Архив за 1982 год

Страница 2001

Адресный формирователь

Загрузка...

Номер патента: 970460

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Гафаров, Минков, Соломоненко, Уросов

МПК: G11C 7/24

Метки: адресный, формирователь

...транзистора связи, причем стоки транзисторов связи этих пар и затворы входного и опорного транзисторов подключены к соответствующим плечамтриггера, затворы транзисторов связиподключены к первой тактовой шине,.исток опорного транзистора одной пары транзисторов подключены к шиненулевого потенциапа, а исток входного транзистора другой - к входнойшине, введен компенсирующий элемент,выполненный в виде конденсатора, одна обкладка которого подключена квходному плечу триггерами а втораяк шине нулевого потенциала.Емкость конденсатора выбираетсятакой, чтобы скомпенсировать действия двух рассмотренных выше Факторов,обуславливающих зависимость порогасрабатывания от фронта стробирующего сигнала,На Фиг. 1.приведена принципиальная электрическая схема...

Усилитель считывания

Загрузка...

Номер патента: 970461

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Исаева, Сидоренко, Чекалкин, Юхименко

МПК: G11C 7/06

Метки: считывания, усилитель

...сигнал Ф 1 , напряжениекоторого равно фЛог.О, а на зат,вор транзистора 5 поступает запускающий сигнал Ф 1, напряжение которого равно Лог.1. В результате этого стробируемый триггер, выполненный на транзисторах 1-5 включается запускающим сигналом ф 1 и устанавливается в состояние, определяемое информацией, считанной из.ячейки накопителя. С выходов триггерной схемы 6 и 7 сигнал поступает .на затворы транзисторов 12 и 17, вследствие чего на одном из выходов усилителя считывания формируется напряжение фЛог.Оф, а на другом - фЛог.1. После того, как на выходах усилителя 18 и 19 считывания сформировался сигнал, приходит второй управляющий сигнал ф 1 мд, напряжение которого равно фЛог.1 ф, и происходит предварительный заряд числовой шины,...

Оперативное запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 970462

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Горшков, Науман, Служеникин, Шумкин

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее, оперативное

...и адрес ячеек памяти, ккоторым осуществляется обращение ввыбранном блоке 1.Сигнал признака операции определяет основные операции ОЗУ, т,е. 1 За"пись или фСчитываниеф.Блок 2 организует обращение к блокам 1 согласно принятому от внешнихустройств коду адреса и признака операции,С выхода 4 блока 2 в блоки 1 поступают сигналы начального сбросаНСБР,.СТАРТ (фиг. 2) и сигнал признака операции. Выдача байтов адреса,байта слова, а также сигнала признака операции в блоки 1,осуществляетсяпо сигналу НСБР. Параллельный код адреса, поступающий с выхода 5 блока 2,подается на входы шифратора 15. Количество разрядов адреса зависит отчисла блокоВ 1 в структуре ОЗУ. Номер конкретного блока 1 набирается вшифраторе 15 с помощью элементов коммутации в двоичном...

Запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 970463

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Родионов, Страбыкин

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее

...через КА 3 на адресные входы БП 4, и производится считывание анализируемого чис ла массива в ВР 5. На выходах РС б вырабатывается код, представляющий Адрес ячейки диапазона(содержимое ячейки БП) Предлагаемое устройство обеспечивает сокращение времени решения задачи подсчета количества чисел, укладывающихся в заданные диапазоны, по сравнению с решением этой задачи в известных ЗУ. Поскольку в предлагаемом ЗУ для определения диапаэона, к которому относится анализируемое число, и для увеличения на единицу содержимого ячейки соответствующего диапазона требуется три обращения к ЗУ (чтение анализируемого числа, чтение содержимого ячейки диапазона ь запись увеличенного содержимого ячейки диапазона), то время решения собой сдвинутый на -а...

Запоминающее устройство с одновременной выборкой нескольких слов

Загрузка...

