Патенты с меткой «цинка»

Номер патента: 1049573

Опубликовано: 23.10.1983

Автор: Котелянский

МПК: C23C 15/00

Метки: окиси, основе, пленок, пьезоэлектрических, цинка

...мишени из окиси цинка. Распыление окиси цинка предпочтительнее,чем распыление металлического цинка,так как позволяет получать пленки окисицинка с большим коэффициентом электромеханической связи (К=0,8-1%), близкимк значению для монокрцсталлов окиси цинка, за счет упрощения поддержания условий получения стехиометрцческцх по составу пленок, Создание над распыляемойповерхностью цинковой мишени зоны скрещенных электрического и магнитного полейпозволяет почти на порядок увеличитьскорость распыления, а следовательно, искорость осаждения, что способствуетуменьшению угла разориентациц текстуры,При температуре распыляемой поверхности цинковой мишени ниже 200 С и скоростях распыления, необходимых для обеспечения малого угла разориентации...

Номер патента: 828468

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Астапов, Юдочкин

МПК: B01D 53/02

Метки: газов, окиси, основе, поглотителя, сернистых, соединений, цинка

...окиси цинка для очист 55 ки газов от сернистых соединений., включающего обработку окиси цинка химическим реагентом и углекислым газом, сушку образующихся основных углекислых со)ей цинка,прокалку и 60 формование, после обработки окиси цинка химическим реагентом и углекослым газом проводят непосредственно сушку основных углекислых солей .цинка, 65 В качестве химического реагента предпочтительно используют дистиллированную воду.Основной отличительный признак предлагаемого способа - определенная последовательность стадий - относится как к использованию известного реагента (аммиачной воды), так и к применению нового .реагента (дистил- . лированной воды) .Сущность изобретения заключается в том, что по предлагаемому способу обработку окиси...

Номер патента: 1057413

Опубликовано: 30.11.1983

Авторы: Горбатова, Желнина, Пономарев, Прон, Рыжкин, Шапошникова

МПК: C01B 19/00

Метки: кадмия, селенидов, синтеза, теллуридов, цинка, шихта

...теллурида цинкаОКСИд цЛНКаТеллурНгаг ЕЛЕ Ваткислота ОстальноеДля теллурида кадмияОксидкадмия 27-34Теллур 4ггавелевслякислота Оста.тп ное1 ИХТУ ГотОВЯГ МОКРЬМ ИЛИ СУХИМ способом, При приготовлении шихты качество получаемых селенидов и тел.уридов цинка и кадмия зависит от тшатЕЛЬНОСТИ ГОМОГЕНИЗаЦИИ СМЕСИ компонентов, которая достигается растиранием ее в шарсвой мельнице в течение определенного времени с последующим прокаливанием этой шихты при температурах 400-1100 цС по одно-, или двух-, или трех- и тд. стадийному режиму.Прокаливание шихты проводят под слоем угля илиуглеграфитовой ткани. ц36"38 П р и м е р. 1. Для приготовленияцихты, состоящей из смеси компоненгсзл взятых в следующем соотношении,с.г егс, сОксид цинка 28,41...

Номер патента: 1058887

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Варшавер, Кутянин, Рыбакова, Селиверстов, Ускач, Усков

МПК: C01G 9/04

Метки: растворов, хлорида, цинка

...и оседание мелкодисперсного осадка. Кратковременное (30 мин) повышение температуры обрабатываемого раствора ускоряет процесс гидролиэа хлорида железа (11) и образования осадка, увеличивая его дисперсность, что сокращает процесс отстоя до 15- 20 ч.В присутствии же фосфорной кислоты образование осадка происходит в течение 15-20 мин при достижении реакционной массой температуры 80-90 фС При этом образуется крупный хлопьевидный осадок, оседающий в течение 8-15 ч. Внешний вид раствора после отстаивания - прозрачная бесцветная жидкостьП р и м е р 1. В 100 г водного раствора хпорида цинка,. содержащего вес.:Хлорид цинка 52Хлорокись цинка(в пересчетена 2 пО) 0,7Ионы железа 2,26 10 и подогретого до 70 С, пропускаютохлор со скоростью 6 г/ч в...

