Патенты с меткой «травления»
Реактив для травления нержавеющих мартенситных сталей
Номер патента: 1523951
Опубликовано: 23.11.1989
Автор: Бинковская
МПК: G01N 1/32
Метки: мартенситных, нержавеющих, реактив, сталей, травления
...кислоты происходит сильное растравливание границ и теряется их четкость. Сернокислая медь (медный купорос) в укаэанном количестве вводится для некоторой нейтрализации сильного действия совокупности соляной, азотной и плавиковой кислот, Введение моющего вещества "Пихта" в количестве 40-55 мл оказывает стимулирующее воздействие на процесс адсорбции примесей, растворяемых по границам зерен, Соляная, азотная и плавиковая кислоты и вода, вводимые в указанных количествах, позволяют выявлять общую структуру шва сталей мартенситного класса.1523951 40-50 мл/л Известный сосСодержание в составе ( 2 Компоненты тав Соляная кислота,мл/лАзотная кислота,мл/лПлавиковая кислота,мл/лВода, мл/лПикриновая кислота,г/л 34 42 50 15-60 2 5 8 560-600 3 4,5...
Способ травления поверхности изделий из диэлектрических материалов
Номер патента: 1527201
Опубликовано: 07.12.1989
Авторы: Журкин, Киселев, Сергеев
МПК: C03C 23/00, H01L 21/3065
Метки: диэлектрических, поверхности, травления
...обго слоя Ь от времени остей СЙТе, где крипо обычной методике,работки деталей, изготовленных из электрических материалов, и может быть использовано вэлектронике, С целью м пучком ио в, в которыи оток электронов, причем в тупенчато до достижени а на каждой ступени с у ними, равной времен Время травления сок2 ил. емя обработки понерхпоследовательно повторя- по обработке поверхности я требуемой величины1527201 Следовательно, предложенный способ позноляет повысить эффектинность обработки,Формула и э о б р е т е н и я Л,яка 0,5,4 0,2 16 й,пин 6 12 6 2 Ф фи Фив. Составитель Г,Буронцеваактор В.Данко Техред П,Сердюкова Ксрректор Т,Мале аказ 7474/31 Тираж 4 НИИПИ Государственного комитета по113035 Москва, ЖПодписное обретениям и...
Способ травления рисунков на металлизированных поверхностях
Номер патента: 1534095
Опубликовано: 07.01.1990
Авторы: Ганиев, Грибановский, Ченцова, Щеглов
МПК: C23F 1/02
Метки: металлизированных, поверхностях, рисунков, травления
...аэросила,2 табл. ценки качества получаемогоизмеряют ширину штриха нана образцах и вычисляют велитравливания штриха по формуизмеряют величину неровностриха, Измерения проводяткопе шеорса с насадкой МОВ1534095 МДФ Аэросил 20-40 30-45 Таблица 1 45 1 О 45 40 45 30 35 50 20 30 60 35 20 30 35 Таблица,2 Максимальная ве- личина Времятравления на Качество рисунка Составкомпозиции Ширина Величина Ширинаштриха накопиях,мкм Неровностькрая, мкм максистравли- ваемого растравливания штрихаформы,мкм мальную глубину с слоямеди,мкм штриха,Х 0,3 10 0,5 0,4 0,5 0,7 0,7 0,5 0,7 0,8 1,1 30 0,5 1- 15 20 2,0 1,5 50 5,0 2 -3 50 5,0 830 20 Технико-экономическим преимуществом предлагаемого способа является повышение точности воспроизведения рисунка. Формула...
Состав для травления углеродистых сталей
Номер патента: 1534096
Опубликовано: 07.01.1990
Авторы: Горячев, Дружинина, Жестков, Зуйкова, Лян, Подгорецкая, Подгорецкий, Попова, Портнов
МПК: C23F 1/28
Метки: состав, сталей, травления, углеродистых
...вещества 5-8 25Среди идентифицированных органических соединений в маточном растворе содержатся,7.: формальдегид 4-5;4-оксиацетофенон 0,2-0,7; 4-окси- оксиметилацетофенон 0,2-0,6; 4-окси-хлорметоксиацетофенон 0,1-0,5. Кроме того, в растворе находятся продукты осмоления и конденсации указанных веществ в количестве 0,5-1,2% Маточный раствор представляет собой низковязкую жидкость темного цвета При его хранении при комнатной температуре уже через 1-2 сут происходит выделение смолообразного коричневого осадка, образующегося за 40 счет дальнейшего протекания процессов осмоления и конденсации.На стадии получения 4-ацетокси- ацет оксиметилацетофенона получают отгонную уксусную кислоту содержащую 92-95% уксусной кислоты и...
