Боргест

Номер патента: 1801467

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Боргест, Буланова, Зарицкая, Иванова, Кудрявцев, Резников

МПК: A61H 23/02

Метки: верхних, гладкомышечных, дисфункций, лечения, мочевых, путей, структур

...задаваемой генератором 1 импульсов. Характер колебаний, возбуждаемых в теле пациента, соответствует характеру сигнала, вырабатываемого формирователем 2 импульсов,, Для эффективного преобразования указанных выше колебаний сложной формы излучатель должен быть широкополосным, для достижения чего механический резонанс подвижной системы должен располагаться в области низких частот. Сдвиг резонанса подвижной системы в область низких частот достигается за счет значительного увеличения ее массы, представляющей в данном устройстве массу магнитной системы излучателя, Таким образом величина резонансной частоты может изменяться . путем подбора величины упругости колебательной системы и ее массы. В конкретном варианте подвикная система...

Номер патента: 1206973

Опубликовано: 23.01.1986

Авторы: Боргест, Мищанин, През, Рябченко

МПК: H04R 17/02

Метки: микрофон, пьезоэлектрический

...дейсгч;ем акустического ддвления например при зовышении да.злеця, смс)сне секпии изгибаются с РЯС Т 5 Г:ВЯЮП 1 С 1 ДЕфоМЕ)ЦИ 51 МЦ НЯ НИЖнем ос.по:зсип:и пьезо)глястины и соссиаои: еес.): Яциячи на верхнем основа:- и,. В в Отде) гаемом ;ьеэоэлектриессо мцк афоне благодаря нали -чио ср сции 1 в -ид Одлок ус Граненымехаи чссиз няпсяжеия по ши 1 ине,(РЯ 1 с. Е К 1 ий ВД 0.1 Ь Их ДЛЕИНЬ С ОГЦ)И КЯсяются с э.астинь Материалом 3 и поэтому не имеют механической нагрузки. Влиянием механических напряв.;ений по ширине секпиц из-эд связи пз коз 1 фиЛиету пуассона можно пренебречь,. еси длина секции более чем в 3 разя превышает ее ширинухарак-ерньм для балки.В предл агдемом ис ) Ороне группа балок может компоноваться в виде прямоугол.ьоц,...

Номер патента: 1123117

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Боргест, Мищанин, Одерий, През, Рябченко

МПК: H04R 17/00

Метки: микрофон, пьезоэлектрический

...изобретения - повышение чувствительности микрофона.Поставленная цель достигается тем,что в пьезоэлектрическом микрофоне,содержащем биморфную пьезопластину,35закрепленную по контуру на корпусе,биморфная пластина выполнена в форме усеченной пирамиды и жестко закреплена над полостью корпуса, при .40этом средняя линия боковых гранейрасположена против внутренних кромок торца корпуса, а отношение толщины пьезопластины к длинесреднейлинии боковой грани составляет 0,3.,45На фиг. 1 представлен предлагаемый микрофон (разрез А-А на фиг. 2);на фиг. 2 - разрез Б-Б на фиг. 1.Пьезоэлектрический микрофон содержит биморфную пьезопластину 1 с50противоположной поляризацией ееполовин, выполненную в форме усеченной пирамиды с основанием,...