Номер патента: 1059025

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Гурьева, Разина

МПК: C25B 11/10

Метки: анод, растворов, сернокислых, цинка, электроосаждения

...10 см, а активный слой содержит 58-63 мас.Ъ окислов железаи 37-42 мас,Ъ окиси палладия.1059025 Ф Пот енци ал анода при 500 А/М,В Составэлектролита Срокслужбы,сутАнод 2 н. Н 48041 моль/л Еп 804Ь моль/л Н 1804 15 2,0-4,0 4,7 83 5 2 н, Н 804 230 1;67-1,68 1 МОЛЬ/Л ЕП 804 1 моль/л Н 804 2,68 97,0 1 мОль/л ЕпЯ 041 моль/л Н 8 04 Предлагаемюйс подслоем из РеБп 2толщиной 210-4 см 2,62 97,2 2 н. Н 804 230 1,67-1,68 230 1,67-1,68:2 н. Н О1 моль/л Еп 804 ю 1 мОль/л И 1804 2,64 97,0 2,63 97,0 1 МОЛЬ/л Н,у 804 215 1,67-1,68 2 нН 804 1 моль/л 218041 1 моль/л Н,2804 2,64 97,1 Составитель Т УсоваРедактор Г. Безвер 1 аенко Техред,Й.Микеш, Корректор Л.Тяско Заказ 9722/26 Тираж 643ВНИИЙИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035,...

Номер патента: 1060655

Опубликовано: 15.12.1983

Авторы: Арянов, Малыгин, Савельев, Стась

МПК: C09C 1/04

Метки: модифицирования, оксида, цинка

...слоя молекул,Последующую продувку сухим, азатем влажным воздухом проводят дляудаления из полученного пигмента избытка 81 СР 4, который не хемосорбируется на поверхности, а остаетсяв пигменте в пространстве между частицами, и последующего гидролиза хемосорбированного 81 С 14, причем температура 160-180 С обеспечивает макосимальное удаление четыреххлористогокремния и оптимальные условия протекания его гидролиза.Последвяя стадия в процессе модифицирования, включающая прокаливание обработанного пигмента при400-450 С, проводится в окислительоной атмосфере, что обеспечивает образование мономолекулярного слоядвуокиси кремния, химически связанной с поверхностью цинка.Получение на поверхности оксидацинка одного мономолекулярного...

Номер патента: 1060709

Опубликовано: 15.12.1983

Авторы: Гурьева, Разина

МПК: C25B 11/10

Метки: анод, растворов, сернокислых, цинка, электроосаждения

...и слоем двуокиси марганца создается подслой путем насыщения поверхности титана жеЛезом (при температуре л 1000 С, под вакуумом и с последующим охлаждением под вакуумом) Ц . . 35Недостатком данного анода является то, что срок его работы в растворе 2 нНг 504 при 500 А/мг ограничивается, 180 сут., причем потенциал достигает величины 1,90-1,91 В при, 30-35 С.30Целью изобретения является повьацение стабильности анода.Поставленная цель достигается тем, что в аноде для электроосаждения цинка из сернокислых растворов, вклю-З 5 чающем в себя титановую основу,.подслой, содержащий железо, и активное покрытие на основе двуокиси марганца, подслой выполнен из сплава же- . леза с оловом формулы Гви толщи-, ной 5 10 -9 10 цсм.2П р и и е р, Анод...