Устройство для струйного травления длинномерных цилиндрических изделий
Номер патента: 1356521
Опубликовано: 30.03.1990
Авторы: Алферов, Мацнев, Павловский, Трофимов, Фролов
Метки: длинномерных, струйного, травления, цилиндрических
...12, симметрично расположенными относительно сквозного канала, соединяющего 40 смежные рабочие камеры 8, На брусе 5 установлен входной патрубок 13 для подачи травильного раствора, а в днище камеры 1 - сливной патрубок 14, обеспечивающий удаление отработанно го раствора, У входа и-выхода камеры 1 установлены тянущие ролики 15, служащие для вращения и перемещения из" делия 4 с определенной скоростью, Все злементь устройства выполнены из кислотостойкого материала.Устройство работает следующим образом.Травильный раствор подают через входной патрубок 13 в раздаточный коллектор 11 бруса 5, откуда раствор через тангенциальные проходные отверстия 12 с определенной скоростью и с заданным направлением подают в нижнюю нагнетательную камеру 9, где...
Ванна электрохимического травления
Номер патента: 1560643
Опубликовано: 30.04.1990
Автор: Шаповалов
МПК: C25F 7/00
Метки: ванна, травления, электрохимического
...травления по 5 лосовой нержавеющей стали.Целью изобретения является экономия электроэнергии при обеспечении одинаковой степени травления верхней и нижней сторон полосы. гоНа чертеже показана предлагаемая ванна.Ванна заполнена электролитом 1 и состоит из емкости 2, электродов 3 к 4 верхнего ряда, электродов 5 и 6 иижнего ряда, диэлектрических перегородок 7 в обоих рядах, диэлектрических экранов 8 в верхнем ряду, размещенных между каждым электродом и перегородкой. Смежные разноименные 20 электроды (анод и катод) 3 и 4 верхНего ряда и смежные разноименные электроды 5 и 6 нижнего ряда объединены в независимые секции с самостоятельными источниками 9 постоянного 25 тока. Полоса 10 стали, предназначенная для травления, размещена...
Способ травления кристаллов танталата лития
Номер патента: 1583478
Опубликовано: 07.08.1990
Авторы: Большакова, Елкин, Козлов, Масленников, Сорокина
МПК: C30B 29/30, C30B 33/00
Метки: кристаллов, лития, танталата, травления
...1. представлена структураполидоменного образца, выявленнаяс помощью известного и предлагаемогспособов; на фиг,2 - поверхности крталла танталата лития, подвергнутогтравлению предлагаемым способом втечение 5; 7 и 10 с; на фиг.3структура монодоменного и полидоменго образцов,Гранулированный едкий кали в колчестве 7 г засыпают в керамический ится к обралата лития астности к и доменной етодами опти кроскопии.ить и сокра нокристаллы едкого кали5-7 с.нижена до роводится расплава, получитьЦов в течение 5 с (фиг.2 а), 7 с (фиг.2 б) и 10 с (фиг.2 в) в расплаве дкого кали.П р и м е р 3. Полидоменный (фиг,Зб) и монодоменный (фиг.За) образцы, изготовленные из монокристалла танталата лития, одновременно Оодвергают травлению в расплаве едкого кали при...
