Патенты с меткой «травитель»

Страница 2

Полирующий травитель для иодида ртути

Загрузка...

Номер патента: 816331

Опубликовано: 15.07.1983

Авторы: Залетин, Ножкина, Петрунина, Рогозина

МПК: H01L 21/461

Метки: иодида, полирующий, ртути, травитель

...широкоиспользуемого травителя метанол рассмотрен быть не может. Кроме того, скорость травления образцов Ндд 2 метанолом составляет не более 0,9 мкм/с, а на стран- ленной поверхности остаются четкие Фигуры роста кристалла в виде пирамид, вершины которых со временем постепенно растравливаются.Наиболее близким техническим решением является полирующий трави- тель для иодида ртути, включающий 45 галогенсодержащий компонент и воду 2.В качестве галогенсодержащего компонента используют 10-20 мас, водного раствора иодистого калия. 50Недостатками известного травителя являются: Для получения полированой поверх-ности образца необходимо снимать понескольку сот микрон материала, иприведенная скорость травления представляется...

Селективный травитель для дийодида ртути

Загрузка...

Номер патента: 928946

Опубликовано: 07.08.1983

Авторы: Залетин, Ножкина, Петрунина, Рагозина

МПК: H01L 21/465

Метки: дийодида, ртути, селективный, травитель

...соединений ртути. Это требует дополнительных мер беэопас " ности при. использовании и хранении травителя, что создает трудности в его применении и удорожает обработку кристаллов,Наиболее близким техническим решением к изобретению является селек тивный травитель для дииодида ртути,. включающий галогеносодержащий ком-.понент и воду Г 2 . Травйтель представляет собой 20-ный водный раствор КХ,Исследования селективной способ-.ности 20-ного водного раствора КЮпоказали, что скорость травления об,разцов Ндд 2 20-ным водным раство"ром иодистого калия составляет5,6 мкм/с, на протравленной поверхности образца остаются четко выявлен.ные дислокации в виде ямок травления,имеющие форму четырехугольников иразмеры 5"10 мкм.При использовании...

Полирующий травитель для антимонида индия

Загрузка...

Номер патента: 1059033

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Сорокина, Улин

МПК: C30B 33/00

Метки: антимонида, индия, полирующий, травитель

...чтопри большой скорости травления приводит к созданию неровностей типа"апельсиновой корки" .Кроме того, очень высокая скорост/травления около 800 мкм/мин) непозволяет контролировать малые толщины удаляемых слоев,Цель изобретения " улучшение качества обработки поверхности и снижение скорости травления.Поставленная цель достигаетсятем, что травитель для антимонидаиндия, содержащий концентрироваиную плавиковую кислоту и окислитель, дополнительно содержит 7,610,4-ный водный раствор щавелевойкислоты и в качестве окислителя перекись водорода и концентркрованнувсерную кислоту при следующем соотно-,шении компонентов, об.ч.;Плавиковая кислота 2-4Перекись водорода 0,3-1,5Серная кислота 2-47,6-10,4-ный водныйраствор .щавелевойкислоты...

Травитель для полировки монокристаллов висмута

Загрузка...

Номер патента: 1142532

Опубликовано: 28.02.1985

Автор: Багай

МПК: C30B 29/02, C30B 33/00

Метки: висмута, монокристаллов, полировки, травитель

...дислокационной структуры,Поставленная цель достигается тем, что травитель для полировки монокристаллов висмута, содержащий азотную, уксусную и плавиковую кислоты, содержит компоненты при следующем соотношении, об.ч.:Азотная кислота(ледяная)Плавиковая .кислота (50%-ная) 0,02-0, 16 20253040 П р и м е р 1. Монокристалл висмута, имеющий Форму цилиндра, плоский торец которого имеет ориентацию 111, а с противоположной стороны ограничен полусферой, в которой сколом обнажена плоскость (111), обрабатывают в травителе, содержащем азотную кислоту (плотность 1,36), уксусную кислоту (ледяную) и плагиковую кислоту (50%-ную), взятые в соотношении (об,ч.) соответственно 4,00:8,00:0,04. Обработку ведут при встряхивании слитка и температуре травителя...

Травитель меди

Загрузка...