Номер патента: 1063779

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Богомаз, Воронин, Козуб, Морев, Сушко, Терец, Чуйко, Юрченко

МПК: C01G 9/02

Метки: модифицирования, окиси, цинка

...на воздухе и в вакууме 1010 1 мм рт.ст, при 300-350 С в те"чение 3 ч и 0,1 г фенола. Создаютвакуум 10 фмм рт.ст. и смесь,выдерживают 15 мин, Затем при 150 Соткачивают пары непрореагировавшего 15фенола и побочных продуктов реакции,Модифицированную фенолом окисьцинка охлаждают до комнатной темпе"ратуры в условиях вакуума и выгружают. Наличие привитых функциональных групп подтверждается методомИК-спектроскопии по появлению полоспоглощения (1170; 1280; 1245;1495;1600 см ), характерных для фенола. 25Количество привитых арильныхгрупп 0,012 р моль/г 2,0 мкмоль/м ),Порошок белого цвета,П р и м е р 2. В герметичныйлабораторнйй реактор помещают 10 гокиси цинка, предварительно прогретой на воздухе й в вакууме 10 мм.рт. ст,при 300-350 С в...

Номер патента: 888568

Опубликовано: 15.01.1984

Авторы: Кузнецов, Маргулис, Родин, Ходов

МПК: C22B 19/22

Метки: переработки, растворов, содержащих, сульфат, цинка

...расходом, соответствующиммольному отношению ЕпО/ЕпЯО 4 = 3,0.Исследования показали, что в зависимости от указанных выше условий необходимый избыток 2 пО находится в пределах мольного отношенияЕПО/ЕпБО 4 = 3 у 1-4 р О,При осуществлении способа выводится или регенерируется не вся60 вода, часть ее связывается в об.разующийся гидрооксосульфатЕпЯО 4ЗЕпОН )4 Н О и захватыва 2 2ется осадком последнего в виде маточника. Невыводимая часть воды65 тем меньше, чем меньше концентра888568 ция цинка в растворе, и чем меньше . ния пульпы перемешиванием в промышизбыток окиси цинка. ленном агитаторе требуется больше,Гидроксосульфат цинка легко раст- чем 5 мин, поэтому длительность ворим в слабокислых растворах операции определяется временем дос- (рН...

Номер патента: 1067025

Опубликовано: 15.01.1984

Авторы: Матизен, Ребане, Талвисте, Таммик

МПК: C09K 11/10

Метки: активированного, медью, основе, сульфида, цинка, электролюминофора

...ниже 100 атм не увеличивает среднее напряжение пробоя электролю- .65 минесцентного слоя, а при давлении вьчие 300 атм разрушается кристаллическая структура зерен целевого продукта, что существенно ухудшает свойства электролюминофора.Физико-химическая сущность прецлагаемого способа заключается в следующем.При измельчении прессованием в оптимальных условиях не происходит разрушения зерна люминофора, а наблюдается разрушение коагулированных или спеченных конгломератнЫх образований, Отмявка же измельченного таким образом продукта не только восстанавливает частичную потерю яркости, но и существенно повышает ее относительно исходной.Образованный на поверхности зерен люминофора после обработки адсорбированный слой молекул уксусной кислоты и...

Номер патента: 1068523

Опубликовано: 23.01.1984

Авторы: Артемьев, Гель, Захаров, Краев, Купряков, Тарасов, Чаптыков

МПК: C22B 19/00

Метки: цинка, шихта

...в ней в следую щих количествах, мас: цинковый агломерат 75-80; окс 12-16; изве стняк 4-8. Удельный расход электроэнергии на.1 т шихты составляет 1300-1400 кВт ч, а на 1 т цинка 3700-3800 кВт ч. При работе печи в оптимальном электрическом режиме 4(1 получают отвальные шлаки с содержанием 5-7 цинка 2 1.Недостатки шихты заключаются в значительных потерях цинка со шлаками и высоком расходе электроэнергии при ее плавке,Агломерат Известняк Целью изобретения является сокращение потерь" цинка со шлаками,и снижение удельного расхода электроэнергии.Поставленная цель достигаетсятем, что шихта для получения цинкаэлектроплавкой из агломерата, содержащая цинковый агломерат, кокс иизвестняк, дополнительно содержиталюминий при следующем...