Номер патента: 970464

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Горбенко, Зелтиньш, Лобанов, Тимофеев

МПК: G11C 11/00

Метки: выборкой, запоминающее, нескольких, одновременной, слов

...выборки, адресный блок б записи,в который входят регистр 7 адреса записи и дешифратор 8 адреса записи,пав элементов И 9, регистр 10 направлений записи, триггеры 11 сбоя, и регистров и 12 направлений выборки 12, 5первую группу из 2 п элементов И 13 накаждое .направление записи и вторуюгруппу из щ элементов И 14 на каждоенаправленче записи,Эапоминающее устройство работает 1 Оследующим образом.Адресный блок б записи по исполнительному сигналу в зависимости откода адреса, находящегося в регистре 7 адреса записи, с дешифратора 8адреса записи выдает сигнал записи водну из ячеек памяти матрицы 1 наэлементы И 14, в результате чего информация с регистра 10 направленийзаписи переписывается в запоминающиеэлементы 2 в течение времени...

Запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 970465

Опубликовано: 30.10.1982

Автор: Шепель

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее

...переносится в мультиплексор выход которого является выходом устройства. При этом задержка вывода информации определяется не временем поиска адресаи вывода информации из запоминающего элемента, а только быстродействием дополнительного регистра.На фиг.1 представлена структурная схема запоминающего устройства; на фиг.2 - структурная ехема ячейки памяти запоминающего устройстваф на фиг.З - структурная схема блока уп,. равления запоминающего устройства.Запоминающее устройство содержит демультиплексор 1 (фиг.1), вход которого является входом устройства, а выходы соединены с соответствующими входами регистра 2. К каждому выходу регистра 2 подключены два входа ячеек 3 памяти накопителя 4. Выходы каж", дых двух ячеек 3 памяти подключены к...

Запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 970466

Опубликовано: 30.10.1982

Автор: Гафаров

МПК: G11C 11/08

Метки: запоминающее

...импульсов магнитодвижущая5О15 20 25 30 35 40 45 55 65 сила (МДС) обмотки 2 направлена блева направо и поток в перемычке 22 не переключается. МДС обмотки 3 при каждом очередном импульсе источника 11 меняет свое направление, в результате чего в перемычке 23 происходит переключение магнитного потока, величина которого определяется сопротивлением потенциометра 12. В исходном состоя" нии устройства распределение переключаемого указанным образом потока между перемычками 24 и 25 разветвлен(ного участка 21 магнитопровода может быть любым, Если поток переключает ся по одной из двух или обеим перемычкам 24 и 25 одновременно, соответствующие конденсаторы 17 и 18, подключенные через диодные мосты 9 и 10 к выходным биотокам 6 и 7,...

Накопитель для запоминающего устройства

Загрузка...

Номер патента: 970467

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Балашов, Гиль, Нестерук, Потапов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающего, накопитель, устройства

...каналов продвижения ЦМД, а разряд второго слова, например а - в позиции 8 регист. 65 ра связи и основных переключателей 1 Ч ввода- вывода, откуда при подаче импульса тока положительной полярности в токопронодящую шину переключателей ввода-вывода они вводятся в регистры хранения.В предлагаемом накопителе для ЗУ помимо функции приема, хранения и выдачи данных выполняются логическиеоперации ЗАПРЕТ и КОНЬЮНКЦИЯ, которыеобладают свойствами функциональной полноты, а также операции правых и левых сдвигов.При выполнении операций праного илевого сдвигов считываемое слово выводится из регистров хранения в регистр связи и поступает .в позиции 9 одноименных дополнительных переключателей Х 11 ввода-вывода, откуда при подаче импульса тока...

Способ изготовления цилиндрических магнитных пленок

Загрузка...

Номер патента: 970468

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Водеников, Иващенко

МПК: G11C 11/14

Метки: магнитных, пленок, цилиндрических

...сплава и обеспечивает изменение его химического состава и увеличение 3, до нулевого значения,магнитного сплава и дальнейший нагрев пленки до 200-250 С при термомагнитной обработке в инертной атмосфере или с защитным покрытием не приводит к изменению химического состава, так как диффузионные процессы при 5 указанных температурах за время прохождения пленки через печь не успевают оказать влияние на перераспределение компонентов слоя ферромагнитного сплава, 10На химический состав слоя ферромагнитного сплава наиболее эффектив" но воздействует температура электролита при осаждении ферромагнитного сплава. Поэтому целесообразно по результатам сравнения коэффициента маг нитострикции с эталонной величиной ,регулировать температуру осаждения...