Номер патента: 1145056

Опубликовано: 15.03.1985

Авторы: Макаров, Макарова, Оборина, Рагозин

МПК: C23F 1/00

Метки: меди, травитель

...состава травителя и способ его использования.Тра витель готовят простым смешением компонентов и используют при комнатной температуре в качестве химического реактива и электролита при наложении тока 1- 1,6 А/см 2 и напряжении 20 в в течение 1- 20 с. Этот состав полирует и выявляет одновременно границы зерен, дислокацию на плоскостях (11) (110) (100), макроструктуру в виде сферолитоВ.Пример /. Выявление границ зерен.Ьерут концентрированную азотную кислоту (пл. 1,4 г ем) - 50 О/о, ортофосфорную кис,оту (пл. 1,84 г/см) - 26 О/о и ледяную уксусную кислоту (пл. 1,049 г/ем) - 24 О/о. 45056Компоненты состава смешивают при комнатной техс ратурсхПри погружении в раствор медного образца ца 30 с ца поверхности вытравливаются границы зерен....

Травитель для халькогенидных стекол (его варианты)

Загрузка...

Номер патента: 1160483

Опубликовано: 07.06.1985

Авторы: Днепровский, Мамедов, Михайлов, Яковук

МПК: C30B 29/46, H01L 21/302

Метки: варианты, его, стекол, травитель, халькогенидных

...74,3. Время. растворения облученных участков пленки 2 мин. Через 2 мин подложку с пленкой вынимают из травителя, ополаскивают спиртовым раствором уксусной кислоты и высушивают. Измеряют высоту рельефа толщину необлученных участков пленки) по сдвигу интерференционных полос в микроскопе ИИИ, Толщина оставшейся пленки - (0,18+0,01) мкм - близка к начальной, Опыт с экспонированной пленкой повторяют, измеряя времярастворения незасвеченных участков,30 которое равно 10 мнн, Таким образом, отношение скоростей облученного .и необлученного участковпленки, т.е. селективность травителя, составляет 5: 1.35 П р и м е р 2. Аналогично предыдущему примеру подготавливают пленку состава Аз Яе , толщиной 0,28 мкм. Для формирования рельеФа используют...

Травитель для электролитического выделения карбидной фазы из низколегированных углеродистых сталей

Загрузка...

Номер патента: 1185165

Опубликовано: 15.10.1985

Авторы: Новак, Цыба, Чумакова

МПК: G01N 1/32, G01N 31/00

Метки: выделения, карбидной, низколегированных, сталей, травитель, углеродистых, фазы, электролитического

...растрава, питтингов, карбиды отделяются хорошо 3 ОХ 5 МФС Светлая, чистаярава, питтинговются хорошо отсутствие расткарбиды отделя 4 Темно-серая, иногда точечная коррозия, питтинги Светлая, до снятия остатка карби ды не удерживаются на поверхност Известный 6 Темная, растравы, точечная коррозия питтинги Травители опробованы на образцах- стержнях диаметром 20 мм и высотой 50 мм из стали 40 Х 5 МФСА и 32 Х 2 НВМБР.Выделение карбидной фазы осуществляли следующим образом.Образцы помещали в предварительнооохлажденные до 5 С составы электролитов (предложенный и известный). В обоих случаях выделение карбидной фазы производили при анодной плотности тока О, 025 А/см и времени электролиза 1,5 ч.В процессе электролиза образцы растворялись в...

Травитель для кремния

Загрузка...

Номер патента: 1074327

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Бакланов, Колесникова, Репинский, Свешникова

МПК: H01L 21/306

Метки: кремния, травитель

...скорости травлениякремния.При Се6 Е в области темпераотур 35-40 С увеличивается скоростьразложения дифторида ксенона и процесс становится нестабильным.П р и м е р. Раствор травителяготовят растворением навесок дифторида ксенона в ацетонитриле. Определение времени разложения дифторидаксенона и травление монокристалловкремния проводят в тефлоновом реакторе при непрерывном перемешиваниираствора травителя. Температуру травителя задают и поддерживают постоянной с помощью ультратермостата И.Определение времени разложения днфторида ксенона проводят периодическим титрованием проб раствора иодометрическнм методом.В таблице приведены времена полуразложения дифторида ксенона (с, ),растворенного в воде и ацетонитриле.Как видно из таблицы, растворы...

Травитель для прецизионного химического полирования монокристаллов антимонида галия и твердых растворов на его основе

Загрузка...