Способ травления монокристаллов ниобата лития
Номер патента: 1583479
Опубликовано: 07.08.1990
МПК: C30B 29/30, C30B 33/00
Метки: лития, монокристаллов, ниобата, травления
...существенно понизитьтемпературу травления, сократитьего время и получить четкие Фигурытравления. Монокристаллы ниобаталития обрабатывают расплавом КОНс добавкой ИаОН в количестве 35 мас.Епри 150+0,2 С в течение 5 - 7 с. Пос -ле травления образцы опускают встаканчик с кипящей дистиллирован -ной водой, через 1 мин стаканчикоснимают с плитки и охлаждают до 30 С.Затем образцы обтирают и исследуютпод микроскопом. Способ позволяетполучить большую инФормацию о реной структуре, а также выявить до -менные структуры отрицательного иположительного дисков поляризации, 1583479травления ведет к потере контрастности или искажеиию картины травления.На снимке видны домены обоих знаков Использование предлагаемого способа по сравнению с известным позволяет...
Устройство для контроля глубины травления металлической пленки
Номер патента: 1585383
Опубликовано: 15.08.1990
Авторы: Готра, Лозинский, Орел
МПК: C23F 1/08
Метки: глубины, металлической, пленки, травления
...Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул. Гагарина,101 Изобретение относится к гальванотехнике, в частности к устройствамдля контроля глубины травления пленочных металлических покрытий,Цель изобретения - увеличение точности измерений и повышение чувствительности путем регистрации глубиныпри неполном стравливании металлаНа чертеже изображено данное устройство.Устройство для контроля глубинытравления металлической пленки включает подложку 1, на которую послойнонанесена резистивная пленка 2, а за.тем металлическая пленка 3, выполненная в виде клина. К выводам пленокподсоединен измерительный прибор 4:один...
Способ химического травления шлифов из углеродсодержащих материалов
Номер патента: 1589110
Опубликовано: 30.08.1990
Авторы: Карабаш, Нефедов, Соколовская, Тудоровская, Шапиро
Метки: травления, углеродсодержащих, химического, шлифов
...травления известным спасо"бом не удается снять качественныйотпечаток для электронно-микроскопического анализа, так как обнажаетсягруборельефность высокопорнстых каменноугольных коксов, В таблице представлены результаты травления в зависимости от содержания компонентов в растворе для травления и времени травления.Описанный способ позволяет получить точные и достоверные данные при оптическом и электронно-микроскопическом анализах минеральных примесей и выявленных структурных характеристик в шлифах каменноугольных коксов.Формула изобретения Способ химического травления шлифов из углеродсодержащих материалов в растворе, содержащем минеральную кислотуь бихромат калия и воду, для последующего оптического анализа,...
Состав для травления
Номер патента: 1594222
Опубликовано: 23.09.1990
Авторы: Груздев, Карпеев, Купрюнин, Мелкумянц, Раков, Федоров
МПК: C30B 29/30, C30B 33/00
Метки: состав, травления
...нагревают до 133 С, поме.- щают в образовавшийся расплав подложки ниобата и танталата лития и травят при этой температуре. Количество исходных компонентов для приготовления травителя и температуру травления определяют из фазовой диаграммы системы КР-НР при концентрациях КР 61 мас,Ж и НР 39 мас.й. зовано для химической обработки подложек ниобата и танталата лития. Цельизобретения - повышение скороститравления, Состав для травления монокристаллических подложек ниобата итанталата лития представляет собойрасплав компонентов, взятых в количестве, соответствующем на фазовойдиаграмме НР-КР, где И-щелочной металл и/или аммоний, соотношению,мас.7: МР 48-89, КР 11-52. Скоростьтравления повьшается в несколько разпо сравнению с прототипом. 1 табл....
Способ формирования фоторезистивной маски для плазменного травления
Номер патента: 1099776
Опубликовано: 23.10.1990
Авторы: Бугай, Ткаченко, Ярандин
МПК: H01L 21/3105
Метки: маски, плазменного, травления, формирования, фоторезистивной
...д.ттель) тьГнтес(о)ГО дик:аГОТГОе: .. Г Г.зцстивной маски; з-а цскб р Н,Г," ПРОВЕДЕНИЯ ДОНОГНИТЕЛЬН т( СПР) :;нанесения заципого слоя па Б 1 С)нанесения втсрогс ело 1:тоар(:3 с -его экипопироватптя рояв.Генц исушки, реак гивно. о ионного тра;1 сБ 102 и слоя толе:ого фоторетц.т;,11 елью изобретения явгтяегс;5 сстНИЕ ТЕХНОЛОгтНЕСКОГО 1 ИК 51;.эгт,:ния фоторезстВпойт аски спрофил"м ооковых с тонок11(.,ГЬ д 3 С Т 1РТ.бе формиров анЯ фос р=3 и гив,ОКИ ДЛЯ ЫаЗМЕННОГО ттэаВНЕПГГ ".К,щем операции Янесэ 5 фо Орес:сна ;Од 110)(к у . сушкус нонн с: Гц."Гспроявлс.ние эо бра кс:.я о-ле,эо,;пения изобракения проводят театнО,5-5 мин плсз."еп:у",. обработку;к. -.рЕЗИСта В БЧ дОдНО с 1 Сто:Е .- :ной среде прц павлецп. 0-, .1 ОС ПВтудельной мощности О...
