Патенты с меткой «травления»

Номер патента: 1829774

Опубликовано: 10.06.1996

Авторы: Грушецкий, Достанко

МПК: H01L 21/306

Метки: алюминия, плазменного, травления

...более реакционноспособную плазму, что способствует увеличению скорости травления алюминия.4При уменьшении давления ниже 10 Па происходит постепенное уменьшение скорости травления, хотя она во всех диапазонах, остается выше чем в способе реактивного ионно-плазменного или ионно-лучевого травления.5При повышении давлении выше 10 Па также происходит уменьшение скорости травления и увеличивается нагрев обрабатываемых объектов, а также необходимо увеличивать мощность импульсного источника,Расход рабочего газа, проходящего через зону разряда, зависит от давления в реакторе, его геометрических размеров и скорости откачки насосов (их производительности). Любой расход газа, при которомустанавливается рабочее давление и существует поток газа,...

Номер патента: 1086997

Опубликовано: 10.08.1996

Авторы: Нечаев, Романов, Чернявский

МПК: H01L 21/306

Метки: одностороннего, пластин, полупроводниковых, травления

1. Способ одностороннего травления пластин полупроводниковых материалов, включающий нанесение защитного покрытия на рабочую сторону пластины, утоньшение химической или механической обработкой, удаление защитного покрытия, отличающийся тем, что, с целью исключения возможности разрушения пластин и увеличения процента выхода годных, защитное покрытие наносят тремя слоями, первый из которых состоит из полимерного материала, растворимого в органических растворителях, второй из металла и третий из другого полимерного материала, который химически стоек к растворителям первого, а удаление покрытия осуществляют растворителем первого полимерного материала.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве первого слоя используют пленку...

Номер патента: 1817617

Опубликовано: 20.09.1996

Авторы: Базыленко, Гулевич, Державская, Родин

МПК: H01L 21/306

Метки: поверхности, полупроводниковых, слоев, структур, сухого, травления

...(по абсолютной величине), соответствует моменту начала вскрытия поверхности, находящейся под слоем (нижележащей) структуры. При вскрытии всей немаскированной поверхности нижележащей структуры сигнал стабилизируется, что соответствует моменту окончания травления, Очевидно, отрезок времени между началом роста первой производной сигнала и моментом окончания травления слоя равен времени вскрытия поверхности нижележащей структуры. Это время может быть получено следующим образом. К моменту вскрытия поверхности нижележащей структуры в месте на пластине с максимальной скоростью травления в месте с минимальной скоростью травления толщина остатка слоя составляетЛЬ = (Ч.-Ч.) 1. (1) где Ч, Ч, - максимальная и минимальная скорости травления...

Номер патента: 1823714

Опубликовано: 27.10.1996

Авторы: Клименков, Красницкий, Турцевич, Цыбулько

МПК: H01L 21/306

Метки: газовая, диэлектрических, селективного, слоев, смесь, сухого, травления

...содержания гептафторпропана в газовой смеси менее 15 об.;4 приводит к значительному снижению скорости и селективности травления диэлектрических слоев по отношению к нижележащему слою.Превышение содержания кислорода в смеси более 11 об.;4 приводит к снижению равномерности травления диэлектрических слоев и селективности по отношению к маскеи нижележащему слою.Снижение содержания кислорода в смеси менее 2,6 об.;, приводит к увеличению вероятности загрязнения поверхности нижележащего слоя из-за повышения соотношения С/Е в смеси.Использование заявляемой газовой смеси может быть проиллюстрировано на примере селективного реактивного ионноплазменного травления слоев двуокиси кремния, фосфоросиликатного стекла (ФСС), нитрида кремния,...

Номер патента: 1289305

Опубликовано: 10.12.1996

Авторы: Раппо, Редькин, Старков, Юнкин

МПК: H01L 21/306

Метки: ионного, кремнии, ниобия, реактивного, травления

Способ реактивного ионного травления ниобия на кремнии, включающий обработку образцов в плазме фторсодержащего соединения и кислорода при пониженном давлении, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости травления, в плазму дополнительно вводят хлорсодержащее газообразующее соединение при объемном отношении его к фторсодержащему газу (0,1 1) 1 и процесс проводят при плотности мощности разряда от 0,06 до 1,45 Вт/см2.

Номер патента: 1711649

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Лощинин, Минеев, Решетников

МПК: H05K 3/06

Метки: заготовки, медной, печатной, платы, травления

1. Способ травления медной заготовки печатной платы, включающий обработку поверхности заготовки путем распыления травильного раствора на основе хлорной меди, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности травления, в распыляемый травильный раствор в процессе обработки вводят воздух в количестве, определяемом из выражения0,01Vтр Vвозд 0,1Vтр,где Vвозд скорость подачи воздуха в травильный раствор, л/мин;Vтр скорость подачи...