Запоминающая матрица

Загрузка...

Номер патента: 970469

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Казаченко, Королюк, Костылев, Кузнецова, Романов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающая, матрица

...выбран ного запоминающего элемента устанавливается в одно из двух устойчивых Ь 5 состояний, которые соответствуют либо коду "1", либо коду "О",При считывании информации из формирователя тока запоминающего устройства в выбранную числовую шину 1 по". дают импульс тока, создакший магнитное поле, под действием которого вектор намагниченности выбранного запоминающего элемента поворачивается,ми шинами 1 и препятствует распространению магнитного поля выбранной числовой шины 1 на соседние запоминающие элементы, т.е. локализует действие данного магнитного ноля в зоне выбранного 33, Кроме того, при считывании информации часть магнитного кипера 3 образует цепь с наименьшим магнитным сопротивлением для заьыкания магнитного потока выбранного...

Устройство для извлечения многозначного ответа из ассоциативного накопителя

Загрузка...

Номер патента: 970470

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Бикмухаметов, Тахаутдинова, Трусфус

МПК: G11C 15/00, G11C 7/00

Метки: ассоциативного, извлечения, многозначного, накопителя, ответа

...предлагаемого устройства 30. На фиг.2 обозначены также адресные выходы 31 и 32 устройства, реализованного на основе блоков 30(Фиг.1). В устройстве предполагается использование МДП-транзисторов с индуцированным каналом,Устройство работает следующим об" разом.Перед началом работы производятопрос ассоциативного накопителя. Сигналы иэ ячеек памяти, удовлетворящихзаданному критерию поиска и составляющих многозначный ответ, поступают назатворы входных транзисторов 1.1-1.4, Соответствующие из входных транзисторов Ъ.1-1.4 открываются и через них происходит заряд одноименных словарных линий 19-22. Словарные линии 1922 расположены в порядке возрастанияих кода адреса от "ОО" до "11" После этого транзисторы 1,1-1.4 закрываются.Далее работа...

Логическое запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 970471

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Кукулиев, Темирханов

МПК: G11C 15/00

Метки: запоминающее, логическое

...21 с прямыми 22 иинверсными 23 выходами и выходнойинформационный регистр 24. На чертеже обозначены управляющие входы 25-28 Ь 5 и вход 29 разрешения записи устройства,Логическое запоминающее устройствоработает следующим образом,Анализ работы устройства можнопровести, представляя его как элементарный автомат, функция переходовкоторого с учетом управляющих сигналов имеет вид 5 шг 1 х У гХУ ч гх 1 У 1 г 4 ху 1Г (х, у),где 5 - выход 1-того разряда лошки обрамления;1-тый разряд двоичной переменной, возбуждаемойна выходах первой т.руппы 1 накопителей и. выбираемой по первому адресухранящейся в первой 9 половине регистра адреса;у. - етый разряд двоичной переменной, возбуждаемой навыходах второй группы 2накопителей и выбираемойпо второму...

Устройство для управления регенерацией

Загрузка...

Номер патента: 970472

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Клепиков, Машкин

МПК: G11C 21/00

Метки: регенерацией

...содержит генератор 1 импульсов, счетчик 2 адресов, элемент И 3, регистр 4 и коммутатор 5.Число разрядов регистра 4, пред назначенного для хранения значений зон регенераций, может быть любым 5 от 2 до 2", где и - число разрядов счетчика 2 адресов.Устройство для управления регене рацией работает следующим образом.Перед решением какой-либо задачи с использованием запоминающего устройетва производится запись в регистр 4 зон регенерации, Каждый разряд регистра 4 соответствует определенной зоне памяти запоминающего устройства.15 Наличие логической единицы в разряде регистра 4 является требованием регенерации соответствующей эоны запоминающего устройства. Генератор 1 импульсов регенерации вырабатывает им пульсы, которые поступают на вход...