Номер патента: 1135382

Опубликовано: 15.10.1986

Авторы: Лазарев, Луфт, Хусид, Яссен

МПК: H01L 21/306

Метки: антимонида, галия, монокристаллов, основе, полирования, прецизионного, растворов, твердых, травитель, химического

...и 457-ного ра 40створа плавиковой кислоты НР при соотношениях компонентов, указанных впримерах 1-5. Используются реактивы .марок ОСЧ или ХЧ (молочная кислота)и деионизованная вода марки АТравление поверхности монокристал 45лов СаЯЬ.Образец, например монокристаллическую пластину СаЯЬ ориентации100) или 111 В толщиной 400 -600 мкм, предварительно подвергнутую химико-механическому полированию (ХМП), очищают от поверхностныхзагрязнений, помещают во фторопластовую кассету и подвергают химико-динамическому полированию вначале в55 известном составе травителя (1) или(2) с большой скоростью травления35382 43 мин; обработка в концентрированной НГ - 5 мин, промывка в воде2-3 мин, сушка в центрифуге - 2 мин.Такая последовательная обработкапри...

Травитель для химического полирования монокристаллов фосфида галлия

Загрузка...

Номер патента: 1127477

Опубликовано: 15.10.1986

Авторы: Герасимова, Луфт, Хусид, Яссен

МПК: H01L 21/306

Метки: галлия, монокристаллов, полирования, травитель, фосфида, химического

...концентрированФ55ных азотной и соляной кислот повсей вероятности, уксусная кислотавзаимодействует с активным хлором,образующимся в смесях концентрирован 477 3 ных НС 1 и НБО с образованием хлор 3уксусной кислоты, являющейся более сильной кислотой и лучшим комплексантом по отношению ко многим ионам металлов, .чем уксусная кислота. Это способствует лучшему отводу продуктовреакции окисления фосфида галлия в системе Низ -НС 1 - СН СООН, а следовательно; и повышению полирующей способности предлагаемых составов травителей (по сравнению с прототипом);лучшее по сравнению с прототипомкачество поверхности полированных пластин, особенно монокристаллических пластин, изготовленных из высоколегированных образцов Р - СаР;получение гладкой зеркальной...

Травитель для монокристаллов нитрита натрия

Загрузка...

Номер патента: 1612000

Опубликовано: 07.12.1990

Авторы: Иванцов, Николаев

МПК: C30B 29/10, C30B 33/00

Метки: монокристаллов, натрия, нитрита, травитель

...1 - 2 с и высушиваются в потоке теплого воздуха от тепловентилятора, Поверхности обработанных образцов исследуют в оптическом микроскопе МБИУ 4,2 и электронном просвечивающе. микроскопе УЭМ, Исследования показали, что дислокационные ямки травления выявляются после обработки травителем лишь на поверхностях 301). При лроведении нескольких поочередных травлений основания призматических образцов шлифуются на мелкой наждачной бумаге и полируются на слегка влажной фильтровальной бумаге.Глубина ямок травления, оцененная поневому контрасту в электронном микроопе, составляет в среднем 2,5-3,0 мкм.Кристаллографическая ориентация поверхностикристалла Результаты обработки Состав т авителя,мас,Этиловый спирт15 Эффективное травление выходов...

Травитель для порошкообразных электролюминофоров постоянного тока

Загрузка...

Номер патента: 1638150

Опубликовано: 30.03.1991

Автор: Леванцова

МПК: C09K 13/00

Метки: порошкообразных, постоянного, травитель, электролюминофоров

...химической промышленности, в частности к получению травителя порошкообразных электролюминофоров постоянного тока на основе сульфида цинка, Целью изобретения является повышение яркости люминофора после свечения. Поставленная цель достигается эа счет использования травителя для порошкообразн ых электрол юминофоров постоянного тока, содержащего азотную кислоту и глицерин при следующем соотношении компонентов, мас,%; азотная кислота 54- 80, глицерин 20 - 46. 1 табл. После прфор отмываютральнои реапри 100-150зу (Си 23).Составы тлюминофоротаблице,Яркость свеченимощью фотоэлектричеФПЧ.Как видно иэ предданных, использованивителя позволяет улуские характеристикипо сравнению с прото12 - 41%). екращения травления люм т от травильной смеси до кции...

Травитель для эпитаксиальных пленок на основе железоиттриевого граната

Загрузка...