Способ селективного травления нитрида кремния
Номер патента: 1297665
Опубликовано: 23.10.1990
Авторы: Осинов, Стратиенко
МПК: H01L 21/3065
Метки: кремния, нитрида, селективного, травления
...относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии изготовления полу проводниковых приборов.Целью изобретения является исключение подтрава нитрида кремния на обратной стороне пластины за счет снижения рабочего давления,П р и м е р. Селективное травление нитрида кремния проводят на тестовых пластинах в условиях серийного производства, На кремниевые пластинье КДБО с ориентацией 100 вреакторе пониженного давления осажодают нитрид кремния толщиной 50 ОА,затем при помощи Фотолитографии Формируеот рисунок из Фоторезиста, после Данный способ позволяет получатьв заявляемом диапазоне состава реа".гентов скорость травления нитридакремния от 350 А/миндо 650 А/мин,при этом селективность соответственно равна 9:1 и 6-.1.При...
Устройство для определения момента окончания травления нарушенного слоя полупроводниковых структур
Номер патента: 1608486
Опубликовано: 23.11.1990
Авторы: Михалев, Монахов, Петров, Попов, Степанов
МПК: G01N 5/00
Метки: момента, нарушенного, окончания, полупроводниковых, слоя, структур, травления
...1. Полупроводниковая структура 3 с нарушением в результате механической обработки приповерхностным слоем закрепляется на элементе 2. Далее сосуд заполняют травителем и производят балансировку весов с учетом массы сосуда с травитенем, массы элемента с закрепленной полупроводниковой структурой и действующей на них выталкивающей силы.При достижении балансировки весов производят их включение для регистрации суммарного эффекта от увеличения массы травителя за счет растворения в нем нарушенного слоя и от уменьшения массы и объема полупроводниковой структуры в процессе травления.Напряжение, возникающее при движении катушки 10 в поле магнита 11, определяет скорость травления нарушенного слоя. Изменения веса и скорость регистрируют с помощью...
Способ травления структур поликремний-окисел кремния
Номер патента: 1421189
Опубликовано: 23.12.1990
МПК: H01L 21/308
Метки: кремния, поликремний-окисел, структур, травления
...37,5 Па.Выключают генератор и устанавливаютанодное напряжение, соответствующееЯудельной мощности разряда 0,12 Вт/см .Эту стадию процесса ведут в течениевремеиир определенного из аиалитйческого выражения, исходя иэ заданногоухода размера элементов относительномаски. В табл. 1 и 2 приведены даи"иые, обосновывающие выбор режимовтравления на каждой из стадий про"цесса,Определение коэффициентов Ы ипроизводят следующим образом.Поскольку зависимость Ч, от Бтр в режимах второй стадии определяетсявыражением Чр то графике Б+Ъзависимости 1/7(Б) представляет собой прямую линию, Из наклона прямой, построенной по экспериментальным данным для режима второй стадии, вычисляют величину ос, а значение 1 Ь - путем экстраполяции к значению Б.=...