Электромеханическое запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 970473

Опубликовано: 30.10.1982

Автор: Курочкин

МПК: G11C 23/00

Метки: запоминающее, электромеханическое

...информации выполнены в виде колес., контактирующих с пластинами,установленньии в сквозных отверстияхребра, расположенного в средней час ти паза по окружности диска, причемполуось первого колеса кинематически связана с сердечником электромагнита, полуось второго - с контактомпереключателя, а полуось третьего 30 колеса жестко закреплена в корпусе.970473 Формула изобретения д э- 1 ВНИИПИ Заказ 8398/65 Тираж 622 Подписное Филиал ППП "Патент", г.Ужгород, ул.Проектная,4 На фиг. 1 схематично изображено предлагаемое Устройство, общий вид ,на фиг,2 - разрез А-А на фиг. 1.Устройство содержит корпус 1, электромагнит 2, первое колесо 3 с полуосью, являющееся элементом запи-си, элементы памяти 4, выполненые в виде синусоидально изогнутых упругих...

Аналоговое запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 970474

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Козлова, Левочкин

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...поступаетна инверсный вход операционного усилителя, с конденсатора 3 через резистор 10 - на неинверсный вход, Напряжение на выходе усилителя будетравноОы=0 К +П( Кгде К =- - " коэффициент передачиВ 8( Н 9усилителя по инверсномуВ 8 Ф 9 25К - . коэффициент передачиусилителя по неинверс-,ному входуИз формулы видно, что при равенстве резисторов 8 и 9 коэффициент уси- Золения по инверсному роду равен -1,а по неинверсному входу ,.При этом напряжение на выходеустройства будет равно"Оых ="Ьх("1)+П вх (2) =П.Ь ЗВ режиме хранения ключи 1 и 2 закрыты и на входы усилителяпоступаютсигналы, запомненные конценсаторами3 и 4,При переходе устройства из режимазаписи в режим хранения на накопительных конденсаторах 3 и 4 появляется сигнал пролеэания,...

Запоминающее устройство с обнаружением и исправлением ошибок

Загрузка...

Номер патента: 970475

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Касиян, Кейбаш

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, исправлением, обнаружением, ошибок

...ИЛИ21 и элементы И 22,Устройство работает следующим образом,Накопитель 1 выполнен в виде нескольких зон 1- 1, 1- 2, 1-и, каждая изкоторыхсодержит определенное числослов и имеет контрольный код, запомненный по фиксированному адресу, апо разрядам контрольных кодов в своюочередь определяется их контрольныйкод и также запоминается по фиксированному адресу,Одна из зон памяти выполнена резервной, емкость резервного поля памяти определяется по интенсивностиотказов элементов памяти и периодамашинного времени между вмешательствами извне (например, замена отказавших элементов при технологическихобслуживаниях) или всего требуемогофонда машинного времени, если вмешательства извне невозможны.При отсутствии ошибки в считанномслове блок 4 обнаружения...

Запоминающее устройство с самоконтролем

Загрузка...

Номер патента: 970476

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Бурик, Кис, Плясов

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, самоконтролем

...3 устанавливаются нулевые по"тенциалы, и элементы И-ИЛИ 5, элементИ 6 закрыты. Нулевые потенциалы вы-ходов регистра 3 подключают выходыодноразрядных накопителей 1 черезпервые и четвертые входы мультиплексоров 4 к выходам 15 устройства,Поступление информации на входрезервного накопителя 2 блокируетсянулевыми потенциалами на выходе элемента ИЛИ 10, а выход информации срезервного накопителя 2 на выходы 15устройства блокируется на мультиплексорах 4 подачей кода 00 по управляющим входам. Сигнал с выхода элемента ИЛИ 11 через элемент И 7 и элементИЛИ 12 запрещает прохождение информации со входа,17 на вход накопителя 2и на выход 18 с выхода накопителя 2,В данном состОянии устройство работает в режиме запоминания и выдачиинформации...

Запоминающее устройство с самоконтролем

Загрузка...

