Патенты с меткой «цинка»

Номер патента: 1761750

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Галкина, Леснов, Павлов, Петров

МПК: C07D 231/20, C22B 3/36

Метки: 1-гексил-4-изонитрозо-3-метил-2-пиразолин-5-он, кадмия, никеля, реагент, цинка, экстракционный

...реакции и высушивают при 40-50 С, Выход 8,5 г (93,5 ); Соединение может быть дополнительно перекристаллизовано из смеси гексан-толуол (5;1). Соединение представляет собой желтые иглы с т,пл. 85 - 87 С, И 0,55;0,41 (силуфол ОЧ, бензол:эфир 3:2, син-, анти-изомеры).Найдено, : С 56,90; Н 7,98; ч 19,74, С 10 Н 17 М 302.Вычислено,: С 56,85; Н 8,11; й 19,89.Соединение растворимо в хлороформе, дихлорэтане, толуоле, изопентаноле, этаноле, тетрахлориде углерода, Мало растворимо в гексане, практически не растворимо в воде.ИК-спектр, вазелиновое масло, ммакс., см: 3520 (ОН-анти), 3170 (ОН-син), 1710 (С=О-анти), 1635 (С=О-син), 1560 (С=И.И К-спектр, кристаллы, ъ см; 1563 (С=К),ЯМР Н-спектр, 0,01 М раствор в СОСз, д, м,д.; 11,40 с(ОН); 3,63...

Номер патента: 1763499

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Алешин, Бородай, Коноваленко, Мягкий, Резников, Синельникова

МПК: C22B 3/14

Метки: гидрометаллургического, цинка

...является неполное извлецениецинка из пылей, поскольку технологияпредусматривает извлечение из сырьятолько 2 пО, и как следствие низкая пылей с низким содержанием 2 пО, Ктому же технология громоздка и предусматривает использование дорогихи дефицитных гидроксидов щелочныхметаллов,Целью изобретения является повышение степени извлечения цинка и упрощение процесса,его обработкой тиосульфатом натрия, смешение цинкатных растворов после Цинкатные растворы после стадиивыщелачивания и после обработки цинксодержащего осадка тиосуйьфатом натрия авторы предлагают объединить иобработать кислотой с получением конечного продукта 2 пЯО.Таким образом, повышение степениизвлечения цинка из пылей достигаютпутем дополнительного его извлечения из...

Номер патента: 1766490

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Карпинчик, Комаров

МПК: B01J 20/02

Метки: адсорбента, оксида, основе, цинка

...и производят нагревание со скоростью 10 О/мин до температуры 400 С в слабом потоке гелия,выдерживают при этой температуре в течение 1 ч, после чего охлаждают не прерываяподачу инертного газа до комнатной температуры. После извлечения тигля получают74,5 г адсорбента, содержащего 58,2 мас.%оксида цинка, Удельная поверхность адсорбента, измеренная по адсорбции паров бензола в вакууме, составляет 79,1 м /г,2сорбционная емкость - 0,19 см /г, выходзпродукта - 81%,П р и м е р 2. 100,0 г цинксодержащегошлама с влажностью 10 ои содержанием вабсолютно сухом 40,8% цинка подвергаюттермообработке в атмосфере азота при температуре 500 С с изотермической выдержкой в течение 1 ч, Трубку с прокаленнымпродуктом охлаждают и разгружают. Полученный...