Номер патента: 1715136

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Дикаев, Милявский, Яссен

МПК: H01L 21/306

Метки: индия, лазерно-стимулированного, травления, фосфида

Состав для лазерно-стимулированного травления фосфида индия, содержащий водный раствор плавиковой кислоты, отличающийся тем, что, с целью снижения мощности стимулирующего излучения при одновременном повышении скорости травления, состав дополнительно содержит бромат калия при следующем количественном содержании компонентов, моль/л:Плавиковая кислота - 0,045 - 18Бромат калия - 0,0008 - 0,32

Номер патента: 1597032

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Милявский, Яссен

МПК: H01L 21/302

Метки: лазерно-стимулированного, полупроводников, травления

Способ лазерно-стимулированного травления полупроводников, включающий обработку полупроводникового образца в растворе травителя при облучении стравливаемых участков лазерным излучением перпендикулярно поверхности образца, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости травления при снижении величины бокового подтравливания, образцы располагают горизонтально обрабатываемой поверхностью вниз.

Номер патента: 747105

Опубликовано: 20.10.1999

Авторы: Валяева, Любимова, Савенкова

МПК: C23F 1/28

Метки: нихрома, раствор, травления

Раствор для травления нихрома, содержащий раствор хлорного железа, азотную и соляную кислоты, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости травления и исключения шламообразования при травлении, он дополнительно содержит фтористый натрий при следующем соотношении компонентов, об.%:Раствор хлорного железа (уд. вес 1,42) - 65 - 75Соляная кислота (уд. вес 1,19) - 10 - 24Азотная кислота (уд. вес 1,4) - 3 - 5Фтористый натрий (4%-ный водный раствор) - 8 - 10

Номер патента: 1304666

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бакланов, Герасименко, Дульцев, Репинский, Соломатина, Цейтлин

МПК: H01L 21/265

Метки: кремния, локального, окисла, слоев, сухого, травления

1. Способ локального сухого травления слоев окисла кремния, включающий обработку поверхности газообразным фтористым водородом, отличающийся тем, что, с целью повышения качества оставшейся пленки окисла и подложки в областях травливания, перед травлением участки пленки, подлежащие стравливанию, облучают ионами дозами 1013 < D < 1016 см-2, энергиями 1 кэВ < E < Емакс, где Емакс - энергия ионов, глубина проникновения которых равна толщине пленки, затем выдерживают в ненасыщенных парах воды в течение 0,1-120 мин.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени обработки, после ионного облучения проводят...

Номер патента: 797459

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Максимов, Марончук

МПК: H01L 21/302

Метки: aiiibv, полупроводниковых, селективного, соединений, типа, травления

Способ селективного травления полупроводниковых соединений типа AIII BV, включающий нанесение металла на поверхность полупроводникового соединения с последующей термообработкой, отличающийся тем, что, с целью упрощения селективного травления и увеличения глубины травления, металл, преимущественно индий или галлий, наносят в виде пленки толщиной 0,1-10 мкм на участки полупроводника, подлежащие травлению а термообработку проводят при температуре, превышающей температуру диссоциации полупроводника на 20-200oC в потоке инертного газа.

Номер патента: 816327

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Криворотов, Марончук, Пинтус, Рудая, Фомин

МПК: H01L 21/306

Метки: полупроводниковых, селективного, структур, травления

Способ селективного травления полупроводниковых структур, включающий травление участков полупроводникового кристалла в растворе электролита при приложенном напряжении, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости и улучшения характеристик приборов путем селективного травления без маскирования, травление проводят при напряжении ниже порогового на 0,5-10 В при дополнительном воздействии на структуру лазерным излучением мощностью оптического излучения 1-100 вт/см2 с энергией фотонов, по крайней мере на 0,1 эВ большей ширины запрещенной зоны полупроводника.

Номер патента: 1455940

Опубликовано: 20.01.2000

Авторы: Автомеенко, Карпенко, Масалыкина

МПК: H01L 21/302

Метки: кремниевых, пластин, травления

Способ травления кремниевых пластин, включающий размещение пластин в травителе, травление пластин при подаче в травитель азота и принудительном охлаждении травителя, отличающийся тем, что, с целью увеличения количества одновременно обрабатываемых пластин кремния за счет увеличения интенсивности объемного теплообмена между обрабатываемыми пластинами и травителем, в травитель подают жидкий азот.

Номер патента: 1345685

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Геталов, Сербуленко, Яковлева

МПК: C30B 29/16, C30B 33/10

Метки: граней, кристаллов, парателлурита, селективного, травления

Способ селективного травления граней {110} кристаллов парателлурита с удаленным нарушенным поверхностным слоем в водном растворе соединения щелочного металла при комнатной температуре, отличающийся тем, что, с целью повышения точности ориентации граней {110} методом световых фигур, травление осуществляют в 20-50%-ном водном растворе углекислого калия в течение 30-60 мин.

