Патенты с меткой «цинка»

Номер патента: 1825431

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Беляев, Калинкин, Рубец

МПК: H01L 21/203

Метки: кадмия, основе, светочувствительных, структур, теллуридов, цинка

...напыления линейно возрастала, Линейный нагрев испарителя обеспечивался с помощью модифицированного терморегулятора, До достижения испа1825431 Формула изобретения Составитель А,БеляевТехред М,Моргентал рректор В,Петраш ор при ГКНТ СС Тираж Подписное дарственного комитета по изобретениям и открыти 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5Заказ 2235 ВНИИПИ Го роиэводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 1 рителем температуры 450 С поток к напыляемым структурам перекрывался специальной задвижкой. В испаритель закладывалась навеска твердого раствора (2 по,7 СОо,зТе)ол (1 п 20 з)о,о 1. Масса навески выбиралась такой, чтобы было все вещество израсходовано в процессе напыления. Заранее определенная масса навески...

Номер патента: 1837950

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Даниэл, Дональд

МПК: B01D 61/44

Метки: водного, раствора, сульфата, цинка

...в камеры разбавления второго или следующего этапа. Подобный ступенчатый режим может оказаться нужным и эффективным в плане сокращения потерь цинка вместе с концентратом, поскольку концентрат обычно выбрасывается в виде вытекающего потока после обработки. Разбавитель из такого второго электродиализа концентрата можно возвращать в электродиализ первого этапа в виде исходного материала. В случае необходимости мембраны можно чистить периодически с целью удаления с них всех отложений, например сульфата кальция или фторида или фторида магния, Эти мембраны можно чистить раствором соответствующей кислоты, например 15 О/о-ным раствором уксусной кислоты или.2 М хлористоводородной кислоты с последующим тщательным прополаскиванием мембран в воде....

Номер патента: 1838446

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Девяткина, Зайкова

МПК: C23C 18/38

Метки: контактного, меднения, раствор, цинка

...проводили на воздухе в ечение 1 ч при комнатной температуре. После сушки детали выдерживали в испыта1838446 таблица 1 режимы обработки образцовизобретенном растворе и е растворе по прототипу тельной камере при температуре 38 С и относительной влажности воздуха 80-90 без конденсации влаги, Продолжительность испытаний - 16 ч. После выдержки в испытательной камере образцы с медными покрытиями на цинке очищалиот,пасты с помощью мягкой губки, промывали в холодной проточной воде и осматривали невооруженным глазом.Критерием оценки являлось число розово-лиловых точекЙобщср=угде йобщ - общее число пор на контролируемой поверхности по трем результатам;Я - площадь трех образцов, см .г3. Коррозионную стойкость контролировали капельным методом по...

Номер патента: 2001977

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Варзиев, Кубасов, Попова, Ходов

МПК: C25C 1/16

Метки: цинка

...получении цинка.Известен способ получения цинка электроосаждением из раствора хлорида цинка.Основными недостатками этого способа являются; необходимость применения диафрагм для разделения анодного и катод- ного пространства; выделение газообразного хлора, который необходимо испольэовать; применение закрытых анодных камер, а следовательно, меньшая доступность отдельных частей ванны. Известен способ, взятый в качестве прото-. типа, получения цинка электроосаждением из сернокислого раствора сульфата цинка, содержащего 100 - 180 кг/м цинка, организческие добавки и примеси, В качестве органических добавок в электролит, поступающий о ванны электролиза, осуществляется дозирооанная подача клея и раствора экстракта солодкового...

Номер патента: 1468023

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Кобзарь-Зленко, Комар, Кулик

МПК: C30B 11/02, C30B 29/48

Метки: кристаллов, селенида, цинка

...полости секций 3 заполняют селенидом цинка и в горизонтальном положении контейнера 1 устанавливают одну на другую в нижнюю кристаллизационную полость 2, после чего контейнер 1 устанавливают вертикально, апитатель 4 заполняют оставшимся селени 5 дом цинка. В рабочем положении контейнера 1 цилиндрическая оськристаллизационной полости секций 3 располагается перпендикулярно направлениюкристаллизации. Загруженный контейнер 110 устанавливают в компрессионной печи нашток механизма возвратно-поступательного перемещения, компрессионную печь герметизируют, вакуумируют, заполняютаргоном. Производят оплавление загрузки15 селенида цинка из питателя 4 в кристаллизационные полости секций 3 при перегреверасплава выше...

