Патенты с меткой «травления»

Номер патента: 1813803

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Домбровский, Першин

МПК: C23G 5/04

Метки: кассета, полых, травления

...рычагов 6 с поплавком 1.Устройство работает следующим образом.:Кассета под загрузку изделиями поступает в зону загрузки в том виде, который показан на фиг.1, Загрузку рамочных опра вок 2 кассеты осуществляют при подаче изделий 8 по наклонному лотку 9, Затем кассету с изделиями 8 подают в ванну 10.При опускании изделий 8 в ванну 10 поплавок 1, находясь в рабочем растворе, под действием рычагов 6 поворачивается и, так как оправки 2 с изделиями 2 с изделиями 8 установлены под углом 130 О, последние при повороте в ванне 10, быстро наполняясь раствором, под его тяжестью опускаются в ванну 10.Одновременно при повороте рычагов 6 последние при перемещении подталкивают запор 3, который, смещаясь, заходит поддно изделий 8 и ограничителями...

Номер патента: 1819356

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Иванковский, Куницин, Меерталь, Остапчук, Стасюк, Фоминых

МПК: H01L 21/302

Метки: кремний-металлосодержащего, многослойных, селективного, слоя, структурах, травления

...подложке, например пластине кремния, создают диэлектрические изолирующие слои, например термически выращенную двуокись кремния (3102, нитрида кремния (3 за), фосфорно-силикатного стекла (ФСС) или их комбинации, на которых формируют кремний-металлсодержащий слой на основе кобальта (Со) и (или) титана (Т) путем, например, совместимого катодного распыления мишени из металла и мишени из кремния с последующим отжигом наносимого слоя, либо в виде металл- кремниевого (кобальт-кремниевого или титан-кремниевого) сплава в виде резистивных слоев типа РС 3000 К(Со - 30, Я 1-707 ь), РС 2310 К (Соь, Т, 3-67) и других, например путем одновременно ионноплазменного распыления их из мишени, с содержанием металла в слое не более 40, после...

Номер патента: 1821496

Опубликовано: 15.06.1993

Авторы: Кругленко, Семенюк, Трипута, Хоменко

МПК: C23C 14/32

Метки: ионно-плазменного, травления

...соединенный с электродпротивостоящим обрабатываемомулию 5, Между сетчатым экраном 4,иродом 2 возбуждается ВЧ разскрещенных переменном электричеспостоянном магнитном полях, которляется источником химически активндикалов, распространя ющихсясетчатый экран 4.в область пространэлектроду 3 с обрабатываемым изделЗатем включают источник. ВЧ напряжсоединенный с электродом 3. В обпространства у обрабатываемого издевозбуждается ВЧ разряд - источник иускоряющихся электрическим полем о дав- Напупаров. омагк ВЧ(71) Специальное конструкторско-тгическое бюро с экспериментальнымводством Института ядерных исследАН УССР(56) Заявка Японии Ь 60-293790,кл, Н 01 1. 21/302, 1985.Ж. Зевсопбп 1, 1989, 12, Ь 5,обьемного заряда,у электрода 3 и бомрующих...

Номер патента: 1824461

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Бабушкин, Гудинов, Иванов

МПК: C25F 7/00, G01B 7/06

Метки: методом, процессе, размерного, скорости, слоя, снимаемого, толщины, травления, химического

...и индикатор являются типовыми,Устройство работает следующим обраВыделяющийся в поверхности травления гаэ попадает в газособирвющий сосуд и постепенно заполняет его. При заполнении сосуда газом до определенного уровня сосуд перевОрачивается и выпускает газ, При этом магнит приближается к магнитоуправляемому контакту и замыкает его на короткое время. Поскольку магнитоуправляемый контакт подключает при этом источник питания ко входу генератора тактовых импульсов, то это является началом такта, Длительность тактового импульсв определяется времяэвдвющвй цепью, входящвй в задатчикдлительности такта, Значениадлительности тактового импульса в зависимости от твмп ературы раствора устанавливается либо вручную по шкале, нанесенной на панели...

