Патенты с меткой «соединений»

Номер патента: 673083

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Аграфенина

МПК: H01L 21/48

Метки: aiiibv, полупроводниковых, соединений, типа, травитель

Травитель для полупроводниковых соединений типа AIIIBV, преимущественно для антимонида индия, содержащий водорастворимые органические кислоты, преимущественно винную и этилендиаминтетрауксусную, окислитель и воду, отличающийся тем, что, с целью получения зеркально-гладкой поверхности травления при малых толщинах съема материала и улучшения эксплуатационных свойств травления, он дополнительно содержит соляную кислоту и кислородхлорсодержащий окислитель, преимущественно хлорноватистую кислоту, при следующем соотношении компонентов мас.%:Водорастворимые органические кислоты, преимущественно винная и этилендиаминтетрауксусная - 0,4 - 0,5Соляная кислота (37%) -...

Номер патента: 990016

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/208

Метки: aiiibv, многослойных, соединений, структур, типа

Способ изготовления многослойных p-n-структур соединений типа AIIIBV, включающий соединение пакета эпитаксиальных структур в монолитный блок при нагревании, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур и упрощения технологии их получения, пакет эпитаксиальных структур сжимают давлением 10-20 кг/см2 и перемещают в градиенте температур вдоль оси пакета 300-600 град/см в направлении уменьшения температуры со скоростью 5 10-4-10-3 см/с, причем температура составляет 850-1000 К.

Номер патента: 686542

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Максимов, Марончук, Пухов

МПК: H01L 21/22

Метки: легирования, полупроводниковых, соединений, типа

Способ легирования полупроводниковых соединений типа AIII BV, преимущественно арсенида галлия и фосфида галлия, основанный на диффузии из жидкой фазы, содержащей легирующий элемент, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества диффузионных слоев и упрощения процесса, диффузию проводят из насыщенного относительно материала подложки раствора-расплава арсенида - фосфида галлия.

Номер патента: 1094511

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Якушева

МПК: H01L 21/208

Метки: aiiibv, соединений, структур, типа

Способ получения p-n-структур соединений типа AIIIBV эпитаксией из жидкой фазы, включающий приготовление насыщенного раствора-расплава, содержащего галлий, висмут, мышьяк, амфотерную примесь IV группы, контактирование его с подложкой и принудительное охлаждение системы, отличающийся тем, что, с целью увеличения быстродействия электролюминесцентных приборов в основе структур GaAs и GaAlAs, повышения их квантовой эффективности при низких температурах и смещения максимума излучения в длинноволновую область, в состав раствора-расплава вводят 65 - 90 ат.% висмута, 10-35 ат.% галлия и 0,5 - 5 ат.% германия.

Номер патента: 826887

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Коваленко, Лисовенко, Марончук

МПК: H01L 21/208

Метки: aiiibv, многослойных, основе, соединений, структур, типа

Способ изготовления многослойных структур на основе соединений типа AIIIBV, включающий принудительное охлаждение раствора-расплава содержащего компоненты соединения, амфотерную примесь и дополнительно индий, с постоянной скоростью до температуры ниже температуры инверсии амфотерной примеси, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества и упрощения технологии изготовления четырехслойных структур, в расплав добавляют 10-60 ат.% индия, насыщенного элементом V группы при температуре ниже температуры инверсии амфотерной примеси в исходном расплаве, но выше температуры инверсии амфотерной примеси в индийсодержащем расплаве.

Номер патента: 782605

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Максимов, Марончук

МПК: H01L 21/205

Метки: aiiibv, выращивания, многослойных, основе, соединений, структур, типа

Способ выращивания многослойных структур на основе соединений типа A IIIBV с использованием химических газотранспортных реакций, включающий загрузку в реактор источника элемента третьей группы, подложек, подачу газовой смеси, содержащей галогенид пятой группы и пары воды, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения качества структур в источник элемента третьей группы добавляют кремний в количестве, превышающем предел растворимости, а концентрацию паров воды изменяют в интервале 10 - 500 ррт.

Номер патента: 1028196

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Марончук, Якушева

МПК: H01L 21/324

Метки: iiibv, многослойных, соединений, структур, термообработки

Способ термообработки многослойных структур соединений AIII BV, включающий отжиг в градиенте температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности характеристик приборов за счет выведения из рабочей области структур металлических микровключений, одновременно с отжигом производят облучение импульсами лазерного излучения с энергией квантов, на 0,1-0,3 эВ меньшей энергий края фундаментного поглощения полупроводника, со скважностью импульсов 102-103 и удельной мощностью 0,5-10 Дж/см2 с, причем лазерное излучение направляют излучение не менее нагретую поверхность...