Способ жидкостного травления полупроводниковых пластин
Номер патента: 1436775
Опубликовано: 30.12.1990
Авторы: Гончаров, Деев, Скуратовский
МПК: H01L 21/306
Метки: жидкостного, пластин, полупроводниковых, травления
...сторон. 10Цель изобретения - повышение процента выхода годных кристаллов интегральных схем за счет исключенияпод;равливация рабочих сторон плас- итиц. 15В предлагаемом способе полупроводниковые пластинысовмещают попарнорабочими поверхностями, на которьксформированы интегральные схемы,После заполнения зазоров деионизован ной водой пластины охлаждают до температуры замерзания деионизованнойводы, Благодаря наличию слоя льдамежду совмещенными попарно полупроводниковыми пластинами и поддержа".нию температуры жидкого травителяниже 0 С при травлении обратных сторон полупроводниковых пластин рабочие стороны закрыты. от проникновения между ними жидкого травителя, аэкэотермическая реакция, возникающаяпосле окунания полупроводниковыхпластин...
Раствор для химического травления магнитов из ферритов бария и стронция
Номер патента: 1617057
Опубликовано: 30.12.1990
Авторы: Белашова, Белик, Фролова
МПК: C23F 1/30
Метки: бария, магнитов, раствор, стронция, травления, ферритов, химического
...не теряет своих травильных свойств,при многократном повторении дает постоянную картину структуры, тем са 10мым позволяет более точно идентифицировать Фазы и составляющие элемен-тов структуры.В табл. 2 представлены данные поопробованию известного и предложенного растворов при различных режимаххимического травления,Таким образом, использованиепредложенного раствора позволяетчетко определить границы зерен, толщину прослоек между кристаллами и2 Оразмеры зерен в магнитах от ферритовбария и стронция. Формула изобретения Раствор для химицеского травлениямагнитов из Ферритов бария и стронция, включающий минеральную кислотуи органическую комплексообразующуюдобавку, о т л и ч а ю щ и й с я ЗОтем, что, с целью повышения четкостивыявления границ...
Металлографический реактив для травления высокоуглеродистых высоколегированных сплавов
Номер патента: 1620889
Опубликовано: 15.01.1991
Авторы: Стрельцова, Сысуев
МПК: G01N 1/32
Метки: высоколегированных, высокоуглеродистых, металлографический, реактив, сплавов, травления
...повышение качества травления за счет более полного выявления структуры и улучшения условий труда. Готовят реактив путем растворения 30 - 250 г хлористого натрия в 1 л дистиллированной воды при комнатной температуре, после чего в раствор добавляют 20 - 50 г активированного угля. В полученном реактиве травят металлографический шлиф из аустенитного высоконикелевого чугуна. Реактив по сравнению с известным позволяет наиболее полно выявить структуру сплава и, кроме того, он экологически чистый, поскольку не содержит кислоты, 1 табл. нии температуры больше 60 С качество вления ухудшается.Составы приготовленных водных растворов приведены в таблице,Во всех реактивах травили образцы из аустенитного высоконикелевого чугуна типа МКС (ТУ...
Средство для одновременного обезжиривания и травления стальной поверхности
Номер патента: 1622424
Опубликовано: 23.01.1991
Авторы: Григорьева, Карпель, Клымкив, Луценко, Мартинович, Олейник, Шестопалов
МПК: C23G 1/02
Метки: обезжиривания, одновременного, поверхности, средство, стальной, травления
...шкуркой, обезжиривают эфиром (для обеспечения хорошего контакта металла со средством), взвешивают на аналитических весах и погружают в исследуемое средство при 18 - 21 С, После 30 мин выдержки в средстве образцы промывают дистиллированной водой, высушивают и вновь обрабатывают эфиром, а затем взвешивают на аналитических весах, Разница показаний двух взвешиваний составляет потерю веса образца Л Р.Скорость растворения металла определяют по формулеЛР/=- -г, где Ч - скорость растворения металла, г/м;Л Р - потеря веса, г;5 - поверхность образца, м;2,1 - время испытания, ч.Окись алкилдиметиламина (алкилдиметиламиноксид СпН 2 п+1(СНз)2 МО, где и = 10 - 18) - поверхностно-активное вещество, светло-желтая жидкость, хорошо растворима в воде,...