Номер патента: 1040980

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Бутырин, Дикарев, Красножон

МПК: H01L 21/3065

Метки: диэлектрических, ионно-химического, кремниевых, кремнийсодержащих, пленок, подложках, травления

...перехода парагелия из состояния (1 Я - 8 ) в метастабильное состояние 2 Я (Я ) или 19,82 эВ для перехода в состояние 2 Б (3 Я) -для ортогелия, а также для атомов неона - 10,30 эВ при переходе2 р - 8 о -+ 3 р 1/21Для других инертных газов энергия тушения возбужденных атомов значиЬтельно ниже 1 б эВ и недостаточна для ионизации молекул Фтористого водо". рода.Таким образом, введением во входящии газовый поток, содержащий фтористый водород и водород, неона или гелия обеспечивают увеличенное образование ионов НР" в общем ионном потоке.5 104409В дальнейшем положительные ионы переводят преимущественно в молекулярное состояние путем соэрания объемного отрицательного заряда электронов в пространстве реакционной камере между плазменным разрядом.и...

Номер патента: 867233

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Красножон

МПК: H01L 21/3065

Метки: двуокиси, ионно-химического, кремния, нитрида, травления

...в герметичный резервуар 2, термостатируемый с помощью термостата 3. Через устройство для дозирования малых расходов газов 4 пары фтористого водорода поступают в вакуумпровод 5. Туда же, через устройство для дозирования малых расходов газа 6 поступает в вакуумпровод водород 7. Этот суммарный молекулярный поток 8 поступает в формирователь 9 ионного потока 10. В формирователе 9 под воздействием электромагнитного поля от источника питания 11 создают газовую плазму 12 низкого давления, в которой происходят реакции диссоциации, ионизации и т.п. С помощью электрической составляющей электромагнитного поля из плазмы вытягивают поток положительных ионов 10 продуктов диссоциации фтористого водорода и водорода. Для компенсации накапливающегося...

Номер патента: 774478

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Булгаков, Косоплеткин, Красножон

МПК: H01L 21/3065

Метки: двуокиси, ионно-химического, кремния, нитрида, травления

...же режимах процесса селективность травления Я 10 г/Я лучше, чем 12:1. По мере истощения используемого раствора фтористого водорода его концентрация уменьшается до концентрации,соответствующей азеотропному составу,т.е. 38,3 масс. Опри нормальном атмосферном давлении.Использование 38,3-ного растворафтористого водорода в воде, соответствующего азеотропному составу при нормальном атмосферном давлении, при испаренииего в условиях повышенного давления врезервуаре приводит к тому, что, в соответствии со вторым законом Вревского, составнераздельно кипящей смеси при увеличении общего давления изменяется в сторонууменьшения содержания компоненты сменьшей дифференциальной теплотой парообразования, т,е. НГ, и составляет в исходном молекулярном...

Номер патента: 1834914

Опубликовано: 15.08.1993

Авторы: Васильев, Кошара, Лисьих, Смирнов

МПК: C23F 1/04

Метки: длинномерных, размерного, травления, труб

...на 0,04 мм(внутренняяконусность.В трубу залили травильный раствор(смесь азотной и плавиковой кислот), охлажденный до 10 С. Вращающуюся трубу с раствором поместили под 10 спреерав,охлажденный участок каждого из которыхсоставляет в диаметре 0,5 м. При этом участок трубы длиной ЗООО мм поместили под 406 спрееров, через которые подавалась водас температурой 68.65 С, а участок длиной1100 мм - под 4 спреера таким образом, чтотемпература воды, подаваемой через седьмой спреер, составляла 55.60 С, через 45восьмой спреер, - 50,55 С, через девятый -0 С и через десять 1 й 40450 С Времятравления составило 7 мин, Затем через всеспрееры подали холодную воду с температурой 10 С, После охлаждения травильный50раствор из трубы слили,Проведенные...

