Устройство для ионно-плазменного травления материалов

Номер патента: 1821496

Авторы: Кругленко, Семенюк, Трипута, Хоменко

ZIP архив

Текст

(51)5 С 23 С 14/ ОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕЕДОМСТВО СССРОСПАТЕНТ СССР) К АВТОРСК СВИДЕТЕЛ 8(54) УСТРОЙСТВОДЛЯ ИОННО-ПЛАЗМЕН НОГО ТРАВЛЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ (57) Использованйе: в электронной технике для плазменного травления и осаждения материалов микроэлектроники, Сущностьй изобретения: за верхним электродом соосно с вакуумной камерой, в которой он рас- А,Три- положен, размещают магнитную катушку. Врезультате повышается эффективность генерации химически активных радикалов в верхнем разрядном промежутке, возраста, ет их поток в область обрабатываемого изделия и увеличивается скорость травлений.1 ил,хнолопроиз овани Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для прецизионного плазмохимического травления и осаждения материалов микроэлектроники, очистки поверхности изделий перед вакуумной металлизацией;Целью изобретение является повышение скорости ионно-плазменного травления . материалов.Устройство.для ионно-плазменного травления материалов (см. чертеж) содержит вакуумную камеру 1, у торцов которой соосно размещены плоские электроды 2, 3, подключенные к источникам высокочастот- . ного(ВЧ) напряжения. Плоские электроды 2, 3 разделены заземленным сетчатым экраном 4. На электроде 3 размещено обрабетываемое изделие 5, Со стороны электрода 2, противостоящего обрабатываемому изделию 5, соосно с камерой 1 расположена злектромагнйтная катушка 6.Устройство для ионно-плазменного травления работает следующим образом,Откачивают вакуумную камеру 1 дления на 2-3 порядка ниже рабочего,скают в нее рабочую смесь газов илиВключают источник питания электрнитной катушки 6. Включают источнинапряжения, соединенный с электродпротивостоящим обрабатываемомулию 5, Между сетчатым экраном 4,иродом 2 возбуждается ВЧ разскрещенных переменном электричеспостоянном магнитном полях, которляется источником химически активндикалов, распространя ющихсясетчатый экран 4.в область пространэлектроду 3 с обрабатываемым изделЗатем включают источник. ВЧ напряжсоединенный с электродом 3. В обпространства у обрабатываемого издевозбуждается ВЧ разряд - источник иускоряющихся электрическим полем о дав- Напупаров. омагк ВЧ(71) Специальное конструкторско-тгическое бюро с экспериментальнымводством Института ядерных исследАН УССР(56) Заявка Японии Ь 60-293790,кл, Н 01 1. 21/302, 1985.Ж. Зевсопбп 1, 1989, 12, Ь 5,обьемного заряда,у электрода 3 и бомрующих изделие 5. Регулируя ВЧ мо в разряде между электродом 2 изде- электряд в ком и ый явых рачерез ства к ием 5. ения, ласти лия 5 онов, слоя арди ность атым1821496 Составитель С. МирошкинТехред М,Моргентал Корректор Е. Папп Рьд Заказ 2092 ВНИ.ИПИ Г Тираж. Подписноерственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ ССС 113035, Москва, Ж.35, Раушская наб., 4/5 оизводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул, Гагарина, 101 экраном 4 и ток электромагнитной катушки6, а также ВЧ мощность в разряде между : электродом 3 и сетчатым экраном 4, уста-навливают требуемую скорость ионноплазменного травления, Частота ВЧ 5напряжения, подаваемого на электроды 2, 3может быть одинаковой, равной, например,13,36 МГц; Для дополнительноГо увеличе, йия скорости травления на электрод 3 может быть подано ВЧ напряжение с частотой 10в диапазоне 0,1-0,5 МГц.По сравнению с известнымитехническими решениями устройство для ионноплазменного травления позволяетпримерно е 2 раза повысить скорость травления из-за более высокой плотности потока химически активных радикалов, поступающих на обрабатываемое изделие,Формула изобретения Устройство для ионно-плазменного травления материалов, содержащее вакуумную камеру, у торцов которой по оси камеры размещены плоские электроды, подключенные к источникам высокочастотного напряжения .и разделеннйе заземленным сетчатым экраном, на одйом из которых размещено обрабатываемое изделие. о т л ича ющееся тем,что,сцельюповышения скорости травления, оно снабжено электромагнйтной катушкой, расположенной соосно с камерой со стороны электрода, противолежащего обрабатываемому изделию,

Смотреть

Заявка

4822543, 04.05.1990

СПЕЦИАЛЬНОЕ КОНСТРУКТОРСКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ БЮРО С ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫМ ПРОИЗВОДСТВОМ ИНСТИТУТА ЯДЕРНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ АН УССР

КРУГЛЕНКО МИХАИЛ ПЕТРОВИЧ, СЕМЕНЮК ВАЛЕРИЙ ФЕДОРОВИЧ, ТРИПУТА ГЕННАДИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ, ХОМЕНКО ПАВЕЛ ФОМИЧ

МПК / Метки

МПК: C23C 14/32

Метки: ионно-плазменного, травления

Опубликовано: 15.06.1993

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1821496-ustrojjstvo-dlya-ionno-plazmennogo-travleniya-materialov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для ионно-плазменного травления материалов</a>

Похожие патенты