Устройство для контроля толщины детали в процессе размерного химического травления
Номер патента: 1627591
Опубликовано: 15.02.1991
Автор: Складчиков
МПК: C23F 1/04
Метки: детали, процессе, размерного, толщины, травления, химического
...с контактами 10 электрической цепи 5, изолированными от контакта с раствором.Торцы стержней 9 открыты со стороны полости 11 присоски 5 и загублены в отверстия 6 на 1 - 2 мм, Электрическая цепь включает источник 12 постоянного тока, звонок 13 и лампочку 14.Устройство работает следующим образом.В детали 3 предварительно покрывают участки поверхности, не подлежащие травлению, защитным материалом.Свидетель 7 устанавливают на присоске 5 датчика 4 так чтобы отверстие 8 было обращено к полости 11 присоски,Деталь 3 и датчик 4 со свидетелем 7 одновременно погружают в ванну 1 с рабочей средой.При стравливании заданного слоя отверстие 8 становится сквозным, раствор заполняет полость 11 присоски 5, в результате чего происходит замыкание...
Раствор для одновременного обезжиривания, травления и полирования меди и ее сплавов
Номер патента: 1627592
Опубликовано: 15.02.1991
Авторы: Бойко, Игнатенко, Каличава, Ляпина, Никитина, Юрков
МПК: C23G 1/06
Метки: меди, обезжиривания, одновременного, полирования, раствор, сплавов, травления
...я кисло,0 ир колев кисло лированн ный жи ак ииС рны а-С Во а 10 мин получены детали со светлой блестящей поверхностью, без следов жировых загрязнений, При этом работоспособность раствора увеличивается в 3 раза. Обработка деталей в предложенном растворе с количеством ингредиентов ниже нижнего предела и выше верхнего предела дает более низкие показатели,Поверхностно-активное вещество стеаронотносится к неионогенным ПАВ стероксам - техническим продуктам, содержащим 90 - 99 /, по массе полиэтиленгликольмоностеаратов С 17 Нз 5 СОО(С 2 Н 4)пН, где пт=6, Присутствие стеаронав растворе придает ему способность обеэжиривать и очищать поверхность деталей от продуктов реакции при комнатной температуре, а также способствует...
Раствор для химического травления стали
Номер патента: 1633017
Опубликовано: 07.03.1991
Авторы: Адамчук, Бородин, Воронина, Кривощапов, Меняйло, Пудов, Семенцов, Сироткин, Шишкова, Яковлева
МПК: C23F 1/28
Метки: раствор, стали, травления, химического
...Смесь Я-оксиэтил-лауриламина и Я-оксиэтилОртофосфорнаякислота после травления ления,мин30 Матоватостьследы растрав 19,0 ливания До 100 240 0,5 15,0 Интенсивность процесса оценивает по времени, в течение которого происходит удаление окалины на 99,8 Х, т.е.г окалиныдо 0,02в . Оценку на подкг изделия травливание поверхности металла проводят путем осмотра на отсутствиеструктурного и точечного растравапод микроскопом МБИ. Анализ экспериментальных данных показывает, что 7(из" вестный) Натриевая солькарбоксиметилированногоэтоксилатанзононилфенола Поверхностьнеоднороднаяточечный До 100 1,5 Поверхность светлая, однородная, без следов раст- рава Поверхностьнеоднородная, растрав поверхности, выявление структурных состав- ляющих7 6лению матовости...
Раствор для одновременного травления и обезжиривания стали
Номер патента: 1633019
Опубликовано: 07.03.1991
Авторы: Ананников, Брехуненко, Глушко, Каличава, Ляпина, Никитина
МПК: C23G 1/06
Метки: обезжиривания, одновременного, раствор, стали, травления
...раствора оцениваютплощадью поверхности, обработаннойодним литром раствора (м /л).Анализ полученных результатовпоказывает, что время обработки образцов сокращается в 3 раза, значительно снижается температура рабочего раствора, работоспособность раствора возврастает в 1,5-2 раза, Поверхность обработанная предлагае -мым раствором, имеет светло-серыйцвет, жировые загрязнения и шлам наповерхности отсутствуют, В составпредлагаемого раствора по сравнению 45с известным дополнительно вводятсянитрат и фторид натрия, диэтиловыйэфир диэтиленгликоля, в качестве ПАВиспользуется синтанол ЦТ,Нитрат натрия окисляет поверхностные оксидные пленки легированных сталей, вызывая изменение структуры, врезультате чего они разрушаются, Например:2 РеО Сг...