Номер патента: 1838448

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Дворниченко, Нижник, Прокволит, Словиковский

МПК: C23G 5/02

Метки: паста, травления

...растворе, содержащем, г/л:Едкий натр 50-100Жидкое стекло 5-15Температура раствора 6090 С., продолжительность обработки 515 мин, После промывки в воде поверхность образцов травили в водном растворе следующего состава:Азотная кислота(плотность 1,4) 230-280 г/л Плавиковаякислота (40%) 15-20 мл/л при комнатной температуре до осветления, которое наступило через 515 мин.В завершение образцы промывали водой до нейтральной реакции. На подготовленные образцы наносили, как описано в примере 1, покрытия того же состава. Покрытые образцы испытывали, как описано в примере 1, и оценивали себестоимость обработки 1 м, Результаты сведены в табл.З.П р и м е р 4. Очистка и протравливание листов алюминиевого сплава АМц (ГОСТ 13726-78) разбавленной...

Номер патента: 2003201

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Кулик, Павлов

МПК: H01L 21/306

Метки: плазмохимического, поверхности, твердого, тела, травления

...показывают, что время протекания гетерогенной реакции плазмо-химического травления при указанных условиях, существенно зависит от большого количества параметров и должна определяться при отработке конкретного процесса плаэмо-химического травления. Максимальное время воздействия мальная температура поверхности твердого тела при воздействии определяется условиями разрушения поверхности (например, началом ее плавления), либо условиями аморфизации приповерхностного слоя, либо недопустимым развитием рельефа поверхности при травлении и другими причинами. Эти условия определяются экспериментально, при разработке конкретного процесса травления. При известной максимально-допустимой температуре Тд поверхности твердого тела из конкретного...

Номер патента: 749293

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Булгаков, Косоплеткин, Красножон, Толстых

МПК: H01L 21/306

Метки: двуокиси, ионно-химического, кремния, нитрида, травления

СПОСОБ ИОННО-ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ДВУОКИСИ И НИТРИДА КРЕМНИЯ в потоке фторсодержащих ионов и электронов, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности травления по отношению к кремнию, травление проводят в потоке положительных ионов фтористого водорода и продуктов диссоциации аммиака.

Номер патента: 1476980

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Захаров, Мананникова, Черпухина

МПК: C30B 29/18, C30B 33/10

Метки: кварца, кристаллов, травления

СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ КВАРЦА, включающий травление в растворе, содержащем неорганическую кислоту и нетравящие компоненты при нагреве, отличающийся тем, что, с целью уменьшения степени шероховатости поверхности, перед травлением кристалл обрабатывают в одном нетравящем компоненте или их смеси при нагреве до температуры в пределах 20oC от температуры травления.

Номер патента: 1445128

Опубликовано: 15.10.1994

Авторы: Бреховских, Колосов, Малов, Серебрякова, Соколова

МПК: C03C 15/02

Метки: оптических, стеклокристаллического, травления

1. СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ ИЗ СТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА путем циклической обработки в травильном растворе и промывочной жидкости при одновременном воздействии ультразвука, отличающийся тем, что, с целью снижения газоотделения с поверхности оптических деталей при последующей термовакуумной обработке, травление ведут в спиртовом растворе фторида аммония при температуре на 10 - 15oС ниже температуры кипения травильного раствора, а промывку ведут последовательно в 10 - 20%-ном спиртовом растворе щелочи при температуре на 10 - 15oС выше температуры травильного раствора, в проточной деионизованной воде при температуре травильного раствора и в смеси этилового и изопропилового спиртов, взятых в соотношении...

Номер патента: 1822299

Опубликовано: 20.05.1995

Авторы: Гапоненко, Изидинов

МПК: H01L 21/306

Метки: кремниевых, травления

СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ИЗДЕЛИЙ, включающий приготовление смеси плавиковой, азотной и уксусной кислоты, взятых в заданном соотношении объемов, охлаждение полученного травителя, предварительное определение скорости травления кремния в травителе данного состава и последующую обработку кремниевых изделий в том же травителе в течение времени, необходимого для стравливания кремния на заданную глубину, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости глубины травления за счет создания условий самопрекращения процесса травления, объемное соотношение перечисленных кислот в травителе выбирают соответствующим 1:(6-17):(1-3), на стадии предварительного определения скорости травления дополнительно устанавливают удельный объем травителя,...