Номер патента: 1774963

Опубликовано: 07.11.1992

Автор: Магомедов

МПК: C22B 19/34

Метки: оксида, цинка

...на фиг,2 - разрез А-А на фиг.1,Оно состоит из корпуса 1, в которомсверху выполнены коллекторы 2 для подачи. 40.жидкого цинка через воронки 3 в желоба 4,лежащие на торцах теплопередающих плит5. В боковой стенке 6 корпуса в верхнейчасти имеется труба 7 для подачи отфильтрованного воздуха в пространство между 45плитами 5, где установлена разделяющаяперегородка 8, На ней закреплены горизонтальные поперечные пластины 9, образую-,щие лабиринтный канал для воздуха. Подплитами 5 имеется зазор для прохождения 50воздуха в реакционную зону 10. Сверху реакционная камера ограничена полуцилиндром из керамической трубы 11. Со стороныбоковой стенки 6 трубы 11 наглухо вставлены в соответствующие гнезда, С противоположной стороны трубы 11 открыты...

Номер патента: 1775367

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Верещагин, Воинова, Прусаков

МПК: C01G 9/02

Метки: оксида, цинка

...возможен взрыв ампулы.Охлаждение абсолютного спирта до -115) - (-130)С и вакуумирование до 10 мм рт,ст. позволяет получить систему, не содержащую кислорода и при дальнейшем заполнении тефлоновой ампулы диалкилцинком возможность неконтролируемого окисления, приводящего к взрыву, исключается и тем самым обеспечивается безопасность процесса(см. таблицу),Учитывая, что температура замерзания абсолютного спирта - 114 С, авторы применяют охлаждающую смесь жидкий азот - пентан с температурой замерзания -130 С, как наиболее близкой к температуре замерзания спирта. Более глубокое охлаждение не имеет смысла. При охлаждении ампулы со спиртом выше - 115 С значительная часть абсолютного спирта при вакуумировании улетучится, процесс спиртового гидро-...

Номер патента: 1775491

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Бирковый, Ван-Чин, Гаврилив, Гутор, Кочубей, Цьолковский

МПК: C23C 16/18

Метки: окиси, пленок, цинка

...60 - 80 мм рт,ст,Существенными отличительными признаками способа являются проведением 20процесса при низких температурах 20 -50 С, что предотвращает термическуюдеформацию подложек, уменьшает термодиффузию примесей в слой получаемойпленки окиси цинка; использование в качестве окислителя водород-кислородной смеси при низком давлении. Реакцию проводят в горизонтальной кварцевой трубе с внешним обогревом. Ис пользуют предварительно приготовленную смесь алкилпроизводных цинка с водородом и кислород, Давление в реакторе составляет 60 - 80 мм рт.ст, С помощью генератора искрового разряда зажигают ре акционную смесь внутри реактора. Вследствие прохождения реакции окисления на поверхности пластин осаждается слой окиси цинка. Время реакции...

Номер патента: 1605587

Опубликовано: 23.11.1992

Авторы: Бороденко, Кухтина, Лисецкая, Носачев

МПК: C30B 11/02, C30B 29/48

Метки: кристаллов, селенида, цинка

...режим, при котором проводят кристаллизацию шихты при скорости протагивания тигля через температурное поле 30 - 50 мм/ч. Затем, воэвра1605587 40 Таблица 1 тив тигель с помощью механизма перемещения в исходное положение, полученный слиток протягивают через температурное поле со скоростью 3 мм/ч. Коэффициент поглощения выращенного кзоисталла на длине волны 10,6 мкм 5,1 10 см,Выращенный кристалл загружают в кварцевую ампулу, сделанную по типу "песочных часов", засыпают металлическим селеном квалификации ос.чвакуумируют до 10мм рт.ст. и эапаивают, Ампулу помещают в шахтную печь и отжигают при 600 С в течение 120 ч. Селен переливают в свободный обьем ампулы, ампулу с кристаллом охлаждают в режиме 100 С в час.Коэффициент поглощения полученного...