Номер патента: 1704575

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Вольфсон, Долгих, Колотий, Цзин

МПК: H01C 17/00

Метки: варисторов, качества, оксида, основе, цинка

...и варисторы со значениями 1 а+3 1 а+1,о, отбраковывают.В таблице приведены параметры варисторов, подвергнутых контролю согласно изобретению,Как видно из таблицы, если величина активной составляющей рабочего тока варисторов после прохождения отбраковочного импульса тока составила величину, меньше 3 мА, то эти варисторы являются годными (варисторы МЪ 16, 18, 20, 24, 35, 39,28,98,21,22,64,93-95,30,46,47,56,72, 73), а варисторы, у которых 1 а+3 1 а+1,о, нв выдержали испытания на импульсную устойчивость (варисторы ММ 32, 33, 38, 44, 662, 78, 8).Изобретение позволяет увеличить выход годных варисторов, проводить 1006- ный неразрушающий контроль и повысить надежность ограничителей перенапряжения, в которых используются эти варисторы,25 Патент...

Номер патента: 1625068

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Загоруйко, Кобзарь-Зленко, Комар

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Метки: кристаллов, оптически, прозрачных, селенида, цинка

...в которой показано изменение коэффициента 3 см в зависимости от условийобработки),Это достигается благодаря воздейст 30 вию на образец термических напряжений,расположенных под углом 90 к плоскостиобразца, Расположение боковых нагревателей под прямым углом к центральному обусловливает аналогичное расположение35 градиента температур в полости нагревателей и образующихся термических напряжений в материале кристалла, чтоспособствует противоположному воздействию термических напряжений на разориен 40 тированные по объему кристалласпонтанные напряжения кристаллическойрешетки образца.Проектируя эти точки в систему координат температура (Т, С) - длина (см), получаем точки а, б, в, г, д, е, и т.дсоединяя их между собой, получаем графическую...

Номер патента: 1157889

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Кобзарь-Зленко, Коновалов, Носачев

МПК: C30B 11/02, C30B 29/48

Метки: выращивания, кристаллов, селенида, цинка

...мощности устанавливают ширину расплава в графитовом тигле по сплавившемуся порошкообразно 40 последующую повторную кристаллизацию с меньшей скоростью пропускания, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптических свойств кристаллов, повторную кристаллизацию ведут при ширине эоны расплава 1,2 - 4,0 см, величине давленияинертного газа, не превышающей кристаллизационное давление, развиваемое рас тущим кристаллом. Формула и зоб рете н и я СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНИДА ЦИНКА, включающий плавление исходного материала, его кристаллизацию при пропускании тигля с расплавом через температурный градиент под избыточным давлением инертного газа и му селелиду цинка, которая вначале не должна быть более 2 см. Руководствуясь полученными при...

Номер патента: 1455664

Опубликовано: 15.01.1994

Авторы: Сысоева, Шерле, Шулепников, Эпштейн

МПК: C08G 83/00

Метки: металлов, переходных, полифталоцианинов, цинка

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИФТАЛОЦИАНИНОВ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ И ЦИНКА путем полициклотетрамеризации тетрацианбензола в присутствии хлоридов указанных металлов и мочевины в расплаве мономера при 290 - 310oС, отличающийся тем, что, с целью улучшения технологических свойств целевых продуктов путем придания им растворимости и расширения области их использования, используют безводные хлориды переходных металлов и цинка, процесс проводят в безводной среде и используют мочевину в количестве 3 - 5 моль. % по отношению к мономеру.