Номер патента: 1028197

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильева, Дворецкий, Максимов, Сабинина, Сидоров, Шахина

МПК: H01L 21/324

Метки: xsnxte, полупроводниковых, соединений

Способ обработки полупроводниковых соединений PbTe и Pb1-х Snx Te, включающий загрузку в ампулу образца, вещества - источника паров, откачку воздуха из ампулы, заполнение ампулы водородом и диффузионный отжиг, отличающий тем, что, с целью снижения температуры отжига и расширения интервала регулирования концентрации электронов в полупроводниковых соединениях, качестве вещества - источника паров - загружают PbBr2 в количестве 0,1 = 1 г, а отжиг проводят при температуре образца 623 - 873 К и температуре навески PbBr2 573 - 773 К.

Номер патента: 1028198

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильева, Дворецкий, Максимов, Сабинина, Сидоров, Шахина

МПК: H01L 21/324

Метки: xsnxte, полупроводниковых, соединений

Способ обработки полупроводниковых соединений PbTe и Pb1-x Snx Te, включающий загрузку в ампулу образца, вещества - источника паров, откачку ампулы, заполнение ампулы водородом и диффузный отжиг, отличающий тем, что, с целью обеспечения возможности независимой регулировки концентрации носителей заряда в обработанном материале и скорости диффузии, в качестве вещества - источника паров - в ампулу загружают PbBr2 в количестве 5 - 10oC10-3 г на 1 см3 объема ампулы и теллур в количестве 4,55 - 85,5oC 10-6 г на 1 см3 объема ампулы.

Номер патента: 1127486

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Михайлов, Мищенко, Щекочихин

МПК: H01L 21/36

Метки: выращивания, пленок, полупроводниковых, соединений, эпитаксиальных

Способ выращивания эпитаксиальных пленок полупроводниковых соединений, включающий испарение соединения в вакууме с последующим адиабатическим расширением пара, ионизацию пара, его ускорение электрическим полем, осаждение пленки на подложку, отличающийся тем, что, с целью получения эпитаксиальных пленок неконгруэнтно-испаряющихся многокомпонентных полупроводниковых соединений с заданным изменением стехиометрического состава по толщине пленки, пары испаряемых отдельно компонентов смешивают перед их адиабатическим расширением.

Номер патента: 1308013

Опубликовано: 20.12.1999

Авторы: Агафонова, Пушков, Сенчуков, Старков, Толкунов

МПК: G01R 31/26

Метки: качества, конструкции, полупроводниковых, приборов, соединений, элементов

Способ контроля качества соединений элементов конструкции полупроводниковых приборов, включающий создание механического напряжения в соединения кристалла и основания корпуса прибора, измерение параметра, характеризующего качество соединения кристалла и основания корпуса, и сравнение его с эталонным, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности контроля, механическое напряжение создают сжатием или растяжением основания корпуса прибора, измеряют относительную деформацию корпуса, параметр, характеризующий качество соединения кристалла и основания корпуса, измеряют при величине относительной деформации основания корпуса прибора в пределах 10-1 - 10-3, при этом в...

Номер патента: 1709679

Опубликовано: 20.12.1999

Авторы: Игнатьев, Калачев, Ситников, Яшкин

МПК: B29C 63/42

Метки: внутренней, металлических, оболочкой, соединений, термопластичной, труб

Способ соединения металлических труб с внутренней термопластичной оболочкой, включающий приварку к концам металлических труб полумуфт, размещение внутри труб термопластичных оболочек, соединение смежных концов оболочек, сварку между собой полумуфт и герметизацию полости между полумуфтами и трубами, отличающийся тем, что, с целью повышения качества соединения труб и обеспечения механического закрепления оболочки на трубе, после размещения оболочек внутри труб, каждую из них отбортовывают на торец трубы и состыковывают трубы до смыкания отбортовок оболочек, а соединение оболочек осуществляют в процессе герметизации полости между полумуфтами и трубами путем заполнения полости расплавом...