Номер патента: 1777065

Опубликовано: 23.11.1992

Авторы: Боровков, Джиоева, Щербич

МПК: G01N 27/48

Метки: вольтамперометрического, концентрации, никеля, растворах, сульфата, цинка

...при которых достигаетсявысокая эффективность осаждения меди иодновременно полностью сохраняется исходная концентрация ионов никеля.На фиг.1 представлены дифференциальные импульсные кривые, иллюстрирующие влияние процесса цементации наопределение ионов никеля в растворахсульфата цинка;2+, 2+; 2+,а - концентрация ионов Еп; ВСцсоответственно равны 100000; 10, 0 и 0мг/л, Раствор сульфата цинка не подвергался цементации,б - концентрация ионов Еп; В; Сц2+, 2+, 2+,соответственно равны 100000; 10; 0 и 0мг/л. Раствор сульфата цинка подвергалсяцементации,в - концентрации ионов Еп: ВСе2+, 2+; 2+,соответственно равны 100000; 10; 4000 и2000 мг/л. Раствор подвергался цементации,г - концентрации ионов Еп, йСн2+, 2+; 2+,соответственно равны 100000; 0;...

Номер патента: 1777924

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Золотов, Моросанова, Плетнев

МПК: B01D 15/08, G01N 30/48

Метки: ионов, никеля, приготовления, разделения, свинца, сорбента, хроматографического, цинка

...мин). Приготовленным сорбентом сухим способом заполняют10 колонку длиной 10 см и диаметром 1 см,которую используют для изучения удерживания нитратов цинка (И), свинца (И),и никеля . Элюент (ацетатный буферный раствор, рН 4,0) пропускают со скоро 15 стью 1 мп/мин. Собирают фракции объемом0,5 мл, в которых определяют содержаниеметаллов методом атомно-абсорбцианнойспектраметрии. Данные испытаний показывают, что время удерживания цинка состао 20 ляет 3,6 мин, соинцэ - 5,5 мин, никеля - 9,1мин. т.е. достигается хорошее разделениеуказанных выше ионов (таблица). Цинк вымывается первыел из перечисленных металлов, что позволяет использовать сорбент25 для его экспрессного выделения, Сслективность разделения ионов высокая, напримердля пары Еп/М...

Номер патента: 1784583

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Иванов, Кобзарь-Зленко, Нагорная

МПК: C01G 39/00, C01G 41/00

Метки: вольфраматов, кадмия, молибдатов, цинка

...- результат осуществленияреакции (3), как и в предыдущем примере,Сочетая уравнение реакций (5). (2), (3),получим итоговую реакцию (6)Со(ОН)2+ ЮУОЗ + СсРЯ 04+ Н 20 (6)После фильтрации, промывки и сушкиосадка получают 17,91 г белого мелкокристаллического порошка со структурой вольфрамата кадмия при теоретическом выходе18,01 г,П р и м е р 5, Для получения 0,05 г мольвольфрамата цинка по реакции (9) 4,07 г.оксида цинка, 16 г нитрата аммония и 20 смззгидроксида аммония плотностью 0,9 см,300 см дистиллированной воды помещаютв колбу и осуществляют взаимодействиекомпонентов по реакции (7) аналогичнопредыдущим примерам.2 пО + 2 ЙН 4 ЙОЗ + 2 ЙН 40 Н-+ 2 п(ЙНз)41(Й 03)2 + ЗН 20 (7)Как и в предыдущих примерах осуществляют реакцию (3), сливая...

Номер патента: 1784624

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Волков, Кушнир, Студенец, Чистовский

МПК: C09C 1/04

Метки: карбоната, основе, основного, пигмента, цинка

...ных сточных вод. Состав воды разных проб продукции. Полученный пигмент соответст-.;:,Опйсэй в таол,:1;.- вует техническим требовэнйямсогласно ТУ" . 10 6-09-3869-77. Состав пигмента для рэзлич 8 данный раствор загружают 5 л/м йых проб описан в табл.З.20%-ного водного раствора сульфида аммо-- Изобретейие таким образом позволяетния, перемешивают до достижения одно-испол,ьзовать для получения пигмента нэродного состояния реакционной смеси,основе основного карбонатэ свинца аммозатем загружают 5 кг/м окиси кальция, 15 нийно-карбонатныхсточных вод и таким обзпредварительно гашенной в 10 л воды, пе- разом обеспечивает зкономию углекислыхремешивают, загружают 1 кг/м активиро- солейи расширяетсырьевуюбазупйгмейта.звайного угля, перемешивают,...