Номер патента: 1322608

Опубликовано: 27.06.1995

Авторы: Бродский, Дубинин, Тамарченко, Хаскович

МПК: C25D 7/06, C25F 7/00

Метки: проволоки, травления, электролитического

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ПРОВОЛОКИ, содержащее электролитические ванночки, расположенные в корпусе, смоточные устройства и механизм намотки, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности и эксплуатационной надежности, оно снабжено камерами сбора, подачи и слива электролита, расположенными в корпусе друг под другом, при этом камера подачи электролита соединена патрубками с электролитическими ванночками, а камера сбора электролита разделена перегородками на секции и соединена с камерой слива электролита.

Номер патента: 1823732

Опубликовано: 09.07.1995

Авторы: Скутин, Сычев, Тихомиров, Югай

МПК: H01L 39/24

Метки: y-ba-cu-o, высокотемпературных, пленок, сверхпроводящих, травления

...на фиг.3 - зависимость среднего числа молекул Н 20 в кластере воды от давленияар воды Рно; на фиг.4 - завсоссреднего числа молекул воды и в кластереНС пН 20; на фиг,5 - зависимость скороститравления от парциального давления кластеров воды РнотоРеакционная камера 1 представляет собой вакуумированный насосом 2 сосуд, в15 которем помещается стравливаемая пленка У-Ва-Си-О 3, напыленная на подложкуиэ ЯгТОз или сапфир, Реакционная камера1 изготавливается иэ материала химическинейтрального к хлористому водороду (молибденовое стекло, кварц, полимер и др,).В начале эксперимента в предварительно откаченную камеру 1 напускают парыводы из емкости 4 до получения давленияРн,о =7 - 11 Торр, что при температуре 17 Ссоставляет (0,5-0,7)Рнонасы,ц....

Номер патента: 1573896

Опубликовано: 09.07.1995

Авторы: Будянский, Плетнев, Покроев, Фареник

МПК: C23F 1/00

Метки: плазмохимического, травления

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ, включающее диэлектрическую реакционную камеру, перфорированный металлический экранирующий элемент, подложкодержатель с пластиной, размещенный внутри реакционной камеры, отверстия для напуска и откачки газа и индуктор для возбуждения ВЧ-разряда, витки которого охватывают реакционную камеру, отличающееся тем, что, с целью увеличения скорости травления и повышения качества обработки путем уменьшения загрязнения поверхности образца продуктами распыления, экранирующий элемент расположен между витками индуктора и камерой и охватывает ее.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что металлические заземленные детали, составляющие экранирующий элемент, образуют проводящую поверхность,...

Номер патента: 1159442

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Децик, Трубицын

МПК: G11B 5/127

Метки: защитной, локального, маской, монокристаллических, пластин, травления, ферритовых, химического

СПОСОБ ЛОКАЛЬНОГО ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ФЕРРИТОВЫХ ПЛАСТИН С ЗАЩИТНОЙ МАСКОЙ в водном растворе, содержащем фосфорную кислоту, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости травления и качества получающегося рельефа, травление осуществляют при 100 180oС в растворе, содержащем дополнительно щавелевую кислоту, при следующем соотношении компонентов, об.ч.Ортофосфорная кислота (уд.вес 1,72 г/см3) 100Щавелевая кислота, насыщенный водный раствор 5 7

Номер патента: 1521135

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Децик, Миляева, Розанов, Спирин, Титова, Шадрин

МПК: C23F 1/02

Метки: времени, локального, монокристаллических, пластин, травления, ферритовых

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ВРЕМЕНИ ЛОКАЛЬНОГО ТРАВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ФЕРРИТОВЫХ ПЛАСТИН, предусматривающий пробное травление нескольких пластин из данной партии в интервале времени от 1 до 2 последующее измерение ширины рабочей дорожки на пластинах, прошедших травление в течение одного и того же времени, сравнение измеренных величин с серединой поля допуска ширины рабочей дорожки и травление всей партии в течение отрезка времени в пределах от 1 до

Номер патента: 1225282

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Каптановский, Кисиленко, Московдов, Парусников

МПК: C25F 3/08

Метки: молибдена, раствор, сплавов, травления, электрохимического

РАСТВОР ДЛЯ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ МОЛИБДЕНА И ЕГО СПЛАВОВ, преимущественно молибдена с кремнещелочной присадкой и сплавов молибдена с рением, содержащий карбонат щелочного металла, отличающийся тем, что, с целью создания зернистой поверхности с повышенной шероховатостью, он дополнительно содержит фтористый калий при следующем соотношении компонентов, мас.Карбонат щелочного металла 10 20Фтористый калий 3 9Вода Остальное