Номер патента: 1068524

Опубликовано: 23.01.1984

Авторы: Голев, Махсутов, Найманбаев, Онаев, Оспанов, Рахманов, Сейдалиев

МПК: C22B 19/38

Метки: окиси, цинка

...шихты приведен в таблице.Высокое содержание кремнеземав отвальном шлаке йроизводства Ферросилиция 35-46) позволяет регулировать коэффициент основностиСаО+Мд О)5 огшихты и резко снизить добавку кварцевого песка до 2-5от массы руды, а при низкой основ,ности руды вообще устранить добавку этого балластного материала,Кроме того, образовавшийся 5 Овзаимодействует с окислами кальцияи магния с образованием соединений 2 СаОГеО 2 51 Ог и 2 СаО х Мо,О281.0, что .способствует исключениюнастылеобразования.Отвальный шлак производства ферросилиция имеет высокую температуруплавления 1800-1850 ОС), что обуславливает контакт и взаимодействие .срудой в твердой фазе. 20Металлический цинк, образующийпри осуществлении способа возгоняется, окисляется...

Номер патента: 1073341

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Фульман, Хаскова

МПК: C25C 1/16

Метки: извлечения, растворов, сернокислых, цинка, электролизом

...способ извлечения цинка из сернокислых растворов электролизом в присутствииповерхностно-активного вещества, в: .качестве которого согласно известному способу используют кислотный клей 20,в количестве 50-500 г/т катодногоцинка 2 .Недостатком известного способаявляется то, что добавка в сернокислый раствор цинка костного клеяне обеспечивает образования катодного осадка с. мелкокристаллической структурой и гладкой поверх,ностью, и при плотностях токасвыше500 А/и процесс электроосаждения2цинка длится не более,.24 ч.Цель изобретения - повышение выхода цинка по току и улучшение качества осадка.Поставленная цель достигается тем,з 5что согласно способу извлеченияцинкаиз сернокислых растворов электролизом в присутствии поверхностно-активного...

Номер патента: 1081169

Опубликовано: 23.03.1984

Авторы: Бельский, Кабачник, Медведь, Поликарпов, Щербаков

МПК: C07F 9/38

Метки: 7-триазациклононан, катионов, качестве, комплексона, магния, меди, никеля, связывания, селективного, трис(диоксифосфорилметил)-1, цинка

...СгцгсЬ 1. К.К. Ндггд 1 огг 1- опдс асЫ) Б-охотес асИ И-ох 1 йе: ас 1- 1 пя са 1 схцш апй шаепогд.сЬеш", 1967,Э2. Б.1 пяЬош А., Репзаг С Юапп 1 пеп Е.А Сошр 1 ехопесг 1 с гдггаг 1 опшегЬой Гог йегегпйп 1 пд са 1 с 1 цш дпгЬе ргезепсе о 1 ша 8 пев 1 цш. - "Апа 1.сМш асга" 1958, 19, 525.3. БсЬюаггепЬасЬ С., Бепп Н.,Апйегед 8 С. Кошр 1 ехопе, ХХ 1 Х. ЕпЕговзег сЬе 1 агеггеЕг Ьезопйегег агг.,М Григорьев А.И. Расчетпротонирования многоосновныхконстант устойчивости протоЗаказ 1472/21 Тираж 381 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д.4/5Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная, 4 Для комплЕксонов формул 1 и 11ионная сила р =1,0, для остальныхкомплексонов р=О, 1. Как...

Номер патента: 1085934

Опубликовано: 15.04.1984

Авторы: Гуляницкий, Микитченко, Скопенко

МПК: C01G 9/00

Метки: селенида, цинка

...термическое разложение гицразинного комплекса селенидг цинка проте- ЗОкает бурно, так как селенид пинка яв.ляется канализатором разложения гидразина, что обусловливает взрыноопасность процесса.Цель изобретения - повышение чис.5 3тоты продукта, упрощение процесса иобеспечение его нзрывобезопасности.Поставленная цель достигается тем,.что согласно способу получения селенида цинка, селенид цинка получаютпутем термического разложения Еп, Гу(Бе СЫ), где Ру - пиридин, н инертной среде при температуре 510-520 С.При температуре ниже 510 С получаемый Еп Бе содержит в качестве приме сей продукты неполного распада исходного соединения, При 510-520 Сообразуется Еп Бе желтого цвета кубической структуры типа сфалерита, Приотемпературе выше 520 С...