Номер патента: 1786153

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Балакин, Дедюхина, Скороходов

МПК: C22B 23/00, C22B 3/20

Метки: гидроксида, кобальта, цинка

...из " гидроксида кобальта (1, И 1) в раствор.1786153 Табл ица 1 Указанные условия очистки гидроксидакобальта (П, 1) (рН 4-5), соотношение объема воды, массы гидроксида и ионита (3;1:0,8)от цинка являются необходимыми. Приуменьшении рН ниже 4 увеличивается растворимость кобальта и меди, что приводит кпотерям кобальта и снижению выхода целевого продукта, перешедшие в раствор ионымеди из-за конкурентной сорбции на анионите снижают сорбируемость цинка,При рН больше 5 резко снижается растворимость цинка и его сорбируемость. Увеличение или уменьшение отношенияобъема воды, массы гидроксида, и ионитаснижает сорбируемость цинка. Это связанос трудностью диффузии ионов цинка к иониту при низком соотношении объема воды/массе гидроксида за счет...

Номер патента: 1788064

Опубликовано: 15.01.1993

Авторы: Есаян, Измайлов, Клевцова, Петухова, Пилюс, Пружинин, Пучков, Резник, Фролова

МПК: C22C 18/04, C22F 1/16

Метки: анодов, основе, сплав, цинка

...его технологическую пластичность при обработке давление,стойкость против коррозии под напряжением.Кроме того, при содержании алюминия 0,1 - 0,7 мас.% сплав обладает минимальной С увеличением содержания алюминия более 0,7 мас,% технологичность сплава остается на том же уровне, но резко увеличивается поля ризуемость, что нецелесообразно.Содержание алюминия менее 0,1 мас.% недостаточно измельчает зерно, а также ведет к резкому возрастанию поляризуемости сплава и снижению стационарного потенциала.Введение олова в количестве 0,001 - 0,05 мас,% повышает коррозионную стойкость сплава, так как олово находится в твердом растворе, поэтому максимальное содержание олова в сплаве не должно превышать его растворимость в цинке при комнатной...

Номер патента: 1790550

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Агеев, Безродных, Киро

МПК: C01G 9/08

Метки: сульфида, цинка

...Экологическиевопросы, связанные с улавливанием серно 15 го ангидрида, решаются стандартными способами,Полученный таким образом порошок содержит 99,8 О/, сульфида цинка; 100 О/. частицэтого порошка имеют размер 0,02-0,10 мкм20 сферической формы. Тип кристаллическоймодификации сульфида цинка зависит оттемпературы факела, которая регулируетсяконцентрацией паров цинка и серы. Так,при постепенном изменении температуры25 факела от 1700 до 2400 К кристаллическуюмодификацию сульфида цинка можно получать от гексагональной до кубической либо,заранее задавшись необходимым соотношением между ними, установить соответствую 30 щую температуру,После сульфидировэния всего цинка реактор специальным устройством поднимается из печи, в него может быть...

Номер патента: 1798685

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Дедков, Келина, Мащенко

МПК: G01N 31/22

Метки: фотометрического, цинка

...от рН средь), а также от наличия определенных заместителейв бензольном и нафтольном кольцах, а также от применения маскирующих агентов. 20Путем подбора соответствующих условийреакции, реагента и маскирующих агентовбыли разработаны селективные методикиопределения цинка в различных обьектах,П р и м е р 1, Определение цинка спомощью нитроксаминазо, Готовят искусственную смесь солей магния, кальция, цинка,меди, железа, хрома, свинца. К аликвотнойчасти раствора, содержащей 2,0 - 30 мкг цинка добавляют 3 мл боратного буферного раствора с рН 8,5 - 10, 1 мл 0,1% растворареагента и фотометрируют при 580 нм относительно раствора реагента той же концентрации и в тех же условиях в1-сантиметровой кювете, Содержание находят по градуировочному...