Номер патента: 970477

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Балахонов, Исаев, Огнев, Розанов

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, самоконтролем

...уровень, а на выходе усилителя 24 вединичный уровень положительного потенциала.Третий случай.При обращении, вследствие сбоя или постоянной неисправности более чем на одном из входов накопителя 3 (или накопителя 4), подключенных к выходам накопителя 1, имеется положительный потенциал. Если положительный потенциал имеется более чем на одном из входов накопителя 3, то через нагру зочный элемент 18, переключатель 5 и накопитель 3 от источника 17 протекает ток больший, чем во втором случае. В результате на входах усилителей 19 и 20 устанавливается напряже ние, меньшее порога усилителей 19 и 20, и йа их выходах - нулевой уровень потенциала. Если положительный потенциал имеется более чем на одном из входов накопитвля 4, то через нагрузочный...

Запоминающее устройство с самоконтролем

Загрузка...

Номер патента: 970478

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Борисов, Кузнецов, Цыбаков, Шахнов

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, самоконтролем

...й то эта группа компонент слова х с номерами 1=1 1 +1-Н +2 с не инвертируется. Эта операция ныполняется параллельно всеми 1 схе" мами 5 сраннения, После ее завершения новое кодовое слово у=(у,ун ) 60 у =0,1, сформированное во входном регистре 4, переписывается н накопитель 1 по тому же адресу. Заметим, что при наличии не более с смежных постоянных дефектов в и-разрядной ,65 ячейке памяти накопителя и отсутствии случайных сбоев при записи и считывании кодовое слово у будет хранить ся н ЗУ без ошибок.При считывании слово у из ячейки накопителя 1 с заданным адресом,накобычно, считывается в выходной регистр 4, после чего. по первымсимволам слова у осуществляется .восстановление исходного слова. Для этого -й контрольный символ у д 1; 1) через...

Запоминающее устройство с автономным контролем

Загрузка...

Номер патента: 970479

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Воронов, Горшков

МПК: G11C 29/00

Метки: автономным, запоминающее, контролем

...от в регистр 8 и заносится в накопитель 7 через усилители 9 и в информаг" ционную часть 2 накопителя 1. Затем производится считывание записанного слова (с .восстановлением информации) из накопителя 7 на регистр 8. Если в бц ячейке накопителя 7 по адресу, установленному на входе 17, нет отказов, или характер всех отказов совпадает с записываемой информацией, то во всех разрядах регистра 8 будет нулевой код, При этом содержимое информационной части 2 накопителя 1, соответствующее адресу на входе 17, исам адрес из адресной части 3 стира.ются. На вход 17 подается адрес следующей ячейки, аналогично производится запись нового слова.Если в ячейке накопителя 7 по адсресу, установленному на входе 17, .,есть отказы, характер которых...

Запоминающее устройство с самоконтролем

Загрузка...

Номер патента: 970480

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Алдабаев, Белов, Дербунович, Диденко, Загарий, Конарев, Ручинский

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, самоконтролем

...входу на схему 13 сравненияпри этом поступает сигнал разрешениясравнения из блока 15.На выходе схемы 13 сравнения формируется результат контроля неисправного кристалла накопителя 5 в видевектора ошибки.При несовпадении кодов слов напервом и втором входах схемы 13 сравнения вектор ошибки поступает навход шифратора 16, который формирует код.ошибки для данной ячейки и за"писывает его в функицональную частьассоциативного накопителя 17. Приэтом в аргументную часть накопителя17 записывается код адреса неисправной ячейки с вчходов регистра 1.Назначение и работу шифратора 16рассмотрим на следующем примере. Допустим, блок 11 корректирует однуошибку в слове из и разрядов накопителя 5. Ставится задача увеличитьмощность корректирующего кода в...

Устройство для контроля блоков памяти

Загрузка...

Номер патента: 970481

Опубликовано: 30.10.1982

Автор: Бурдиян

МПК: G11C 29/00

Метки: блоков, памяти

...01 с нулевого выхода триггера 7 постуйает на второй вход элемента И 2, при этом происходит останов. Счетчик 3 указывает адрес сбоя. Контрольный разряд, те. разряд, дополняющий до четности инФормацию в блоке 5, поступает на один из входов блока 9, на другой вход которого с выхода блока 8 поступает контрольный разряд адреса, и на выходе блока 9 формируется комби нированный контрольный разряд. Счет чик 10,подсчитывает число единиц комбинированного контрольного разря" да по всему массиву информации блока 5 памяти, Это число сравнивается схемой 11 сравнения с эталоном, установленным на блоке 12.Эталон для каждого блока 5 памяти определяется на этапе записи информации в него и представляет собой ф константу, которую и устанавливают вручную в...