Номер патента: 1090757

Опубликовано: 07.05.1984

Авторы: Касьян, Кнопова, Метельская, Симонова

МПК: C23F 7/26

Метки: водный, покрытий, раствор, хроматнофосфатной, цинка, цинковых

...01ОН Пример. В полненную на 2/3 в четное количество или ее соли, затем форную кислоту, Ра молочной кислоты и лю ДЦ, тщательно и дят в рабочий растПроцесс обработ вором осуществляет при температуре ра Сушка пленки - при 30 мин либо при .15 0,5-2 мин.Конкретные прим воров .для хроматно ки цинка и цинковы дены в таблице. 5 Внешний вид кон- версионной пленк Коррозионнаястойкостьпленки,бал. оставаствора г/ 40 50 00 Раствор 1 4 Хорошо стойко3 Хорошо стойкое Нестойкое Хорошостойко ртофосфорнаяислота ения они являются термопластами, имеют лаковую природу (основа фенолоформальдегидная смола),что и приводитк повышению термо- и водостойкостй,Дубитель для цинка (ДЦ) поТУ 6-09-1245-76 представляет собойвязкую жидкость темно-вишневого...

Номер патента: 1092195

Опубликовано: 15.05.1984

Авторы: Елисеев, Яковлева

МПК: C22B 7/02

Метки: доменной, извлечения, пыли, цинка

...по растворителю процесса, а сульфатобраэование происходит вне контакта с жепезосодержащим продуктом. 5П р и м е р . 100,0 г пыли состава, %: цинк 10,3; железо 25,5; углерод Таблица 1. В растворцинка,% Извлечениежелеза, % Опыт, рН раствора В Расходкислоты,16,4 24, 3.30,3 3 4 5 32,0 35,8 значения рН конечного раство 20400 см раствора от выщелачивания пыпи в условиях опыта 3 обрабатывао т оксидом кальция при 20 С до раз личногора.Резу ьтаты представлены в табл Т а б л и ц а 2Опыт рН раствор асход СаО К ация цинк аств г/дм ре, в кеке,7,0 8,0 9,0 11,0 12,0 К 400 смЗ, гидроксидом кях опыта 9 доконцентрацией адаваемого значения рН конечногоаствора.Результаты представлены втабл. 3. аствора от осаждения альция цинка в условиавляют серную...

Номер патента: 1092210

Опубликовано: 15.05.1984

Авторы: Дубков, Жаринская, Ровецкая, Стецишин, Цвилюк

МПК: C23F 1/00

Метки: печатных, сплава, травления, форм, цинка

...качестваформ. П р и м е р 1. Рельефное изображение на пластине из микроцинкового сплава получают в травильной установке роторного типа в следующем составе травящего раствора, мас.%;Азотная при следующих условиях:температура в мин) 4,5Времятравления, мин 1 ОГлубина травления рельефа составляет 1350 мкм, скорость травления 135 мкм/мин. Стравливание печатающих элементов - 18 мкм. Угол наклона боковых граней печатающих элементов - 30 , Подтравливание торца штриоховых элементов отсутствует.Параллельно травят пластину в травильной установке роторного типа в растворе следующего состава, мас,% (прототип):. Азотная при следующих условиях:Температура травящегораствора, Со27Скоростьподачитравящегораствора, м/с 2,5/травления, мин 14Глубина...