Номер патента: 1799359

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Синельникова, Чен, Щеглов

МПК: C01G 9/08

Метки: сульфида, цинка

...не превышающие 0,08 мкм с высокой равномерностью размеров.Результаты опытов представлены в таблице.(57) Изобретение относится к способам получения особо чистых веществ, в частности сульфида цинка, Сущность способа заключается в том, что к раствору соли цинка добавляют гидроксид натрия до полного растворения осадка, затем приливают раствор тиомочевины при постоянном перемешивании смеси, Осаждение ведут в магнитном поле с напряженностью 90 - 1100 Эрстед и при 60-90 С. Исходные реагенты берут с концентрацией 0,1 М, При этом получают одновременный по грансоставу продукт с размером частиц не более 0,08 мкм, 1 э.п.ф-лы, 1 табл,ак следует из таблицы, осаждение фида цинка под воздействием магнит- поля значительно повышает оптичеплотность...

Номер патента: 1799394

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Васкер, Генкина, Игнатенко, Кораблев

МПК: C09K 11/56

Метки: активированного, люминофора, мелкозернистого, основе, поверхностной, серебром, сульфида, цинка

...жидкость и осадок люминофора подвергают промывке и затем сушке, Интенсивность свечения люминофора 112-123% от люминофора КС, количество желтых точек в массе люминофора на 2 см поверхности экрана..31 з.п,ф-лы. выдерживают 45 мин. Затем протирают эту. пастообразную массу через капроновое сито М 67 в стакан с 1 Д-ным раствором аммония хлористого, перемешивают 30 мин- фмеханической мешалкой, отстаивают 1 ч и: жидкость над люминофором сливают. Да-, К")лее люминофор отмывают деминерализо- К). ванной водой декантацией до отсутствия СГ,. сушат и просеивают. Полученныйлюминофор имеет интенсивность свечения при катодовозбуждении 1120 от люминофораКС, количество желтых точек на 2 смповерхности изготовленного из него экрана- 1,П р и м е р ы...

Номер патента: 1349543

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Загоруйко, Комар, Кривошеин, Росторгуева

МПК: C03C 23/00, G02B 1/12

Метки: оптических, просветления, селенида, цинка, элементов

...на ноздухе до комнатной температуры,После охлаждения измеряют спектр пропускания оптического элемента, Максимальное зцачение пропускания получается ца длине волны 5,5 мкм и составляет 98,87 Коэффициент поглощения элеиента на длине волны ИК-излучения 10,6 икм после отжига состанляет 0,02 см П р и и е р 2, Оптический элемент,окак в примере 1, отжигают при 500 Св течение 30 мин при одновременномоблучении оптической поверхности элемента УФ-излучением с длиной волны0,2537 мкм и плотностью на поверхности образца 0,4 Вт/си, после чегооптический элемент охлаждают на воздухе до комнатной температуры.После охлаждения измеряют спектрпропускания оптического элемента,Максимальное пропускание получаетсяна длине волны 2,5 мкм и...

Номер патента: 1803479

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Горбачев, Комков

МПК: C25C 1/16, C25C 7/08

Метки: катода, осажденного, отделения, цинка

...нагреву в течение 10 с до температуры 303 К с помощью нагретого до 303 К воздуха. Затем подвергали вибрации, Отделение осадка от катода произошло через 1 с,П р и м е р 3. После осаждения цинка катод с осадком подвергали нагреву до 498 К в течение 305 с. Затем подвергали вибрации, Отделение осадка от катода произошло через 0,5 с.П р и м е р 4: После осаждения цинка катод с осадком подвергали нагреву до 693 К в течение 600 с, затем подвергали вибрации. Отделение осадка от катода произошло через 1,0 с.П р и м е р 5. После осаждения цинка катод с осадком подвергали нагреву до 703 К в течение 605 с, Затем подвергали вибрации. Отделение осадка от катода произошло через 2600 с.При нагреве катода с осадком в пределах 303 - 693 К происходит...