Номер патента: 1682417

Опубликовано: 07.10.1991

Автор: Мальцева

МПК: C30B 29/28, C30B 33/08

Метки: граната, железоиттриевого, основе, пленок, травитель, эпитаксиальных

...с выдеуокиси азота, что обуславливает е скорости травления эпитакпленок толщиной 20 мкм до ин, При превышении данной кон- ф азотной кислоты скорость трав- растает еще более, но при этом ухудшаться качество границ вымых элементов,ники, таки нии задер ляется пов обеспечен лективно Для дости витель, со азотную к ту в соотн вен но, Т темп ерату ратуре азо лением дв повышени сиальных 3 - 4 мкм/м центрации ления воз начинает травливае Поставленная цель достига травитель для эпитаксиальных содержащий ортофосфорную полнительно содержит концен азотную кислоту при следующ нии компонентов, мас. ;Азотная кислота (концентрированная)ОртофосфорнаякислотаТравление производится туре около 175 С, близкой к кипения ортофосфорной кисло температуре...

Травитель для выявления структуры в оксиде алюминия

Загрузка...

Номер патента: 1733517

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Макаров, Макарова

МПК: C30B 29/20, C30B 33/10

Метки: алюминия, выявления, оксиде, структуры, травитель

...железо.Происходила бурная реакция взаимодействия компонентов, Травление проводили вфарфоровой. емкости, которую нагревали наплитке вместе с травителем при 40 С в течение 1-2 мин. Образец из оксида алюминия в это время травился, после травленияпромывали тщательно от продуктов травле; ния водой, спиртом, Структура изучается наэлектронном микроскопе в зависимости от 50размеров элементов структуры, выявляемых травителем.Приведенные в таблице данные показывают, что по сравнению с аналогом (примеры 1 и 2) предлагаемый способ выявляет 55микроструктуру оксида алюминия, а не ямкитравления в плоскости (ОООЦ и т.д, при 4050 С вместо 680 С,В сравнении с прототипом (пример 3)предлагаемый способ значительно, увеличивает скорость травления (в 15...

Травитель для ниобата бария-стронция

Загрузка...

Номер патента: 1660407

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Девятова

МПК: C30B 29/30, C30B 33/08

Метки: бария-стронция, ниобата, травитель

...1 Зерен осадка нет,чистая поверхность 1 О 2) Травление. Подготовленную дляобработки ппастнну выкладывают воткрытый торопластовый стакан, заливают слоем травителя толщиной 12 си и при перемешивании выдерживают в течение времени, предварительно определенного по контрольномуобразцу,3) Прекращение травления. По окончании необходимого времени образецвынимают из.травителя, тщательно промывают под струей деиониэованной во"ды с обеих сторон,4) Сушка. Тщательно отицтую пластину сушат либо под струей осушенно-.го воздуха нлп инертного газалибоцентрифугированием,П р и и е р. Пластину монокристаплнческого кремния с сформирован Сным слоем ниобата бария-стронция высушивают до постоянного веса на мик. роаиалитических весах с точностью(510) О" г,...

Щелочной травитель для утонения кремния

Загрузка...

Номер патента: 1829773

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Баранов, Ковалевский

МПК: H01L 21/306

Метки: кремния, травитель, утонения, щелочной

...из компонентов марки ОСЧ с использованием деионизованной воды (20 МОм), Готовили пять составов, количественное соотношение которых приведено в табл. 1,П р и м е р ы 2 - 4. Приведены в табл. 1, соответствуют данному щелочному травителю для утонения кремния.После смешивания компонентов травителя его выдерживают в течение 30 - 40 мин, после чего травитель готов к использованию.Съем кремния при утонении пластин осуществляется в установке ДРМЗ. 249025 на эластичных капралоновых столиках с вакуумной присоской, на которые укладывают кремниевые пластины планарной стороной к поверхности столика. После их укладки и присоски столик погружают в травитель и начинают обрабогку непланарной стороны (процесс утонения) в травителе при...

Травитель для полупроводниковых соединений

Номер патента: 670005

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Аграфенин, Аграфенина

МПК: H01L 21/302

Метки: полупроводниковых, соединений, травитель

Травитель для полупроводниковых соединений, содержащий трехокись хрома и соляную кислоту, отличающийся тем, что, с целью получения зеркально-гладкой поверхности пластин кристаллов и пленок полупроводниковых соединений типа А4В4С6 и А4В6С6, он дополнительно содержит уксусную кислоту и воду при следующем соотношении компонентов, вес.%:Трехокись хрома - 2,5 - 10Соляная кислота - 2,6 - 18Уксусная кислота - 1,86 - 12,65Вода - Остальное

Травитель для полупроводниковых соединений типа aiiibv

Номер патента: 673083

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Аграфенина

МПК: H01L 21/48

Метки: aiiibv, полупроводниковых, соединений, типа, травитель

Травитель для полупроводниковых соединений типа AIIIBV, преимущественно для антимонида индия, содержащий водорастворимые органические кислоты, преимущественно винную и этилендиаминтетрауксусную, окислитель и воду, отличающийся тем, что, с целью получения зеркально-гладкой поверхности травления при малых толщинах съема материала и улучшения эксплуатационных свойств травления, он дополнительно содержит соляную кислоту и кислородхлорсодержащий окислитель, преимущественно хлорноватистую кислоту, при следующем соотношении компонентов мас.%:Водорастворимые органические кислоты, преимущественно винная и этилендиаминтетрауксусная - 0,4 - 0,5Соляная кислота (37%) -...