Номер патента: 1759021

Опубликовано: 15.07.1994

Авторы: Гришанова, Доценко, Катамадзе, Кутикова, Сахарова

МПК: C09K 11/01, C09K 11/56

Метки: кадмия, катодолюминофора, основе, регенерирования, сульфида, цинка

1. СПОСОБ РЕГЕНЕРИРОВАНИЯ КАТОДОЛЮМИНОФОРА НА ОСНОВЕ СУЛЬФИДА ЦИНКА И КАДМИЯ, активированного медью, включающий обработку люминофора пероксидисульфатом в водном растворе гидроокиси натрия при нагревании, последующую промывку водой и сушку полученного продукта, отличающийся тем, что, с целью повышения яркости свечения и стабильности ее в процессе изготовления экрана и обеспечения равномерности покрытия экрана, люминофор предварительно обрабатывают водным раствором глицина в количестве 0,5 - 8,5 г глицина на 100 г люминофора при 80 - 90oС в течение 10 - 20 мин и промывают водой, а последующую обработку пероксидисульфатом проводят при эквимолекулярном количестве его к гидроокиси натрия в присутствии перхлорита натрия, взятого в...

Номер патента: 1648167

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Буков, Манаширов

МПК: G01N 21/64

Метки: качества, люминофоров, ортосиликата, основе, цинка

1. СПОСОБ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА ЛЮМИНОФОРОВ НА ОСНОВЕ ОРТОСИЛИКАТА ЦИНКА, активированного двухвалентным марганцем, включающий возбуждение люминофора и регистрацию его свечения, по величине которого проводят контроль, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности и достоверности контроля, поверхность частиц люминофора предварительно обрабатывают потоком радикалов водорода с постоянной объемной плотностью порядка 1014 см-3, обработку ведут до установления постоянной величины интенсивности радикалорекомбинационной люминесценции люминофора в зеленой (510 - 540 нм) полосе спектра, затем увеличивают возбуждающий поток радикалов водорода до постоянной объемной плотности...

Номер патента: 1628345

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Авакян, Анисян, Боровинская, Мкртчян, Нерсесян

МПК: B22F 1/00, H01F 1/34

Метки: железа, оксидов, основе, пресс-порошка, феррита, цинка

...пресс-порошка.Количество оксида железа меньше 19,72 мас.% вызывает необходимость ввода в смесь порошка карбонильного железа, больше 41,14 мас.% приводит к бурному протеканию реакции, разбросу продуктов, расплавлению материала и затруднению последующего помола пресс-порошка. Количество оксида железа больше 37,60 мас.% не обеспечивает выделения достаточного количества тепла, необходимого для ферритизации.Нарушение соотношения других исходных компонентов в смеси (оксид цинка, углекислый марганец, двуокись кремния) не обеспечивает получения пресс-порошка заданного состава и свойств,Смешивание исходных оксидов, углекислого марганца и двуокиси кремния меньше 15 мин не обеспечивает получения гомогенной смеси компонентов,...

Номер патента: 1453883

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Абалдуев, Алавердян, Кабакова, Карюк, Кушнарева, Михайлова, Чувилина

МПК: C09K 11/54

Метки: катодолюминофор, оксида, основе, самоактивированного, цинка

1. Катодолюминофор на основе самоактивированного оксида цинка, содержащий кремний, отличающийся тем, что, с целью увеличения яркости свечения при низковольтном возбуждении, он дополнительно содержит галлий при следующем соотношении компонентов, мас.%:Галлий - 0,03 - 0,1Кремний - 0,005 - 0,05Самоактивированный оксид цинка - Остальное2. Способ получения катодолюминофора на основе самоактивированного оксида цинка, включающий обработку оксида цинка кремнийсодержащей жидкостью, термообработку и охлаждение, отличающийся тем, что, с целью увеличения яркости свечения при низковольтном возбуждении, люминофор после охлаждения смачивают водным раствором азотнокислого галлия в количестве 0,03 - 0,1% в расчете на галлий, сушат и...