Опорная система

Загрузка...

Номер патента: 970482

Опубликовано: 30.10.1982

Автор: Семенов

МПК: G12B 5/00

Метки: опорная

...вращения, размещенный вкаретке 22, обеспечивающий совместное вращение клиновых пластин в одинаковом направлении (согласное вращение), или вращение клиновых пластин в противоположных направленияхна одинаковые углы (встречное вращение). Каретка 22 состоит из корпуса24, четырех роликов 25 и цилиндрического штифта 26. Ролики 25 установлены на осях 27 в корпусе 24. Дваиз них опираются на конусные поверхности опорных колец 20, а другиедва в , на цилиндрическую поверхностькольца 21Цилиндрический штифт 26располагается в вертикальном пазу38 кронштейна 5 с возможностью продольных перемещений. Механизм 23(фиг.3-5) содержит вал 29 с закрепленными на нем маховиком 30, шестернями 31 и 32, имеющими одинаковоечисло зубцов, и кольцевой...

Способ изготовления литого микропровода

Загрузка...

Номер патента: 970483

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Заборовский, Иойшер, Котрубенко

МПК: H01B 13/06

Метки: литого, микропровода

...Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4по величине в двух взаимно перпендикулярных радиальных направлениях.Обеспечение этой разницы достигаетсянесколькими приемами: изменяют направление вытягивания капилляра в зоне егорастяжения, включающей фронт кристаллизации жилы, например, путем огибаниякапилляром горизонтальной опоры, которую охлаждают, поддерживают объемныйрасход жилообразующего материала германия, висмута и антимонида индия, по крайней мере в 4 раза больший, чем объемныйрасход стекла,В указанных вариантах предлагаемогоспособа различие значений поверхностногонатяжения на границе стекло - жилообразующий материал возникает либо благодаря дополнительному силовому воздействию в одном из...

Резистивная композиция

Загрузка...

Номер патента: 970484

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Минолгене, Садаускас, Симанавичене

МПК: H01C 7/00

Метки: композиция, резистивная

...ул. Проектная, 4 Редактор А. Власенко Заказ 74 2/66 уход сопротивления которых под нагрузкой в течение 500 ч при +200 С и в 1 С, а также после воздействия 100 температурных циклов в интервале температур от +209 С до - 180 С не превышает +1,0/о. Температурный коэффициент сопротивления в указанном интервале температур зафиксирован ( - 48 - + 117)10 1(С, Уход сопротивления при влажности 98 о/о в течение 30 сут не превышает 1,0 в/о. Резистивная композиция, включающаярутенат висмута и свинцовоборосиликатное стекло, отличающаяся тем, что, с целью снижения температурного коэффициента сопротивления и повышения термостабильности,она дополнительно содержит абиетинатниобия при следующем количественном соотношении компонентов, вес о/о:Рутенат...

Резистивная паста

Загрузка...

Номер патента: 970485

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Климанова, Кошкина, Просвирнина, Терешкова

МПК: H01C 7/00

Метки: паста, резистивная

...количественном соотношении компонентов, вес +-: Сажа 2,5 -3,0 Графит 0,1 - 22,0 Слюда молотая 0,1 - 11,0 Дибутилфталат 10,0 - 42,0 Полидиметилсилоксан 0,9 - 2,3 Полимерное связующее Остальное Для получения резистивной пасты подготовлено три смеси компонентов, содержащие каждая, вес %: 2,5; 8,0; 13,0 сажи;0,1; 10,0; 22,0 графита; 11,0; 5,0; 0,1 слюды молотой; 10,0; 30; 42,0 дибутилфталата;0,9; 1,5; 2,3 полидиметилсилоксана; 75,5;45,5; 20,6 крезольноформальдегидной смолы.Каждую смесь приготовляют путем перемешивания компонентов и введения полидиметилсилоксана в процессе диспергирования на валковой краскотерке. Полученную резистивную пасту наносят через сетчатый трафарет на плоскую гетинаксовую подложку и полимеризуют в печи при 165 С в...