Номер патента: 1806093

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Доменко, Лимарь, Ненашева, Слатинская, Сухорукова

МПК: C01G 33/00, C01G 35/00

Метки: метаниобата, метатанталата, цинка

...получения 100 гметаниобата цинка ЕоМЬг 06 берут 23,7 гоксида. цинка (содержание основного вещества - 99.7%), 76,9 г пентоксида ниобия (содержание основного вещества - 99,6),засыпают в реактор и репульпируют в водной среде (300 см НгО) (Т:Ж = 1:3) при скорости перемешивания 1500 об/мин втечение 3 ч. Полученную суспензию отфильтровывают и подвергают термообработкепри 900 в 9 С в течение 1 ч, 20Готовый продукт, по данным рентгенофазового анализа, представляет собойоднофазный 2 пйЬг 06 со структурой колумбита и имеет удельную поверхность0,52 м /г, 25Состав готового продукта в оксидах,мас.доля,о ; ЕпО - 24,0; КЬг 05 - 76,9;ЕпОсво 6, - не более 0,5,П р и м е р 2. Для получения 100 гметатэнталата цинка 2 пТаг 06 берут 15,6 г 30оксида цинка и...

Номер патента: 1808002

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Власьянц, Михайлова, Никитенко, Пивнева

МПК: C09K 11/54

Метки: люминофора, оксида, основе, самоактивированного, цинка

...цинка вероятно способствует процессу рекристаллизации самоактивированнойокиси цинка,П р и м е р 1, К 60 г сульфида цинкадобавляют 60-70 мл дистиллированной воды и 2.4 мл раствора ацетата меди, содвржащего 0,01 г Со+ в 1 л (количество меди,,Кешел Николь Коррект дак Заказ 1394 Тираж Подписн ВНИИГ 1 И Государственного комитета по изобретениям и отк 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5ям при ГКН Г ССС одственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород. ул.Гзрид, 10 вводимой в сульфид цинка 4 105 мас,%) суспензию перемешивают, высушивают при температуре 100-120 С, просеивают через капроновое сито. Обработанный таким образом сульфид цинка в количестве 60 г (3 мас. О ) смешивают с 1940 г оксида цинка (97 мас.3) в смесителе...

Номер патента: 1808888

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Кожевников, Колесников

МПК: C30B 13/00, C30B 29/48

Метки: кристаллических, пластин, селенида, цинка

...Сущины выращивают стью 7 - 20 мм/ч с лизации, находяравлению движеуд ч+Ь, где ть движения зоны 50Ь 60. Полржанием газовых . 1 табл., 1 ил.на плоскости фронта кристаллизации у найден экспериментально.На графике представлена экспериментальная зависимость диаметра газовых включений О от скорости движения зоны ч.Из графика видно, что величина О линейно уменьшается с ростом скорости, При значении у -50 достигается эффективное удаление газовых включений любого размера (для интервала скоростей движения зоны 7-20 мм/час). Создание больших углов наклона нецелесообразно, т.к. ведет к снижению оптических характеристик кристалла, что связано с ухудшением очистки ЕпЯе от посторонних примесей. Нижняя граница интервала допустимых значений у зависит...

