Способ изготовления маски для напыления пленочных структур

инс А,В. Юссон гия тонких 977. с; 562, Полупро 980, с, 102 АСКИЯРУКТУР МГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОВЕДОМСТВО СССР(ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗО ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ М НАПЫЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ С Изобретение относится к вакуумнои технике, а точнее к устройствам и способам напыления тонких пленок через свободные . маски на вакуумных установках, и может быть использовано при изготовлении встречно-штыревых решеток и других структурЦелью изобретения является расширение технологических возможностей способа за счет создания масок со сложным топологическим рисунком с выступами при соотношении длины выступа к его ширине более 10.На чертеже показана маска для напыле-, ния пленочных структур, где изображена . пластина 1 с выступами 2, которые образованы прямоугольными окнами 3 в виде щели.П р и м е р. На пластине 1 из.монокристаллического кремния с ориентацией (100) формируют защитное покрытие из оксида кремния ЯЮ 2. Для получения маски с высту 2 (57) Использование: вакуум устройства для,.получения топологических рисунков. С тения: при изготовлении ма ния тонкопленочных струк монокристаллического крем (100) формируют через окн крытия, сквозные отверсти угольников, Стороны пр располагаются вдоль осей ния 1110). Такая ориентация тавливать прецизионные и консольными выступами длины выступа к его ширин ная технология, тонкопленочных ущность изобрески для напылетур в пластине нияориентации а защитного поя в виде прямоямоугольников пластины крем- позволила изгорочные маски с при отношении е более 10, 1 ил,пами 2 длиной 1 и шириной Ь в оксиде путем прецизионной фотолитографии формируют окна в виде прямоугольников, стороны которых ориентированы вдоль кристаллографических осей пластины (110), Далее глубоким аниэонтронным травлением в щелочных травителя при температуре порядка 100 С в пластине кремния получают отверстия 3 в виде щели. При этом боковые стенки отверстий совпадают с плоскостью (111), образуют угол порядка 55 к плоскости прилегания подложки.Выполнение боковых стенок выступа, совпадающими с наиболее прочной для кремния плоскостью (111), обеспечивает максимальный срок службы маски и воэможность получения длинных и узких консольных выступов.Минимальная погрешность изготовления размеров рисунка маски составляет 0,005 мм, благодаря высокой воспроизводимости размерОв края маски. Повышается1821494 оставитель Н, Овсянниковаехред М,Моргентал Коррект Редакто е ТиражПоаписдарственного комитета по изобретениям и отк 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 аказ 2092 ВНИИПИ ям при ГКНТ СССР но-издательский комбинат "Пате роиэвод арина, 101, г, Ужгоро точность воспроизведения формы щели ввиду устранения эффекта экранирования стенками маски при напылении.Маска из, кремния имеет температурный коэффициебнт линейного расширения (ТКЛР) (2-4).10 близкой к ТКЛР подложек из ситалла, керамйки и совпадающий с ТКЛР подложки из кремния. Этообеспечи, вает минимальную погрешность линейных размеровв широкою температурном диапазоне эксплуатации. Изготовлены кремниевые:маски различной конфигурации с одним и двумя выступами из пластины кремния диаметром 76 мм для напыления петлеобразных проводников, Минимальные размеры проводников по ширине 20-50 мкм, максимальные по длине до 5-7 мм, нечеткость края не более 5-10 мкм. Погрешность линейных размеров напыляемых прОвбдников не .более 20 мкм. Изготавливаемые длинные выступы с соотношением -10Ьпри толщине маски (300-340) мкм имеют высокую жесткость, не изгибаются от собст венного веса и внутренних напряжений,стойки при многократных ( 20-30) напылениях. формула изобретения 10 Способ изготовления маски для напыления пленочных структур. включающий травление пластины монокристаллического кремния с ориентацией (100) через окна взащитном покрытии, о т л и ч а ю щ и й с я 15 тем, что, с целью расширения технологических возможностей способа, окна защитного покрытия формируют в виде прямоугольников, стороны которых. ориентированы вдоль кристаллографических осей пластины крем ния 110,