Фареник

Номер патента: 714997

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Власов, Залюбовский, Кривонос, Рожков, Сосипатров, Степанов, Фареник

МПК: B01D 59/44, H05H 1/00

Метки: изотопов, массам, находящихся, плазменном, разделения, смесей, соединений, состоянии, элементов

СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ ПО МАССАМ СМЕСЕЙ ИЗОТОПОВ, ЭЛЕМЕНТОВ И СОЕДИНЕНИЙ, НАХОДЯЩИХСЯ В ПЛАЗМЕННОМ СОСТОЯНИИ, включающий воздействие на них скрепленными электрическим и магнитным полями осесимметричной конфигурации в условиях замагниченности ионов, отличающийся тем, что, с целью снижения энергозатрат на разделение путем избирательного воздействия на выделяемый компонент смеси, напряженности электрического и магнитного полей выбирают из условиягде удельный заряд выделяемого компонента, К/кг;B магнитная индукция, Тл;E напряженность электрического поля, В/м;r радиус пространственной...

Номер патента: 1573896

Опубликовано: 09.07.1995

Авторы: Будянский, Плетнев, Покроев, Фареник

МПК: C23F 1/00

Метки: плазмохимического, травления

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ, включающее диэлектрическую реакционную камеру, перфорированный металлический экранирующий элемент, подложкодержатель с пластиной, размещенный внутри реакционной камеры, отверстия для напуска и откачки газа и индуктор для возбуждения ВЧ-разряда, витки которого охватывают реакционную камеру, отличающееся тем, что, с целью увеличения скорости травления и повышения качества обработки путем уменьшения загрязнения поверхности образца продуктами распыления, экранирующий элемент расположен между витками индуктора и камерой и охватывает ее.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что металлические заземленные детали, составляющие экранирующий элемент, образуют проводящую поверхность,...

Номер патента: 1144548

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Зыков, Качанов, Фареник, Юнаков

МПК: H01J 27/04

Метки: ионов, источник

ИСТОЧНИК ИОНОВ с холодным катодом, содержащий газоразрядную камеру с расположенными в ней цилиндрическим анодом, торцевым катодом и перфорированным катодом, магнитную систему и систему формирования ионного пучка, отличающийся тем, что, с целью регулирования распределения плотности ионного тока пучка по его сечению, в газоразрядной камере со стороны торцевого катода соосно аноду установлен цилиндрический электрод с возможностью его продольного перемещения и введены средства независимого поддержания на нем электрического потенциала по отношению в аноду и катодам газоразрядной камеры.

Номер патента: 1580852

Опубликовано: 09.06.1995

Авторы: Зыков, Качанов, Марущенко, Фареник, Юнаков

МПК: C23C 14/00

Метки: вакууме, диэлектрических, мишеней, поверхностей

СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТЕЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МИШЕНЕЙ В ВАКУУМЕ, включающий бомбардировку мишеней ускоренным пучком положительных ионов и компенсацию заряда электронами катода-нейтрализатора, отличающийся тем, что, с целью повышения качества обработки за счет улучшения однородности обработки и снижения вносимой дефектности, на поверхность катода-нейтрализатора подают положительный потенциал (B), выбираемый из выражения5 kТ e < E; < U,где k постоянная...

Номер патента: 1570549

Опубликовано: 20.03.1995

Авторы: Будянский, Зыков, Фареник

МПК: H01J 27/16

Метки: высокочастотный, ионов, источник

ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ИСТОЧНИК ИОНОВ, содержащий диэлектрическую разрядную камеру, ВЧ-индуктор, охватывающий камеру снаружи, потенциальный электрод, расположенный в объеме камеры, и ионно-оптическую систему, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности и надежности работы, потенциальный электрод соединен с источником ВЧ-напряжения через разделительный конденсатор, а ионно-оптическая система источника состоит из одного заземленного электрода сетки, причем площадь потенциального электрода больше площади электрода сетки.

Номер патента: 905619

Опубликовано: 15.02.1982

Авторы: Бизюков, Ивановский, Маишев, Микулин, Фареник

МПК: G01B 7/06

Метки: покрытий, процессов, травления

...точности контроля.Эта цель достигается тем, что устанавливают одиночный ленгмюровский зонд по отношению к контролируемой поверхности на расстоянии где Ь - величина дебаевского слоя;Т - температура электронов;е - заряд электронов;и - плотность электронов, и осуществляют контроль по изменению тока насыщения зонда, соответствующему изменению химического состава покрытий.На фиг. 1 представлена структурная схема устройства, реализующего способ; на фиг. 2 - график изменения тока насыщения зонда в процессе травления.Устройство содержит вакуумную камеру 1, ленгмюровский зонд 2, источник 3 ионов миллиамперметр 4, источник 5 питания, контролируемый образец 6.Устройство работает следующим образом.905619 Форлу,го изобретения фиг.1 Р,2 Л агнии...

Номер патента: 352610

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Власов, Рожков, Степанов, Супруненко, Фареник

МПК: H05H 1/16

Метки: нагрева, плазмы

...еН 2Р =2)и;с Известен способ нагрева плазмы путем усиления,колебаний плазмы на ионно-циклотронной частоте (ионно-циклотронный резонанс), при котором электромагнитная энергия с помощью катушки индуктив ности вводится в плазму на частоте, близкой к ионно-циклотрон- ной Недостатками известного, способа являются значительные омические потери в катушке индуктивности, потери в резонансных элементах схем ввода энергии, экранирование плазмой внешнего переменного )высокочастотного поля.Кроме того, катушка индуктивности возбуждает в плазме продольное высокочастотное электрическое поле, вызывающее пучковую неустойчивость.Предлагаемый способ нагрева плазмы, также основанный на ионно-циклотронном резонансе, обеспечивает достижение положительного...