Номер патента: 1810402

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Кожевников, Колесников

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Метки: кристаллов, оптически, прозрачных, селенида, цинка

...к низуТребуемый для проведения отжига по кристалла 3 град/см и скорости сниженияпредлагаемому способу интервал темпера- температуры 26 град/ч так, что по окончатур верха кристалла в начальный момент 5 нии отжига температура верха кристалла соотжига 1240 - 1280 С выбран эксперимен- ставляет 650 С. Получен кристалл селенидатально и соответствует температуре верха цинка с коэффициентом поглощения излукристалла по окончании его выращивания. чения свето ИК-уиапазона с длиной волныПри начальной температуре свыше 1280 С 10,6 мкм 1,3 10 см .происходит термическое травление верх Дополнительные примеры приведены вней части образца за счет испарений селе-таблице (строки 1 - 8).нида цинка, что ведет к неоправданным...

Номер патента: 1812242

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Котелянский, Лузанов, Шкляр

МПК: C23C 14/02, C23C 14/46

Метки: оксида, пленки, пьезо-электрической, тонкой, цинка

...наращивалась на ионнообработанную часть поверхности свеженапыленной пленки.По мнению авторов, в данном случае эффект заключается в уменьшении химической активности поверхности подложки и образовании встроенного заряда под действием ионной обработки.П р и м е р 1. Рабочу ерхность звукопровода ПАВ устройс Ч-диапа1812242 Формула изобретения Составитель Т.СмирноваТехред М,Моргентал Корректор М, Куль Редактор Заказ 1560 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 зона, выполненного из монокристалла алюмоиттриевого граната, подвергают ионной обработке в течение 20 мин ионами аргона...

Номер патента: 1813779

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Баландина, Выгоняйло, Гурецкая, Малова, Сощин

МПК: C09K 11/54, C09K 11/56

Метки: катодолюминофор, основе, свечения, синего, сульфида, цвета, цинка

...всего ЕпЯ. 15После сушки при 130 С шихту загружают в кварцевые тигли и прокаливают в . замкнутом объеме в две стадии; при 400 - 450 и 1000 - 1050 С с выдержкой на каждой стадии от 0,5 до 1 ч. 20После прокалки промывают водой, сушат и просеивают;Необходимость двухстадийной прокалки вызвана тем, что ионы брома летучи, и на первой стадии, возможно, образуются про межуточные соединения, которые на второй стадии образуют твердые растворы.Полученный катодолюминофор использован при изготовлении проекционного кинескопа. работающего при 0 =25 кВ и =10 30 мкА/см, параметры которого превышают требования на прибор. При этом яркость 6000 кд/м, координаты цветности х = 0,126, у = 0,096. Падение яркости за 100 ч работы прибора менее 5%. 35П р и...

Номер патента: 1526303

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Гальчинецкий, Рыжиков, Старжинский, Файнер

МПК: C30B 29/46, C30B 33/00

Метки: оптических, селенида, термообработки, цинка, элементов

...относится к обработке кристаллов, конкретно селенидд цинка, и позволяет уменьшить их коэффициент оптического поглощения в инфракрасной области, Иэ кристалла селенида цинка резкой, шлифовкой и полировкой получают оптический элемент, Элемент подвергают термообработке в атмосфере насыщенного пара еллура при 1000-1050" С в течение 40-44 ч, Достигают уменьшения коэффициента оптического поглощения по длине волны 10,6 мкм до 3,5 10 см . 1 табл,электропечь сопротивления. Температуру в печи доводят до 1000 С, оыдержиоаот при этой темературе 40 ч, здтел печь выключдют, После остыоднил печи до комнатной температуры ампулу вынимают, разбивают ее, извлекают оптические элементы и измеряют их коэффициенты поглощения, которые оказываотся равными...

