГАНЕЦ-ЦИНКОВЫХ ФЕРРИТОВ, включающий нанесение защитной маски на пластины, нагрев травителя, содержащего ортофосфорную кислоту, и выдержку в нем, отличающийся тем, что, с целью обеспечения анизотропности травления, нагрев осуществляют до температуры 30 100oС, выдержку проводят в травителе, дополнительно содержащем азотную и уксусную кислоты при следующем соотношении компонентов, мас.ч.Ортофосфорная кислота (уд.в. 1,72 г/см3) 55 70Азотная кислота (уд.в. 1,51 г/см3) 45 50Уксусная кислота (уд.в. 1,05 г/см3) 35 50Дистиллированная вода 100 140

Номер патента: 1605584

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Блистанов, Гераскин, Ермаков, Козлова, Мосиевский, Портнов, Розин

МПК: C30B 29/22, C30B 7/02

Метки: выращивания, гексагональной, йодата, лития, модификации, монокристаллов

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЙОДАТА ЛИТИЯ ГЕКСАГОНАЛЬНОЙ МОДИФИКАЦИИ по авт. св. N 1503346, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности оптических элементов, изготовляемых из монокристаллов, размер грани затравки выбирают равной не менее 2d, где d толщина элемента.

Номер патента: 1814332

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Васильев, Волков, Каргин, Скориков, Щенев

МПК: C30B 29/22, C30B 33/06

Метки: монокристаллов, оксидов, сращивания

...предварительно наВ 1 г 4 ВгОз 9, или В 11 оСбз 01 в или т,п,) толщи"ной -0,1 мм. Сверху накладывают вторуюмонокристаллическую пластину и устанавливают их в держателе в печь, Печь нагрева 5 ют до 770 - 780 С, т,е. до температуры на10-15 выше температуры плавления нанесенного поликристаллического слоя. Скорость нагрева 50 - 100 град/ч. После выдержкив течение 10-30 мин при конечной темпера 10 1 уре печь охлаждают со скоростью 50 - 100град/ч. Таким образом, получают необходимые монокристаллические элементы требуемого размера,П р и м е р 1, Берут монокрирталличе 15 ские пластины (ВЯО, В 60 или ВТО) размером 30 х 70 (40 х 80) ммг и толщиной 2 - 5 мм.На боковую сторону одной из пластин предварительно наносят равномерный слой порошка...

Номер патента: 1805700

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Андреев, Ванышев, Голенко, Полянский, Яроцкая

МПК: C30B 11/02, C30B 29/22

Метки: кристаллов, окрашенных, оксидов, тугоплавких

...3-5 мм около стенок и у дна холодного контейнера. Время выдержки зависит от химического состава шихты и объема расплава, При выдержке менее 0,1 ч возможно образование дефектных кристаллов из-за непроплавления шихты, выдержка более 0,3 ч неэффективна.Определение объема переходного слоя расплава производилось опытным путем. Установлено, что оптимальные результаты получаются при кристаллизации 50-90;4 объема расплава, В опытах с кристаллизацией более 90;4 объема расплава в зоне переходной структуры наблюдалось нарушение монокристалльного роста, При кристаллизации менее 50;4 объема расплава уменьшается количество затравочных кристаллов и увеличивается зона переходной окраски.Для получения окрашенных кристаллов тугоплавких оксидов на...

Номер патента: 978615

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Бабенко, Барабошкин, Калиев, Фотиев

МПК: C30B 29/22, C30B 9/14

Метки: бронз, ванадиевых, монокристаллов, оксидных

1. Способ получения монокристаллов оксидных ванадиевых бронз MxV12O30 типа , где 2 для М = Li, Na, Ag, Cu; x 1 для М = Ca, Sr, Ba и x 1,2 для М = К, кристаллизацией из расплава пятиоксида ванадия и оксидной соли металла, взятых в стехиометрическом соотношении на затравочный кристаллоксидной ванадиевой бронзы, отличающийся тем, что, с целью повышения качества монокристаллов и повышения...

Номер патента: 665425

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Аксентьев, Барабошкин, Калиев

МПК: C30B 29/22, C30B 9/14

Метки: выращивания, монокристаллов

Способ выращивания монокристаллов кислородсодержащих соединений путем электролиза расплава их солей на постоянном токе и зарождении монокристалла в капилляре, отличающийся тем, что, с целью ускорения и упрощения процесса, зарождение монокристалла в капилляре ведут при плотности тока 0,2 - 1,5 А/см2 до спада катодного потенциала, а затем осуществляют выращивание монокристалла при катодном потенциале на 3 - 20 мВ отрицательнее равновесного потенциала получаемых кислородсодержащих соединений.

Номер патента: 1508611

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Богомолов, Исаенко, Позднякова, Пыльнева

МПК: C30B 29/22, C30B 7/08

Метки: калия, монокристаллов, пентабората

Способ получения монокристаллов пентабората калия, включающий приготовление насыщенного водного раствора пентабората калия растворением борной кислоты и калийсодержащего соединения в воде и выращивание монокристаллов на ориентированную затравку при снижении температуры раствора, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности процесса, увеличения полезного объема кристаллов и их прозрачности, перед растворением борную кислоту прокаливают, в качестве затравки берут изометричные кристаллы с неповрежденными швами двойникования и выращивание ведут при рН раствора 7,4-7,8.

Номер патента: 1579088

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Богомолов, Дульцев, Исаенко, Позднякова, Пыльнева

МПК: C30B 29/22, C30B 7/08

Метки: выращивания, затравочных, калия, кристаллов, пентабората

Способ выращивания затравочных кристаллов пентабората калия, включающий нагрев насыщенного водного раствора и кристаллизацию путем снижения температуры при спонтанном зарождении на кристаллоносце, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллов изометричной формы с развитой поверхностью (001), в качестве кристаллоносца используют вертикальную поверхность, которую помещают в раствор после его нагрева, и выращивание ведут при рН раствора, равном 6-7.

Номер патента: 1468021

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Букин, Ткаченко, Цейтлин

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: кристаллических, щеток

Способ получения кристаллических щеток из аналогов природных драгоценных камней, включающий плавление шихты, содержащей материал щетки и растворитель, выдержку при температуре кристаллизации материала щетки, извлечение щетки и очистку ее от растворителя, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса, повышения его производительности и увеличения прочности щетки, в качестве растворителя используют материал с удельным весом большим, чем удельный вес материала щетки, очистку ведут размещением щетки на поверхности пористой керамики или порошка из тугоплавкого материала, разогретых до температуры, соответствующей температуре кристаллизации материала щетки, и после очистки щетку с одной...