Способ сухого травления ниобата лития
Номер патента: 1638222
Опубликовано: 30.03.1991
Авторы: Гольдфарб, Дикарев, Перелыгина, Петраков
МПК: C30B 29/30, C30B 33/12
Метки: лития, ниобата, сухого, травления
...типа на расстоянии 45 мм от потенциального электрода.Диаметр камеры 120 мм, Вакуумы тема обеспечивает уровень предв тельного разрежения в РРК не2,7 Па, Процесс травления 1.1111 ЬО про" водят при давлениях плаэмообразующего газа Р=40, 53, 66 Па и средних эначеИзобретение относится к обл ионики, в частности к методамовления приборов на твердомтеиспользованием ниобата лития.ечиваетсяповьппение скоростиения. Спо соб включает сухоеение в плазме высокочастотногода газообразного гексафторида5 Р при условии Т 700-39 4 Р,- температура ниобата лития, К;авление Баб 9 равное 406 Р 66 Па.гнута скорость травления 0,25 мкм/мин. 1 табл,В таблице приведены рез ы травления образцов 1 ЙЬОз при различных параметрах процесса: Р - д ение,.Па; И - среднее...
Способ электрохимического травления алюминиевой фольги
Номер патента: 1640216
Опубликовано: 07.04.1991
Авторы: Горлов, Палатник, Шатровский
МПК: C25F 3/04
Метки: алюминиевой, травления, фольги, электрохимического
...проце ски в 2 раза по сра фольги, движущейся раз, при наличии дву т,д. Другими словам положение фольги в1640216 Состав раствора, режим электролиза, параметры фольги до и послеобработки П е агаемый способ В 905341 М 894023 Состав раствора,г/л;натрий хлористый борная кислота аммоний хло истый0,08 10 0,1 1 0,14 анодная плотность тока, А/см температура. раствора, С о продолжител ьность об аботки, с92 92 83 70 20 20 ЗЗ 33 45 35 скорость перемещения фольги,мм/с 10 Пе еме ения ольги нет имеет существенное значение для повышения скорости обработки и уменьшения приэтом энергетических затрат,Применение предлагаемого способа.по з валит в 2,5-9 раз ускорить обработку алюминиевой фольги при одновременном повышении удельной емкостг обработанной...
Раствор для одновременного обезжиривания и травления поверхности алюминиевых сплавов
Номер патента: 1666578
Опубликовано: 30.07.1991
Авторы: Андриатис, Ильгюс, Каушпедас, Каушпедене, Курила
МПК: C23F 1/36
Метки: алюминиевых, обезжиривания, одновременного, поверхности, раствор, сплавов, травления
...позволяет качественноочистить и активировать поверхность алюминиевых сплавов при незначительном ее растравливании. 10 Формула изобретенияРаствор для одновременного обезжиривания и травления поверхности алюминиевых сплавов, содержащий щелочной агент, нзтриевую соль азотсодержащей неоргани ческой кислоты, тартрат натрия и выравнивающуюдобавку, отличающийся тем, что, с целью предотвращения растравливания поверхности, он дополнительно содержит синтанол ДС, в качестве щелочного 20 агента - смесь карбонатз, бикарбоната, полифосфата натрия и борной кислоты, в качестве натриевой соли азотсодержащей неорганической кислоты - нитрат натрия, а в качестве выравнивающей добавки - пири дин при следующем содержании компонентов, г/л:Щелочной агент...
Раствор для одновременного обезжиривания и травления поверхности алюминиевых сплавов
Номер патента: 1666579
Опубликовано: 30.07.1991
Авторы: Каушпедас, Каушпедене, Петрухин, Ступин, Уткина
МПК: C23F 1/36
Метки: алюминиевых, обезжиривания, одновременного, поверхности, раствор, сплавов, травления
...от тип) 22 2 3 0,1 0,5 2,0 0,1 7:3:а:39:4:5:410:5:8:45;3:4:318:4:6;4945 е 4 0,3 1,0 2,0 0,3 2 0 17 22 22 2,2 5 1 32 22,0 Для получения щелочного агента смешивают и растворяют в дистиллированной воде карбонат, бикарбонат, полифосфат натрия и борную.кислоту.Затем в отдельной порции дистиллированной воды растворяют все остальные компоненты, после чего смешивают полученные растворы.Процесс одновременного обезжиривания и травления осуществляют при 55 ОС, продолжительность обработки 2 мин.Образцы из сплава алюминия 1541 с "исходной шероховатостью Ва =0,015 мкм обрабатывают в известном и предложенном растворах. После очистки образцы промы вают и сушат, затем измеряют шероховатость поверхности образцов при помощи профилографа-профилометра...