Номер патента: 768148

Опубликовано: 10.01.2000

Авторы: Вернов, Ворожейкин, Забористов, Кирпичников, Лемаев, Осовский, Якушева

МПК: C07C 11/12, C07C 7/11

Метки: карбонильных, примесей, соединений, углеводородов

Способ очистки углеводородов от примесей карбонильных соединений путем обработки исходного сырья моно- или диэтаноламином, отличающийся тем, что, с целью повышения степени очистки, используют водный раствор моно- или диэтаноламина при концентрации последнего в нем 1-99,5 вес.% и процесс проводят при скорости подачи исходного сырья 150-200 ч-1 в газовой фазе или 0,7-8,0 ч-1 в жидкой фазе.

Номер патента: 1633564

Опубликовано: 10.01.2000

Авторы: Беспалов, Воронина, Катюряева, Левин, Мельников, Мясоедов, Патанов, Цайлингольд, Шитиков

МПК: B01J 23/74, B01J 37/04

Метки: глубокого, катализатора, кислородсодержащих, окисления, приготовления, соединений, углеводородов

Способ приготовления катализатора для глубокого окисления углеводородов и кислородсодержащих соединений в отходящих газах промышленных производств путем смешения в сухом виде технического глинозема, активного гидроксида алюминия, углекислого кобальта и оксида циркония с водным раствором хромового ангидрида, формования, сушки и прокаливания, отличающийся тем, что, с целью получения катализатора с повышенной активностью, в качестве активного гидроксида алюминия используют гидроксид алюминия, полученный воздействием на технический тригидрат алюминия в псевдоожиженном слое температур 400 - 650oC в течение 0,1 - 1 с с последующей обработкой водяным паром при 300 - 350oC в...

Номер патента: 1559882

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Арефьев, Полухин, Рухая

МПК: G01N 23/18

Метки: сварных, соединений

Способ контроля сварных соединений, заключающийся во введении в зону сварки присадок и облучении контролируемого шва потоком ионизирующего излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности контроля к микродефектам, в качестве присадок используют материалы, атомы элементов которых, взаимодействуя с нейтронами, образуют радиоактивные изотопы - источники позитронов, сварной шов облучают потоком нейтронов, а о качестве сварного соединения судят по изменению аннигиляционных характеристик для контролируемого шва по сравнению с эталоном.

Номер патента: 976613

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Байбаков, Бондарев, Галицкий, Евсеев, Лаукарт, Скородумов, Фирстов

МПК: C01G 23/02

Метки: ванадия, соединений, тетрахлорида, технического, титана

Способ очистки технического тетрахлорида титана от соединений ванадия, включающий обработку его низшими хлоридами титана при нагревании, ректификацию и конденсацию продукта, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода продукта, предварительно тетрахлорид титана обрабатывают медным порошком, взятым в избытке 2,5 - 3,5 от содержащихся соединений ванадия в продукте, и отделяют осадок, а низшие хлориды титана берут в количестве 0,8 - 1,5 от содержащихся в продукте соединений ванадия.

Номер патента: 723839

Опубликовано: 10.02.2000

Авторы: Макаров, Федоров, Шикунов, Шубин

МПК: B23K 28/00

Метки: испытания, образованию, сварных, соединений, сопротивляемость, трещин, холодных

1. Способ испытания сварных соединений на сопротивляемость образованию холодных трещин, при котором проводят нагружение сварных образцов непосредственно после сварки постоянными длительно действующими внешними нагрузками, отличающийся тем, что, с целью определения склонности к холодным трещинам заданных участков многослойного сварного соединения и создания в них сложнонапряженного состояния, в сварных образцах перед нагружением выполняют боковые пазы, которые располагают в плоскостях, проходящих через заданный участок сварного соединения и перпендикулярных плоскости продольной оси шва, при этом глубину паза устанавливают равной 0,1-0,8 глубины залегания заданного контролируемого участка, а...

Номер патента: 908110

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Антоненков, Беломестных, Блохин, Евдокимов, Парфенов, Плышевский, Тюрин, Чирков

МПК: C22F 1/18

Метки: основе, сварных, соединений, сплавов, термической, циркония

Способ термической обработки сварных соединений сплавов на основе циркония, включающий нагрев, охлаждение до комнатной температуры и старение при температуре ( + )-области, отличающийся тем, что, с целью повышения механических свойств, нагрев проводят локально зоны сварного шва и околошовной зоны, причем сварной шов нагревают до температуры на 15 - 20oС выше температуры + _