Номер патента: 1097910

Опубликовано: 15.06.1984

Авторы: Кокозей, Павленко, Скопенко

МПК: C10G 9/02, G01N 31/00

Метки: оксида, растворения, цинка

...близким по техническойсущности и достигаемым результатамк предлагаемому является способ растворения оксида цинка путем обработки образца ацетилацетоном, растворенным в ацетонитриле23.Недостатком данного способа также является неудовлетворительная избирательность по отношению к оксидукадмия.Цель изобретения - повышение избирательности растворения по отношению к оксиду кадмия,Поставленная цель достигается тем,,что согласно способу растворения оксида цинка с применением селектив- З 5ного растворителя преимущественнодля последующего аналитического определения,в качестве растворителяиспользуют раствор пиридина в ацетоне и процесс осуществляют в присут- щствии хлорида аммония.Растворение проводят в стеклянномреакторе на...

Номер патента: 1100566

Опубликовано: 30.06.1984

Авторы: Воздвиженская, Горбенко, Жуковец, Кокозей, Павленко, Скопенко

МПК: G01N 31/00

Метки: оксида, цинка

...цинкапутемселективного его извлечения 251 н. водным раствором ацетата аммонияпри кипячении. Анализируемую пробупомещают в стакан, приливают водныйраствор ацетата аммония, нагреваютдо кипения и кипятят в течение 3030 мин. После остывания растворФильтруют и в фильтрате определяютсодержание свободного оксида цинка23.Однако определение по известному способу также длительно и требуетнагревания при 100 ОС, что увеличивает энергоемкость процесса,Кроме того, длительное кипячениеприводит к диспергированию образца,а в рядеслучаев и к разложению,что затрудняет фильтрование и увеличивает ошибку определения. Цель изобретения в ,ускорение и упрощение процесса,45Поставленная цель достигается тем, что согласно способу определения оксида цинка путем...

Номер патента: 1112273

Опубликовано: 07.09.1984

Авторы: Заложкова, Маклакова, Рычкова

МПК: G01N 31/10

Метки: цинка

...по егокаталитическому действию на окисли"тельно-восстановительную реакцию между эйконогеном и перекисью водорода, З 5которую осуществляют при рН 6,2"6,8в присутствии смеси сернокислой медии нитрилтриметилфосфоновой кислоты,взятых в соотношении 1:(3,7-5,3),В основу предлагаемого способа 40положено впервые установленное увеличение скорости окисления зйконогенаперекисью водорода в присутствии ионовцинка и фосфоната. меди. Предлагаемыйспособ позволяетпроводить определение цинка с пределом обнаружения5-2 мкг/л.П р и м е р 1. В колбу вводятпоследовательно 10 мл анализируемого Таблица 1 Найдено цинка, мкг/л Пример Введеноцинка, мкг/л 5.10 20 1 2 3 4,5 5,2 4,0 5,8 6,1 5,2 1,9 2,110,4 11,2 12,6 9,4 10, 1 10,7 2,2 2,718 8 19 О 21 2 18 О 18 О...

Номер патента: 1113739

Опубликовано: 15.09.1984

Авторы: Новоторов, Новоторова, Циновой

МПК: G01N 31/08

Метки: алкильных, органических, примесей, соединениях, цинка

...непосредственно не участвует в самой реакции, при количественном анализе исследуемого соединения он используется в качестве внутреннего стандарта. Содержание интересующей примесивычисляют по формуле где Я и Б;,и - площади хроматографических пиков интересующей примесии внутреннего стан-дарта;К - относительный коэффициент чувствительности для интересующей примеси(стандартспирт-ректификат ),г - отношение массы внутреннего стандарта кмассе анализируемогообразца (без стандарта).При содержании галоидных алкилов ниже предела обнаружения ПИД газохроматографический анализ проводится с применением ДПР. В этом случае для количественных расчетов используется метод абсолютной калибровки. Поскольку этиловый спирт не участвует непосредственно в...