Резистивная паста

Загрузка...

Номер патента: 970486

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Климанова, Кошкина, Просвирнина, Рублевская, Терешкова

МПК: H01C 7/00

Метки: паста, резистивная

...компонентов, вес. %:Сажа 1,5 - 25,0 Графит О, - 11,0 Слюда молотая 0,1 - 20,0 Бензиловый спирт 7,0 - 30,0 Полидиметилсилоксан 0,93 - 1,66 Полимерное связующее Остальное Для получения резистивной пасты подготовлено три смеси компонентов, содержащие каждая, вес. %: 1,5; 15,0; 25,0 сажи;0,1; 5,0; 11,0 графита; 20,0; 15,0; 0,1 слюды молотой; 7,0; 15,0; 30,0 бензилового спирта;0,93; 1,2; 1,66 полидиметилсилоксана; 70,47;48,8; 32,24полифениленоксифениленмети лена.Каждую смесь приготовляют путем перемешивания компонентов и введения полидиметилсилоксана в процессе диспергирования на валковой краскотерке. Полученную резистивную пасту наносят через сетчатый трафарет на плоскую стеклотекстолитовую подложку и полимеризуют в печи при 200+ 5 С в...

Тензорезистивный материал

Загрузка...

Номер патента: 970487

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Василевский, Гулько, Соколов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, тензорезистивный

...начальный разбаланс тензорезистивной схемы не должен превышать 4 10 %. Следовательно, в процессе работы при повышенных температурах необходимо добиться минимального изменения всех электрофизических параметров каждого из тензорезисторов. Температурный дрейф нуля схемы определяется разностью ТКС в плечах мостовой схемы, поэтому основное внимание должно быть уделено стабильности р и ТКС тензорезисторов. Цель изобретения - повышение стабильности электрофизических параметров материала в области высоких температур.Поставленная цель достигается тем, что 20 материал, содержащий никель и хром, дополнительно содержит вольфрам и тербий при следующем количественном соотношении компонентов, ат. %:Вольфрам 5 с 65Никель 2 Ь - 3525Хром 5 - 10Тербий 3...

Способ изготовления варисторов

Загрузка...

Номер патента: 970488

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Авдеенко, Глот, Марченко, Щелоков

МПК: H01C 17/30, H01C 7/112

Метки: варисторов

...характеристики.Указанная цель достигается тем, что визвестном способе изготовления варисторов, включающем термообработку порошка оксида цинка, приготовление шихты из порошка оксида цинка и добавок оксидов металлов, сушку ее, прессование заготовок и обжиг их при 900 в 1400 С, термообработку порошка оксида цинка. проводят в среде инертного газа, например аргона при 960 в 10 С в течение 0,5 - 2 ч.Пример. В запаянную с одного концакварцевую ампулу помещают порошок оксида цинка, закрывают открытый конец ампу лы пробкой, напускают в ампулу аргон, помешают запаянный конец ампулы в печь и проводят термообработку порошка оксида цинка при 980 С в течение 1 ч. Затем готовят шихту, смешивая,мол. %: 7 пО 97,5; ЯЬ,Оэ 1; В 1,0 э 0,5; СоО 0,5; МпО...

Переменный резистор

Загрузка...

Номер патента: 970489

Опубликовано: 30.10.1982

Автор: Лысенко

МПК: H01C 10/24

Метки: переменный, резистор

...плоскостью, а другой конец, образующий меньший виток - с гайкой, при этом вал изолирован от неподвижной токопроводящей плоскости.На чертеже изображен резистор, общий вид и разрез А - А.Переменный резистор содержит изоляционный цилиндрический корпус 1 с крышкой 2 с центральным отверстием, вал 3 с резьбой и гайкой 4, проходящий одним концом через отверстие в крышке 2, а другим установленный на основание корпуса с токопроводящей плоскостью 5, и резистивный элемент, выполненный в виде многовитковой конической пружины б, один конец которой, образующий виток большего диаметра, неподвижно закреплен на токо- проводящей плоскости 5, а другой, образующий виток меньшего диаметра - на гайке 4. Токопроводящая плоскость 5 имеет токовывод 7, а гайка 4...