Номер патента: 570307

Опубликовано: 10.03.2000

Авторы: Левин, Ривкин, Степченко, Чуйкин

МПК: F16J 15/40

Метки: горизонтальных, жидкостное, соединений, уплотнение

1. Жидкостное уплотнение горизонтальных соединений, содержащее предусмотренную в нижнем фланце кольцевую полость с вертикальными концентрическими стенками для размещения расплавляемого при рабочих параметрах металлического уплотнения и мелкопористого запирающего слоя из несмачиваемого расплавом материала, а на верхнем фланце - ступенчатый выступ со стороны запирающего слоя, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности герметизации, стенка полости со стороны среды избыточного давления имеет уступ для размещения над ним металлического уплотнения.2. Уплотнение по п.1, отличающееся тем, что торец выступа имеет форму гребенки с вертикальными боковыми стенками зубьев.

Номер патента: 1113944

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Зиновьев, Мищенко, Тараканова, Федоров, Шажко, Яременко

МПК: A61K 39/00, C12N 7/00

Метки: белковых, высокомолекулярных, концентрирования, соединений

Способ концентрирования белковых высокомолекулярных соединений путем диализа с использованием дегидратирующих веществ, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности процесса концентрирования и его упрощения, в качестве дегидратирующего вещества используют пенополивинилформаль.

Номер патента: 668342

Опубликовано: 10.04.2000

Автор: Зегер

МПК: C10G 32/02

Метки: высокомолекулярных, нефтепродуктов, соединений

Способ очистки нефтепродуктов от высокомолекулярных соединений путем смешивания их с адсорбентом, отличающийся тем, что, с целью повышения степени очистки, в качестве адсорбента используют ферромагнитный материал и смесь его с очищаемым нефтепродуктом пропускают через магнитное поле.

Номер патента: 784690

Опубликовано: 10.05.2000

Авторы: Альперович, Тюрин, Формина

МПК: H01S 3/213

Метки: активная, лазеров, органических, растворах, соединений, среда

Применение растворов индопентакарбоцианиновых красителей структурных формулв качестве активной среды для лазеров на растворах органических соединений, генерирующей в диапазоне 1050 - 1130 нм.

Номер патента: 524492

Опубликовано: 27.05.2000

Авторы: Дворецкий, Сидоров

МПК: H01L 21/36

Метки: выращивании, газовой, диэлектриков, зоне, кислорода, кислородсодержащих, летучих, полупроводников, реакционной, слоев, соединений, фазы, эпитаксиальных

Способ очистки газовой фазы от кислорода и летучих кислородсодержащих соединений в реакционной зоне при выращивании эпитаксиальных слоев полупроводников и диэлектриков, отличающийся тем, что, с целью выращивания полупроводников и диэлектриков в атмосфере с содержанием кислорода и летучих кислородсодержащих соединений меньше 1 ppm, очистку производят в реакционной зоне в процессе выращивания путем введения в газовую фазу реакционной зоны контролируемого количества элемента, не являющегося электрически активной примесью и образующего прочные соединения с кислородом, например алюминия, при выращивании полупроводников типа A3B5.

Номер патента: 764208

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Лисовенко, Марончук

МПК: C30B 25/08, C30B 29/40

Метки: выращивания, полупроводниковых, слоев, соединений, эпитаксиальных

Устройство для выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений методом газотранспортных реакций, включающее вертикально установленный кварцевый реактор с подложкодержателем внутри, снабженный патрубками для подачи реакционного газа сверху и поддува инертного газа снизу и патрубком для отвода продуктов реакции, отличающийся тем, что, с целью исключения осаждения продукта на стенках камеры и попадания поддуваемого газа в зону осаждения, улучшения за счет этого структурного совершенства и воспроизводимости электрофизических параметров получаемых слоев, реактор снабжен кварцевой рубашкой, соединенной с реактором через отверстия, выполненные в его стенке ниже размещения...

Номер патента: 1039142

Опубликовано: 27.07.2000

Авторы: Болотникова, Лепметс, Логинова, Померанц, Ткаченко, Троценко

МПК: C02F 3/34

Метки: вод, метанола, метилсернистых, микробиологической, соединений, сточных

Способ микробиологической очистки сточных вод от метанола и метилсернистых соединений путем микробиологического окисления на биопленке биофильтра, отличающийся тем, что, с целью ускорения процесса за счет сокращения сроков созревания биопленки, для микробиологического окисления используют бактерии Blastobacter viscosus, Methylophilus methanolovorus или их смесь.