Номер патента: 1114692

Опубликовано: 23.09.1984

Автор: Михо

МПК: C09K 11/14

Метки: основе, сульфида, цинка, электролюминофора

...центров, способствующих диссоциации на поверхности люминофора адсорбированных молекул воды, что является одной изосновных причин высохой скорости старения электролюминофоров во влажнойатмосфере. При этом в качестве кислородсодержащей атмосферы возможно использование чистого кислорода либо смеси его с инертными газами, а также воздуха, обработка в котором является наиболее технологичной.Выбор пределов величины плотности электрического заряда, а также времени обработки обуславливается необходимостью достижения максимального повышения срока службы целевого люминофора в условиях повышенной влажности при сохранении его высокой начальной яркости.При этом обработка при плотности электрического заряда менее10 Кл/см не снижает существенно...

Номер патента: 1125501

Опубликовано: 23.11.1984

Авторы: Кокозей, Павленко, Скопенко

МПК: C01G 9/00, G01N 25/48

Метки: растворения, цинка

...б 1)ОГч 11 ДОВ ь 1 еилэа В ме50танапе.Разделение цинка ц кадмия с помощью цэвестцого сепектцшгого растворцтеця.П р и м е р 1. Смесь, состоящую иэ0,7 г оксггда цьпка ц 0,7 г оксида кадмия, 55помегцают в реактор ц црцшвгпот 25 мп10%.ного раствора ацеэглацстоца и ацетоцитри:ле. Реакциоццуго смесь нагревают прц 70 С при постоянном перемешивании в течение 1,5 ч и фильтруют в горячем состоянии. В фильтрате обнаружено 0,7 г оксида цинка.При этих условиях Оксид кадмйя переходит и раствор в количестве 0,02 г. Коэффициент разделения равен 35,Разделение цинка и кадмия с помошыа предлагаемого растворителя.П р и м е р 2. В реактор вцосят 0,112 г порошка цинка, приливают 50 мп 2%-ного раствора бромида калия в метаноле и цагре. вают прц постоянном...

Номер патента: 1129257

Опубликовано: 15.12.1984

Автор: Асланов

МПК: C22B 3/00

Метки: десорбции, катионитов, меди, цинка

...содержащий 100 мл40 раствора сульфата меди. Концентрациямеди в исходном электролите 50 г/л,рН=3,4, Катод медный, анод свинцовый.Электрообработку ведут при силе тока1,44 А (катодная плотность тока45 к = 200 А/м ) и напряжении 4,б Вв течение 4 ч.,По окончании процесса продуктыэлектродесорбции (отрегенерированныйкатионит, электролит.и катод) отде 50 ляют друг от друг. Катод промывают,высушивают и взвешивают. По разности масс до и после электролизаопределяют привес катодаОтрегенерированный катионит отделяют наФильтре от электролита, промываютводой и подвергают контрольнойкислотной десорбции в 30-ной сернойкислоте. По результатам анализаконтрольного элюата судят об остаточной концентрации металла на от 0 регенерированной смоле, по...

Номер патента: 625509

Опубликовано: 23.12.1984

Авторы: Симашкевич, Циуляну, Чукова

МПК: H01L 21/20

Метки: осаждения, слоев, теллурида, цинка

...в ампулу подложки и вещества, из расплава которого производят осаждение, откачку и отпайку ампулы, нагрев ее до температуры растворения и выдержку при постоянной температуре, после 35 дующую эпитаксию в процессе понижения температуры с определенной скоростью, слив раствора с подложки и освобождение подложки со слоем от остатков растворителя 2 . Способ позволяет получать слои теллу рида цинка из раствора в расплаве металлов висмута и цинка. мещают в один конец графитовой лодочки, а подложку - в другой ее конец. Лодочку помещают в кварцевую ампулу, которую откачивают и отпаивают, Систему нагревают до температуры 950-1050 С. При такой температуре в течение 1 ч проводят растворение теллурида цинка, Затем лодочку наклоняют и заливают...