Раствор для травления поверхности ударопрочного полистирола перед химической металлизацией
Номер патента: 1693119
Опубликовано: 23.11.1991
Авторы: Бабинский, Бардина, Канчуковский, Мельник, Трушкина
МПК: C23C 18/26
Метки: металлизацией, поверхности, полистирола, раствор, травления, ударопрочного, химической
...количество активных центров дляпоследующего химического меднения. 20П р и м е р 1. Состав для травленияготовят следующим образом: к 45 г(;=1,2632) глицерина добавляют 35 гс 3 =1,03375 (диоксана и перемешивают 25стеклянной палочкой при добавлении к полученной эмульсии 20 г(сй =1,1109) формали 20на, что соответствует 45 глицерина, 35%диоксана и 200 формалина. При перемешивании раствор становится гомогенным. 30Травление проводят при комнатной температуре погружением изделий в приготовленный состав на 45 с, затем детальп ромы вают и роточ ной водой и высушивают.Проводят процесс активации поверхности в 35кислом растворе двухлористого оловаЯпС 2+2 Н 20. Содержащиеся в нем ионыЯп+2 сорбируются на поверхности обрабатываемых изделий и...
Агрегат для травления проката
Номер патента: 1693121
Опубликовано: 23.11.1991
Авторы: Быковский, Данильченко, Шевченко
МПК: C23F 1/08
Метки: агрегат, проката, травления
...тиристоров 15 соединены с программным коммутатором 17,Непрерывный травильный агрегат работает следующим образом,Рулоны, поступающие на агрегат, устанавливаются на разматыватель 1, при помощи которого рулон разматывается и полоса 14 подается в окалиноломатель, где проис-. ходит предварительное разрушение окалины. После правки концов на правильной машине 3 производится их обрезка на спаренных ножницах 4 и сварка на стыкосварочной машине 5. После этого полоса проходит через дрессировочную клеть 6, где при обжатиях 2 - 5 ф происходит дальнейшее раздробление окалины, и устройство 7 для упругого деформирования полосы, где при включении электрозарядного источника 16(фиг,2) и программного коммутатора 17 тиристоры 15 получают поочередно...
Раствор для травления кварца
Номер патента: 1694500
Опубликовано: 30.11.1991
Авторы: Быстрова, Купрюнин, Лаврищев, Мелкумянц, Раков, Тамбовцева, Федоров
МПК: C03C 15/00
Метки: кварца, раствор, травления
...- 17НГОнну 90 4 О,В 10 8515 141 0,6 НГ-ННьГ-НЗО- иэокротоновая кислота 2 ОО 40,8 нг-ннг-н о -1изокротьоновая кислотаНН 4 НГ, -Н,О -изоянтарйая кйслота НР "О 5 Ннгг - 1 -5 15 9,7 1 О 5 енг,-н,о - физоянтарная кислота 1,6 нн,нг,-но - изоянтарная кислота 4,8 9,В НГ НННГ, -2нг-зННчЩ - 2нр юннзнг 2 - 21 Е 80 нг-нньнг -н о - ацетоновая кислота в НГ-НН 1,НГ -Н 40 ацетоновая кислота 0,5 во 4,7 нг-ннзнг, -нзоацетоновая кислота ео 1 О итаконовая кислота 0,6 НГ-Н О итаконовая кислота 5,4 12НГ-Н О -)итаконовая кислота 11,5 75 1 Э в,г 15 нг-и овалериановая кислота 75 14 4,1 нг-новалериановая кислота 25 1 О 3,8 4 192 112 15 0,45 2 О Нзо валериановая кислота 3,8 36 12,4 5 154 16 60 гГН 1 НГ,-Н О- иэомасляная кислота 1 О 75 НН,НР-Н,Оизомасляная кислота...