Номер патента: 999231

Опубликовано: 20.10.1996

Авторы: Ватутин, Климов, Ларин, Мартыненко, Шабсон

МПК: B01J 19/00

Метки: окиси, цинка

1. Установка для получения окиси цинка, содержащая устройства для плавления цинка и устройство для окисления его паров с приспособлениями для подачи воздуха, снабженное рекуператором, отличающаяся тем, что, с целью механизации и автоматизации процесса, экономии сырья и топлива и более полной очистки отходящих газов, она снабжена испарителем, установленным после устройства для плавления, и соединенным с ним коллектором паров цинка, соединяющим испаритель с устройством для окисления, приспособления для подачи воздуха выполнены в виде тангенциальных сопл, размещенных под углом к потоку паров в несколько рядов по длине камеры.2. Установка по п. 1, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности аппаратуры, устройство для испарения...

Номер патента: 1293972

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Аманова, Ильина, Кобзев, Корнилов, Промоненков, Сорокин, Удовенко, Утробин, Шарикова

МПК: A01N 47/44, C07C 279/24, C07F 3/06 ...

Метки: 5-триазинов, 6-амино-4-алкокси-2-алкил-1, гербицидов, исходные, комплексы, о-алкилгуанилизомочевины, полупродуктов, продукты, синтеза, хлоридом, цинка

Комплексы о-алкилгуанилизомочевины с хлоридом цинка общей формулыгде R СН3, С2Н5, (СН3)2СН,как исходные продукты для получения 6-амино-4-алкокси-2-алкил-1,3,5-триазинов полупродуктов синтеза гербицидов.

Номер патента: 1690429

Опубликовано: 10.02.1997

Авторы: Борисов, Демиденко, Дунаев, Миронов

МПК: C30B 23/00

Метки: заготовок, кадмия, контейнер, методом, сублимации, халькогенидов, цинка

Контейнер для получения заготовок из халькогенидов цинка и кадмия методом сублимации, включающий камеру роста, в которой размещена подложка, и исходный материал, разделенные пористой перегородкой, отличающийся тем, что, с целью получения слоистых структур и снижения испарения подложки, контейнер снабжен втулкой с внутренним выступом, на котором установлена подложка, в выступах выполнены сквозные каналы для подачи паров исходного материала к боковым поверхностям подложки, снабжен экраном из жаропрочного и инертного к получаемой заготовке материала, расположенным на верхнем торце втулки.

Номер патента: 1104723

Опубликовано: 20.02.1997

Авторы: Климов, Ларин, Фурсенко, Шабсон, Эстрин

МПК: B01J 19/00

Метки: окиси, цинка

Установка для получения окиси цинка по авт.св. N 999231, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности работы установки, улучшения условий ее эксплуатации в момент пуска и повышения качества продукта, она снабжена камерой неполного сгорания природного газа, подключенной к верхней части испарителя напротив входного отверстия коллектора паров цинка.

Номер патента: 670104

Опубликовано: 27.07.1999

Авторы: Санников, Сычев, Федотов

МПК: C22B 7/04, G01N 23/00

Метки: жидких, непрерывного, отгонки, процесса, свинца, цинка, шлаков

Способ непрерывного контроля процесса отгонки свинца и цинка из жидких шлаков, включающий определение цинка в парогазовой фазе по ее составу и расходу, отличающийся тем, что, с целью одновременного контроля содержания в парогазовой фазе цинка и свинца, газовую фазу одновременно просвечивают двумя потоками гамма-излучения различной энергии, определяют поглощение парогазовой фазой гамма-квантов с энергией 80 - 10000 кэВ и 20 - 1кэВ, определяют коэффициенты поглощения парогазовой фазой этих гамма-квантов и рассчитывают концентрации цинка и свинца по формуламгде

Номер патента: 1331100

Опубликовано: 27.07.1999

Авторы: Беньяш, Булкина, Григорьев

МПК: C22C 18/04

Метки: основе, сплав, цинка

Сплав на основе цинка, преимущественно для очистки цинковых растворов от примесей металлов путем цементации, содержащий алюминий и марганец, отличающийся тем, что, с целью повышения глубины очистки нейтральных цинковых растворов от электроположительных примесей, он содержит компоненты при следующем соотношении, мас.%:Алюминий - 0,1 - 0,5Марганец - 0,5 - 5,0Цинк - Остальное