Номер патента: 1135816

Опубликовано: 23.01.1985

Авторы: Кудрявцев, Ляхов, Явич

МПК: C25D 3/56

Метки: кадмия, осаждения, покрытий, сплавами, титаном, цинка, цирконием, электролит

...сернокислого титана (циркония) при приготовлении гицроокиси берут равным количествутитана (циркония), растворяемомув электролите.Гидроокись магния или ее смесь сгидроокисью титана (циркония) приготавливают и вводят в электролит потой же схеме, что и гидроокиси указанных металлов. При этом соль магния растворяют в водном растворесернокислого титана (циркония) в необходимом количестве до начала введения в раствор гидроокиси натрия,В состав предлагаемого электролита для улучшения качества покрытиймогут быть введены также блескообразующие добавки в концентрации 1О г/л, не реагирующие с перекисьюводорода, такие как соли никеля,кобальта или молибдена, декстрин,глицерин, ПЗИ, Лимеда НБЦ,БЦ,БЦидругие добавки. Пригодность блескообразующей...

Номер патента: 1148832

Опубликовано: 07.04.1985

Авторы: Антипов, Владыко, Гринберг, Дерновский, Мовум-Заде

МПК: C01B 17/00, C01B 19/00

Метки: порошка, селенида, цинка

...приборов, 25Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому результату является способ получения селенида цинка путем коитактирования газообразного селеноводорода с ЗО парами металла при температуре до 1000 С 21., Недостатком известного способа является образование порошка различой дисперсности ( . 50 мкм) в зави 35 симости от условий проведения процесса, в то время как. для производства оптической керамики необходим особо чистыйпорошок селенида цинка определенной днсперсности.40Цель изобретения - получение тонкодисперсного порошка селенида цинка,2Поставленная цель достигается тем, что взаимодействию с селеноводородом подвергают пары элементарного цинка, полученные путем барботирования инертного газа через расплав...

Номер патента: 1157101

Опубликовано: 23.05.1985

Авторы: Ким, Ксандров, Никандров, Овчинников, Фильченкова

МПК: C22B 15/10, C22B 19/24

Метки: извлечения, меди, огарка, пиритного, цинка

...15"20 степень извлече 50 ния цинка приближается .асимптотичес. ки к 100% при увеличении Т:Ж с 20 до 22 заметного увеличения степени извлечения цинка не происходит, а извлечение меди возрастает дополни тельно на 1,5 Х. В связи с этим интервал изменений Т;Ж = 1:(15-20) можно считать содержащим оптимальные,3цесса при условиях, которые, какпоказано ниже, являются для нее оптимальными, извлекается не толькооксид меди, но и остаток соединенийцинка, и концентрат, получаемый извторого фнльтрата (далее "второйконцентрат"), не может рассматриваться как технически чистый оксид меди.Интервал концентраций сульфида 10аммония 0,02-0,05 Х является оптималь. ным, в связи с чем большинство опытов выполнены при концентрации сульфида аммония 0,035,...

Номер патента: 1160296

Опубликовано: 07.06.1985

Авторы: Агеев, Елисеев

МПК: G01N 27/42

Метки: качества, цинка, электролита, электроосаждения

...собирают за время, в .течение которого через единицу площади поверхности анода проходит количество электричества, равное (4,2-21,0) 1 О А с/мф .Электрохимическое восстановление свинецсодержащего анода, покрытого в процессе предшествующего электролиза раствора сульФата цинка пленкой оксида свийца (1 Ч), происходит в соответствии со схемой 2, Н + РЪО +.Н БО 4 + 2 е = РЬБО 4 + й 2 2 Н + РЬБ 04 + 2 е = РЬ + Н 304 В дальнейшем., при электролизе пробы,анализируемого раствора на такомвосстановленном. аноде последовательно протекают реакции без газовыделения РЬ + Н 2804 - 2 е = РЬБО 4 + 2 Н РЬБО 4 + 2 Н аО 2 е= РЬОх + НЕБО+ +и лишь после создания плотной плевкиоксида свинца (1 Ч) на поверхностианода протекает основная реакцияэлектролиза...