Травитель для арсенида индия

Номер патента: 1088586

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бакланов, Девятова, Журков, Репинский, Свешникова

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, индия, травитель

Травитель для арсенида индия, включающий бром и органический растворитель, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности процесса травления и снижения токсичности, в качестве органического растворителя травитель содержит ацетонитрил при следующем количественном соотношении компонентов, об.%:Бром - 0,1-2,5Ацетонитрил - 97,5-99,9

Травитель для поликристаллического кремния, легированного кислородом

Номер патента: 871685

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бакланов, Репинский, Свешникова

МПК: H01L 21/306

Метки: кислородом, кремния, легированного, поликристаллического, травитель

Травитель для поликристаллического кремния, легированного кислородом, содержащий водный раствор дифторида ксенона, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества поверхности кремниевых подложек и снижения стоимости технологического процесса, он дополнительно содержит плавиковую кислоту при следующих соотношениях компонента, мас.%:Плавиковая кислота - 0,75 - 10Дифторид ксенона - 0,05 - 1,0Вода - 89,0 - 99,2

Селективный травитель для граней 110 кристаллов парателлурита

Номер патента: 1445280

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Геталов, Сербуленко, Яковлева

МПК: C30B 29/16, C30B 33/10

Метки: граней, кристаллов, парателлурита, селективный, травитель

Селективный травитель для граней {110} кристаллов парателлурита, содержащий углекислую соль щелочного металла и воду, отличающийся тем, что, с целью упрощения и сокращения времени травления, в качестве соли травитель содержит углекислый натрий и дополнительно гидроокись калия при следующем соотношении компонентов, мас.%:Углекислый натрий - 2-5Гидроокись калия - 10-20Вода - Остальное

Полирующий травитель монокристаллов германата висмута

Номер патента: 965240

Опубликовано: 27.05.2000

Авторы: Репинский, Свешникова

МПК: H01L 21/306

Метки: висмута, германата, монокристаллов, полирующий, травитель

Полирующий травитель монокристаллов германата висмута, содержащий соляную кислоту и воду, отличающийся тем, что, с целью получения зеркально-гладких поверхностей и упрощения технологического процесса обработки кристаллов, он дополнительно содержит многоатомный предельный спирт - этиленгликоль или глицерин при следующих соотношениях компонентов, мас.%:Соляная кислота - 5 - 35Многоатомный предельный спирт - 10 - 85Вода - 5 - 85

Травитель для реставрации термокомпенсаторов из молибдена и его сплавов

Номер патента: 1001825

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Козлов, Лейчук, Пинчук, Рюмшин

МПК: H01L 21/306

Метки: молибдена, реставрации, сплавов, термокомпенсаторов, травитель

Травитель для реставрации термокомпенсаторов из молибдена и его сплавов, содержащий перекись водорода и соляную кислоту, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности удаления с поверхности термокомпенсатора алюмосилицидов при сохранении плоскопараллельности его сторон, он дополнительно содержит фтористоводородную кислоту при следующем соотношении компонентов, вес.%:Перекись водорода - 2 - 92Фтористоводородная кислота - 4 - 96Соляная кислота - Остальное

Способ полирования монокристаллов дифторида бария и травитель для полирования монокристаллов дифторида бария

Номер патента: 1281085

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Свешникова

МПК: H01L 21/306

Метки: бария, дифторида, монокристаллов, полирования, травитель

1. Способ полирования монокристаллов дифторида бария, включающий подачу травителя на тканевый полировальник, вращение полировальника вокруг оси и прижатие обрабатываемых монокристаллов к полировальнику, отличающийся тем, что, с целью повышения качества обработки поверхности, травитель на полировальник подают с расходом 5 10-8 - 1,66 10-7 м3/с, а полировальник вращают вокруг своей оси с угловой скоростью 1,0 - 1,66 об/с.2. Травитель для полирования монокристаллов дифторида бария на основе водных растворов соляной и серной...