Номер патента: 1814446

Опубликовано: 10.11.1995

Авторы: Либо, Пригода, Пухляков

МПК: H01L 21/308

Метки: галлия, локального, травления, фосфида

...топологии на пластине в направ лениях 100 или ЙО Вб/Вг составляет0,08-0,15 и свидетельствует о том, что приглубоком (40-50 мкм) травлении можно безискажений перенести на пластину рисунок,заданный фотошаблоном, т.е, сохранить то-30 пологие. При Изменении направления110 до 100 расположения элементов топологии на пластине боковое подтравливание (Вб/Вг) увеличивается до 1.Температурный диапазон травителя О 30 С. Уменьшение температуры травителяниже О С приводит к кристаллизации раствора, а следовательно, к прекращениютравления, Увеличение температуры трави-теля выше 30 С вызывает селективный ха рактер травления и снижает качествотравления.Уменьшение частоты вращения при перемешивании менее 30 об/мин приводит к, ухудшению полирующих свойств...

Номер патента: 1382056

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Децик, Леман, Трубицын

МПК: C30B 29/22, C30B 33/10

Метки: локального, марганец-цинковых, монокристаллических, пластин, травления, ферритов, химического

СПОСОБ ЛОКАЛЬНОГО ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛАСТИН МАРГАНЕЦ-ЦИНКОВЫХ ФЕРРИТОВ, включающий нанесение защитной маски на пластины, нагрев травителя, содержащего ортофосфорную кислоту, и выдержку в нем, отличающийся тем, что, с целью обеспечения анизотропности травления, нагрев осуществляют до температуры 30 100oС, выдержку проводят в травителе, дополнительно содержащем азотную и уксусную кислоты при следующем соотношении компонентов, мас.ч.Ортофосфорная кислота (уд.в. 1,72 г/см3) 55 70Азотная кислота (уд.в. 1,51 г/см3) 45 50Уксусная кислота (уд.в. 1,05 г/см3) 35 50Дистиллированная вода 100 140

Номер патента: 1556061

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Андрейчиков, Козьминых, Новоселова, Халдеев

МПК: C07C 243/32, C23F 11/14

Метки: ингибитора, качестве, кислоте, кислоты, малеиновой, п-нитробензилиденгидразид, соляной, стали, травления

п-Нитробензилиденгидразид малеиновой кислоты формулыв качестве ингибитора травления стали в соляной кислоте.

Номер патента: 1739802

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Красножон, Фролов, Хворов

МПК: H01L 21/306

Метки: алюминия, плазмохимического, пленок, травления

СПОСОБ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ПЛЕНОК АЛЮМИНИЯ, включающий размещение подложек со сформированной фоторезистивной маской на заземленном электроде-подложкодержателе и обработку в хлорсодержащей ВЧ-плазме при температуре подложек ниже температуры деструкции фоторезиста, но выше температуры, вычисленной по формулегде Q - расход газа, см3/мин;P - рабочее давление, Па;F - площадь поверхности алюминия, м2;V - скорость травления алюминия, нм/с,отличающийся тем, что, с целью улучшения качества получаемых структур за счет снижения загрязнения этих структур и внутренних поверхностей реактора продуктами полимеризации, перед...

Номер патента: 1356706

Опубликовано: 27.02.1996

Автор: Яблонский

МПК: G01N 21/64

Метки: кристаллов, микроскопических, травления, фигур, характеристик

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК МИКРОСКОПИЧЕСКИХ ФИГУР ТРАВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ, основанный на воздействии излучением на кристалл, измерении структуры и угловых размеров световых фигур, отличающийся тем, что, с целью повышения экспрессности и расширения возможностей способа, на входную поверхность кристалла воздействуют излучением, возбуждающим люминесцентное или рассеянное излучение точечного источника, дополнительно измеряют коэффициент дифракционного уширения элементов световых фигур, образованных на выходной поверхности кристалла люминесцентным или рассеянным излучением, находят форму, углы наклона граней, размеры и плотность упаковки фигур травления, по которым судят о характеристиках микроскопических фигур травления.