Номер патента: 1473612

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Алиев, Бакланов

МПК: H01L 21/265

Метки: анизотропного, кремния, травления

1. Способ анизотропного травления кремния, включающий одновременное воздействие на него потока молекул дифторида ксенона и пучка ионов, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и скорости травления, во время воздействия кремний охлаждают до температуры ниже температуры конденсации дифторида ксенона при спонтанном травлении, но выше температуры конденсации при ионно-индуцированном травлении.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью снижения дефектности подложки, процесс травления проводят при плотности потока молекул дифторида ксенона 5 х 1015 - 1017 с-1см-2, энергии ионов в пучке 0,5 - 1,5 кэВ и плотности ионного тока 1 - 10...

Номер патента: 1824935

Опубликовано: 27.05.2000

Авторы: Самылина, Синякова, Чусов

МПК: C23F 1/04

Метки: железа, раствор, сплава, травления, химического

1. Раствор для химического травления сплава железа, преимущественно для фрезерования стали Р18 на стали 07 16Н6Ш, содержащий смесь азотной и плавиковой кислот, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности травления, азотная кислота (1,35 г/см3) и плавиковая кислота (1,13 г/см3) взяты в соотношении (2-3):1 об.ч.2. Раствор по п.1, отличающийся тем, что, с целью снижения шламообразования, он дополнительно содержит 20-30 г/л бихромата калия.

Номер патента: 1739770

Опубликовано: 27.08.2000

Автор: Апель

МПК: G01T 5/10

Метки: полипропилене, травления, треков, ядерных

Способ травления ядерных треков в полипропилене, включающий обработку облученного тяжелыми заряженными частицами полипропилена раствором, содержащем соединение шестивалентного хрома, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности параметров формирующейся в результате травления пористой структуры и увеличения ресурса работы травящего раствора, обработку проводят водным раствором хромового ангидрида концентрацией 800 - 1000 г/л при температуре 60 - 100oC в течение 6 - 170 мин.

Номер патента: 1494565

Опубликовано: 27.11.2001

Авторы: Гурвич, Макарчук, Шубадеева

МПК: C23F 1/00

Метки: жаростойких, раствор, сплавов, травления, хромоникелевых

Раствор для травления хромоникелевых жаростойких сплавов, преимущественно для удаления никель(кобальт)-хром-алюминий-иттриевых покрытий, включающий соляную кислоту, хлорное железо и воду, отличающийся тем, что, с целью предотвращения растравливания основы, содержащей 4 - 7% хрома, при удалении покрытия, содержащего до 20% хрома, компоненты раствора берут в следующем соотношении, мас.%:Соляная кислота - 33,0 - 34,7Хлорное железо - 0,9 - 2,5Вода - Остальное

Номер патента: 1760946

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Гомжин, Лебедев, Черноусов

МПК: H01L 21/302, H05H 1/00

Метки: плазмохимического, пластин, полупроводниковых, травления

Способ плазмохимического травления полупроводниковых пластин, включающий напуск и откачку рабочего газа до заданной величины давления P в реакционной камере, генерацию индукционного ВЧ-разряда в кварцевой разрядной камере с помощью навитой по форме камеры катушки индуктивности, размещенной над держателем пластин и соединенной с ВЧ-генератором, и создание постоянного магнитного поля в разрядной камере с помощью источника магнитного поля, расположенного снаружи камеры, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности и скорости травления при сохранении низкого уровня радиационных повреждений, магнитное поле создают с помощью источника магнитного поля, выполненного в виде соленоида,...

Номер патента: 1373230

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Готлиб, Григоров, Гурский, Зеленин

МПК: H01L 21/00, H05H 1/00

Метки: вакуумно-плазменного, травления

Устройство для вакуумно-плазменного травления, содержащее вакуумную камеру с размещенными в ней механизмом перемещения подложкодержателей и планарной системой электродов, подключенных к источнику ВЧ-мощности, систему газообеспечения, отличающееся тем, что, с целью повышения качества и производительности травления путем устранения загрязнения камеры продуктами износа трущихся частей, механизм перемещения подложкодержателей выполнен в виде магнитопровода с разноименными полюсами, охваченными электромагнитными катушками, образующими магнитную подвеску, включающую подъемные обмотки и обмотку бегущего магнитного поля, подключенные к источникам питания, а подложкодержатели и катод установлены...

Номер патента: 1289308

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Готлиб, Гурский, Дударчик, Зеленин, Паничев, Рубцевич

МПК: H01L 21/302

Метки: вакуумно-плазменного, немагнитных, пластин, травления

Устройство для вакуумно-плазменного травления пластин из немагнитных материалов, включающее планарный реактор с расположенной в нем парой электродов, соединенных с высокочастотным генератором, систему газоснабжения, вакуумную систему и систему формирования магнитного поля, выполненную в виде переменнополюсной комбинации постоянных магнитов, отличающееся тем, что, с целью локализации областей травления и увеличения скорости их травления путем повышения концентрации ионов над заданными областями пластин, система формирования магнитного поля снабжена полюсными накладками, выполненными в виде свободных масок, и установлена между парой электродов на одном из них.