Номер патента: 1284252

Опубликовано: 27.07.1999

Авторы: Беньяш, Бутакова, Григорьев, Козлов

МПК: C22C 18/04

Метки: основе, сплав, цинка

Сплав на основе цинка, содержащий свинец, сурьму, отличающийся тем, что, с целью повышения качества очистки растворов сульфата цинка от примесей, он дополнительно содержит алюминий при следующем соотношении компонентов, мас.%:Свинец - 1,0 - 2,0Сурьма - 0,1 - 0,3Алюминий - 0,3 - 1,0Цинк - Остальное

Номер патента: 799453

Опубликовано: 10.08.1999

Авторы: Гель, Краев, Павлюшин, Петунин, Романов, Саварин, Спирин, Тарасов, Чаптыков

МПК: C22B 19/18

Метки: конденсатор, паров, цинка

Конденсатор паров цинка, включающий конденсационную камеру, перегородки, импеллеры, насос и зумпфы для сбора свинца и цинка, отличающийся тем, что, с целью повышения степени разделения свинца и цинка, конденсационная камера снабжена порогом, а в зумпфе установлена перегородка, выполненная из огнеупорных материалов с теплопроводностью в верхней части ее, большей, чем в нижней.

Номер патента: 745182

Опубликовано: 10.08.1999

Авторы: Гель, Тарасов

МПК: C22B 19/20

Метки: металлизированных, товарного, цинка, цинксодержащих

Способ получения товарного цинка из металлизированных цинксодержащих материалов, например гартцинка, цинковый изгари, железистого цинка плавкой, включающий очистку расплава цинка алюминием под слоем карналлит-криолитового флюса, отличающийся тем, что, с целью повышения извлечения цинка в товарный металл из материалов с высоким содержанием железа, сначала процесс ведут при 610 - 750oC с загрузкой 50 - 80% алюминия от необходимого количества, затем постадийно снижают температуру на 70 - 130oC и остальной алюминий загружают равными долями на каждой стадии.

Номер патента: 747149

Опубликовано: 10.08.1999

Авторы: Беньяш, Пиков, Хан, Шарова

МПК: C22B 3/20, C22B 3/44

Метки: примесей, раствора, сульфата, цинка

1. Способ очистки раствора сульфата цинка от примесей, включающий введение в раствор активирующей добавки и осаждение примесей цинковой пылью, отличающийся тем, что, с целью повышения степени очистки раствора и сокращения расхода цинковой пыли, в раствор после подачи цинковой пыли вводят вещества, замедляющие процессы растворения осажденных металлов-примесей.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве веществ, замедляющих процессы растворения, вводят фосфаты щелочных металлов, например 0,005 - 0,5 г/л гексаметафосфата или триполифосфата натрия.

Номер патента: 708717

Опубликовано: 10.08.1999

Авторы: Брюханов, Гель, Тарасов, Фролов, Шнейдер

МПК: C22B 19/18

Метки: конденсации, паров, цинка

Устройство для конденсации паров цинка, включающее корпус с перегородкой в нижней части его, окна, выполненные в стенке корпуса, конденсационную камеру, внешний зумпф и вертикально расположенные импеллеры, отличающееся тем, что, с целью повышения эффективности вывода трассы, наружный зумпф снабжен перегородкой и насосом, а переточное окно расположено у противоположной от трассовыводящего окна стенки корпуса.

Номер патента: 915492

Опубликовано: 10.08.1999

Авторы: Балушкина, Григорьев, Фульман, Шмакова

МПК: C25C 7/02

Метки: анодов, свинцово-серебряного, сплава, цинка, электролитического

1. Способ изготовления анодов из свинцово-серебряного сплава для электролитического получения цинка, включающий закалку горячего сляба и прокатку его до уменьшения толщины на 15 - 30%, отличающийся тем, что, с целью увеличения коррозионной стойкости анодов и сокращения трудозатрат при подготовке их к электролизу, закалку сляба ведут в пульпе, содержащей водный раствор связующего концентрации 200 - 400 г/л и пассиватор при отношении водного раствора связующего к пассиватору 1 : (2 - 1).2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве связующего используют материалы из группы, содержащей желатин, гуммиарабик, декстрин, клей.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве...