Номер патента: 1639344

Опубликовано: 27.07.2000

Авторы: Намм, Олешко, Толмачев, Штанько

МПК: H01L 21/66

Метки: а2в6, возбуждением, кристаллов, отбраковки, приборов, растворов, соединений, твердых, электронным

Способ отбраковки кристаллов соединений группы A2B6 и их твердых растворов для приборов с электронным возбуждением, включающий возбуждение кристалла электронным пучком и измерение люминесценции, отличающийся тем, что, с целью повышения экономичности, ускорения и упрощения способа, возбуждение осуществляют электронным пучком в диапазоне плотностей энергий от 0,01 до 0,3 Дж/см2, регистрируют спектры импульсной катодолюминесценции в направлении под острым углом к нормали к поверхности кристалла при различных плотностях энергии электронного пучка, строят зависимость интенсивности катодолюминесценции при произвольно выбранной фиксированной длине волны из области...

Номер патента: 795174

Опубликовано: 20.12.2000

Авторы: Березкин, Егорова, Лощилова, Панков

МПК: G01N 30/06

Метки: компонентов, органических, смесей, соединений

Способ определения компонентов смесей органических соединений путем ввода исследуемой смеси с добавкой вещества-стандарта в неполярный растворитель, последующего контакта этого раствора с полярным растворителем и хроматографического анализа раствора после контакта с полярным растворителем, отличающийся тем, что, с целью расширения круга исследуемых соединений и повышения точности определения, в качестве вещества-стандарта используют малорастворимое в полярной фазе вещество с коэффициентом распределения больше 500, а анализ смеси с неполярным растворителем проводят до и после контакта с полярным растворителем.

Номер патента: 686263

Опубликовано: 27.01.2001

Авторы: Андреев, Вернов, Короткевич, Мандельштам, Милославский, Павлов, Пономаренко, Сараев, Смирнов, Степанов

МПК: C07C 11/18, C07C 7/06

Метки: ацетиленовых, изопрена, соединений

Способ очистки изопрена от ацетиленовых соединений путем азеотропной ректификации в присутствии изопентана, отличающийся тем, что, с целью снижения потерь изопрена и изопентана и повышения степени очистки изопрена, изопентанан вводят в ректификационную колонну ниже точки ввода изопрена в количестве 0,5-3,5 мас.% от количества изопрена.

Номер патента: 1667368

Опубликовано: 27.08.2001

Авторы: Архиреева, Аюпова, Борисенкова, Вильданов, Гальперн, Денисова, Калия, Климова, Лукьянец, Мазгаров, Саблукова, Самигулина

МПК: B01J 21/18, B01J 31/18, B01J 37/02 ...

Метки: катализатор, окисления, приготовления, сернистых, соединений

1. Катализатор для окисления сернистых соединений, содержащий производное фталоцианина кобальта на пористом носителе, отличающийся тем, что, с целью повышения активности и стабильности катализатора, в качестве производного фталоцианина кобальта катализатор содержит тетрадиэтиламинометилфталоцианин кобальта при следующем соотношении компонентов, мас.%:Тетрадиэтиламинометилфталоцианин кобальта - 0,001 - 0,30Носитель - Остальное2. Катализатор по п.1, отличающийся тем, что в качестве пористого носителя катализатор содержит активированный уголь или углеродную, или графитовую ткань.3. Способ приготовления катализатора для окисления сернистых соединений путем пропитки...

Номер патента: 1734274

Опубликовано: 27.08.2001

Авторы: Архиреева, Аюпова, Вильданов, Ковтуненко, Масагутов, Файзрахманов, Файзрахманова, Шарипов

МПК: B01J 31/18, B01J 31/22, B01J 37/00 ...

Метки: катализатора, окисления, сернистых, соединений

1. Способ получения катализатора для окисления сернистых соединений, включающий взаимодействие производного фталоцианина кобальта с соединениями, образующими полимерную основу, отличающийся тем, что, с целью повышения активности катализатора и упрощения способа, в качестве соединений, образующих полимерную основу, используют производное бензола - фенол или анилин, или п-аминофенол, или смесь фенола с п-фенолсульфокислотой, или смесь фенола с анилином и п-аминосульфокислотой и формальдегид, и в качестве производного фталоцианина кобальта используют гидроксил- или амино-, или нитропроизводное фталоцианина и взаимодействие ведут при 60 - 100oС и массовом соотношении производного...