Номер патента: 1814451

Опубликовано: 10.03.1996

Авторы: Неустроев, Родионова

МПК: H01L 21/467

Метки: локального, олова, подложек, растворов, свинца-теллурида, твердых, теллурида, травления

...из компонентов смеси - метана в смеси с водородом для травления полупроводниковых соединений. В заявляемом изобретении используется смесь другого состава.В отличие от процесса по прототипу, где для травления ОаААз используют образующий плазму газ, содержащий треххлористый бор и хлор, в описываемом способе травления щелей твердого раствора теллурид свинца-теллурид олова проводят продуктами распада смеси метана и аргона, позволяющем увеличить скорость травления, понизить температуру нагрева, повысить разрешающую способность, устранить использование высокотоксичных веществ.Как показывают экспериментальные данные, наилучшими условиями плазмохимического травления щелей в подложках твердых растворов теллурид свинца-теллурид олова...

Номер патента: 1480674

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Веселова, Гусев, Космодемьянская, Слесарева

МПК: H01L 21/306

Метки: антимонида, индия, раствор, травления

РАСТВОР ДЛЯ ТРАВЛЕНИЯ АНТИМОНИДА ИНДИЯ, включающий органическую кислоту, перекись водорода, азотную кислоту, отличающийся тем, что с целью улучшения качества травления за счет повышения его равномерности, раствор дополнительно содержит фторид аммония и алкилсульфонат натрия, а в качестве органической кислоты винную или лимонную кислоту при следующем соотношении компонентов, об.Винная или лимонная кислота (30%-ная) 66,7 72,7Перекись водорода (30%-ная) 15,5 23,3Азотная кислота (65%-ная) 3,3 5,7Фторид аммония (40%-ный) 2,9 6,2Алкилсульфонат натрия (1%-ный) 1,7 2,9

Номер патента: 1805788

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Базыленко, Гулевич, Цыбулько

МПК: H01L 21/306

Метки: двухкамерных, поверхности, проводящим, слоем, структур, сухого, травления, установках

...между реакционными обьемами приводит к, невоспроизводимости в определении момента окончания травления. Во избежание этого возмОжны два варианта распределения времени между реакционными объемами: а) тй 11+гй 21 и б) тй 12+тй 22 где тй 1 и тй 2 - время обработки соответственно в первом и втором реакционном обьемах. При этом учтено время стабилизации разряда, в течение которого контроль невозможен. В варианте а) момент окончания травления определяют в первом реакционном обьеме, а в варианте б) - во втором, Максимальной производительности соответствует тот из двух названных вариантов, для которого разница времени обработки в обоих реакционных объемах меньше, т.е, для которого меньше (тй 1 - тй 2). исходя из этого. условие реализации варианта...

Номер патента: 1266402

Опубликовано: 20.05.1996

Автор: Брюхно

МПК: H01L 21/306

Метки: анизотропного, мезоструктур, травления

Способ анизотропного травления мезоструктур, включающий формирование на поверхности кремниевой пластины с ориентацией рабочей поверхности в плоскости [100] прямоугольных участков маски, стороны которых ориентированы в направлениях [110] формирование в углах прямоугольных участков корректирующих фигур, анизотропное травление кремния в местах пластины, свободных от маски, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности процесса за счет уменьшения размеров разделительных канавок, формирование прямоугольных участков маски и травление кремния проводят вначале вдоль одного из направлений [110] затем осуществляют маскирующее окисление полученной поверхности и проводят формирование прямоугольных участков маски и травление кремния...

Номер патента: 1292387

Опубликовано: 20.05.1996

Автор: Апанович

МПК: C23F 1/26

Метки: раствор, тантала, травления

Раствор для травления тантала, содержащий фтористоводородную кислоту и воду, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества, повышения равномерности и увеличения скорости травления, он дополнительно содержит концентрированную соляную кислоту при следующем соотношении компонентов, мас.ч.Фтористоводородная кислота 0,5 2Соляная кислота 2 4Вода 2 4