Номер патента: 1630334

Опубликовано: 15.05.1993

Авторы: Бороденко, Кухтина, Лисецкая, Рыжиков, Силин

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Метки: кристаллических, основе, селенида, цинка, элементов

...полного удаления воздуха и затем нагревают до 1000 - 1080 С, выдерживают при заданной температуре 3 - 10 ч, после чего температуру снижают со скоростью 200 С/ч, при комнатной температуре отключают проток водорода и извлекают элементы. По известной технологии 30 получения сцинтилляционного материала из легированного селенида цинка с целью создания центров люминесценции элементы ЛпЯе(Те) дополнительно отжигают в насыщенных парах цинка. Для чего данные элементы помещают в кварцевые ампулы вместе с навесками цинка, необходимыми для создания насыщенных паров цинка. Ампулы вакуумируют, запаивают и выдерживают при 1000 С в течение 24 ч, После повторной шлифовки и пол ировки измеряют коэффициенты поглощения и ослабления элементов, которые...

Номер патента: 1558041

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Кобзарь-Зленко, Комар, Кулик

МПК: C30B 11/02, C30B 29/48

Метки: кристаллов, селенида, цинка

...25 цинка и магния и селенидами примесныхэлементов. Затем температуру в печи снижа)от со скоростью 10-30 в час до температуры плавления хлоридов калия 770 С и печь отключают. В пересыщенном растворе 30 образуется очень много центров кристаллизации и кристаллы растут в виде. пластин-чешуек толщиной примерно 0,1-3 мм в поперечнике. При такой кристаллизации достигается очистка селенида цинка от при мясных элементов как за счет обменныхреакций между хлоридами цинка и магния и сепенидами примесных элементов, так и за счет различных коэффициентов распределения примеси в растворе-расплаве, а размеры ,40 кристаллов не имеют решающего значения.Удельная поверхность монокристаллического селенида цинка снижается; а насыпной удельный вес...

Номер патента: 1819857

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Буянова, Евтушенко, Мельников, Перехрест

МПК: C01G 9/08

Метки: сульфида, цинка

...К 81)ьпем садеркании эмульгатара В результате потери устойчивости вазника)от когзГ)/лЯты, преД;:тзвляОЩие сОбОЙ ОСВД- ки различной структуры платные, Тва)ЗОХ(ИСТ Ыа(ЛОПЬ 8 гзИДНЬ)8).В )зед 8118 бал);его садер(аия эмуль:т 01 а ецелес 000 разна, та 1; как изаыток ПАВ приводит к абразасанию капли размерам 148 ььце мЛкрона з диаметре, а также йэ-э)з химичес);)лх свойств Выбааннага ПАВВаэ)40 к)аст химичРскОГО БзаимОдейст" 25 ВИЯ),.гд)а из ззкл 10"1 ительных технОлОГич 8- ских Операций в праизвацстве сульфица 1Г 1 ка - промывка ега ат абоазуюгвлхся в Г)рацессе Осажвения остатков серной кислоты и Остатков сульфида цинка, С)снавным и ока 3 ател ем степени и рОм ы в к и служит. Остат(янов содержание сцльфат-ионов, удаЦИНка ПУТем ПРОМЫВКИ...

Номер патента: 1820912

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Боброва, Мезенцев, Мироненко

МПК: C09K 11/56

Метки: кадмия, катодолюминофоров, основе, поверхностной, сульфидов, цинка

...деминерализованной водой и приливают 13 мл водного раствора К 2510 э с концентрацией 300 г/л и модулем 2,7 - 3,2 и 15-20 л деминерализованной воды. Суспензия перемешивают и приливают к ней 10 мл 1 оь-ного водного раствора диалкилоксиполиэтиленгликолевого эфира ортофосфорной кислоты (КД), нейтрализованного триэтаноламином, концентрацией 0,005/ . по отношению к люминофору. Суспензиюразбавляют 15 - 20 л деминерализованной воды и фракционируют с отбором в конусе крупной фракции с размером частиц 14 мкм. Сусбензию далее фильтруют, люминофор сушат при температуре 100-130 С. Яркость катодолюминесценцйи 100 ф, седиментационный объем 0,48 см /г,П р и м е р 2, Аналогичен примеру 1 заисключением того, что после повторной обработки...