Номер патента: 1813275

Опубликовано: 10.07.2000

Авторы: Литвиненко, Шаравара

МПК: C22B 19/00

Метки: концентратов, окиси, сульфидных, цинка

Способ получения окиси цинка из сульфидных концентратов, включающий окислительный обжиг сырья, выщелачивание полученного огарка раствором серной кислоты, выделение черновой меди, осаждение и выделение гидрохлорида железа с последующим получением из раствора окиси цинка, отличающийся тем, что, с целью повышения степени чистоты окиси цинка, растворы, полученные после выделения гидроксида железа, направляют на экстракционную перечистку с использованием 0,5 - 1,0 н раствора ди-2-этилгексилфосфорной кислоты в углеводном сырье, при рН 2,0 - 2,5, после чего проводят реэкстракцию цинка 5 - 15%-ным раствором серной кислоты, из реэкстракта осаждают карбонат цинка добавлением 20 - 25%-ного раствора...

Номер патента: 1100824

Опубликовано: 20.07.2003

Авторы: Байрамов, Генералова, Меньшов, Поздняков

МПК: C07C 55/07, C07F 3/06, C25B 3/12 ...

Метки: оксалата, цинка

Способ получения оксалата цинка, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса, цинк подвергают анодному растворению в водном растворе щавелевой кислоты при температуре 60-70oC в присутствии 3-5 мас.% азотной кислоты при напряжении 1-5 В и при начальной плотности тока iнач.=10-25 А/дм2.

Номер патента: 934719

Опубликовано: 20.08.2004

Авторы: Аренс, Долгорев, Келин, Остроушко, Хулелидзе

МПК: E21B 43/28

Метки: выщелачивания, руд, свинца, сульфидных, цинка

Способ выщелачивания свинца и цинка из сульфидных руд, включающий подачу выщелачивающего раствора на основе хлористого натрия и серной кислоты в раздробленную руду, сбор продуктивных растворов, их фильтрацию и сушку свинца и цинка, отличающийся тем, что, с целью повышения извлечения свинца и цинка и селективности выщелачивания руды, хлористый натрий и серную кислоту подают в следующих количествах, г/л:Хлористый натрий 120-180Серная кислота 3-5при этом температуру раствора выдерживают в интервале 20-70 С, а удельный расход раствора - в пределах 0,1-0,2 м3/ч

Номер патента: 1373025

Опубликовано: 20.08.2004

Авторы: Келин, Кондратьев, Кузнецов, Хулелидзе

МПК: E21B 43/28

Метки: выщелачивания, руд, свинца, сульфидных, цинка

Способ выщелачивания свинца и цинка из сульфидных руд по авт.св. № 934719, отличающийся тем, что, с целью интенсификации выщелачивания за счет предотвращения газовой кальматации и увеличения фильтрационной способности выщелачивающего раствора, производят дегазацию воды перед ее смешиванием с реагентами - хлористым натрием и серной кислотой.

Номер патента: 1005480

Опубликовано: 10.03.2012

Авторы: Дьяков, Сутурин

МПК: C22B 19/32

Метки: железа, рафинирования, цинка

1. Способ рафинирования цинка от железа, включающий расплавление его, вмешивание в расплав алюминия и съем дроссов, отличающийся тем, что, с целью снижения выхода цинка в дроссы, вмешивание алюминия в расплав ведут до содержания его 3-9%, расплав подвергают центробежной фильтрации при 690-420°С, затем обрабатывают карналлитовым флюсом.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что фильтрацию ведут сначала при 690-500°С, а затем, после снижения содержания алюминия, при 420-460°С. 3. Способ по пп.1, 2, отличающийся тем, что первую стадию фильтрации ведут при содержании алюминия, на 1-4% превышающем содержание железа, а вторую - при отношении содержания алюминия к...