Котрубенко
Способ изготовления литого микропровода
Номер патента: 970483
Опубликовано: 30.10.1982
Авторы: Заборовский, Иойшер, Котрубенко
МПК: H01B 13/06
Метки: литого, микропровода
...Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4по величине в двух взаимно перпендикулярных радиальных направлениях.Обеспечение этой разницы достигаетсянесколькими приемами: изменяют направление вытягивания капилляра в зоне егорастяжения, включающей фронт кристаллизации жилы, например, путем огибаниякапилляром горизонтальной опоры, которую охлаждают, поддерживают объемныйрасход жилообразующего материала германия, висмута и антимонида индия, по крайней мере в 4 раза больший, чем объемныйрасход стекла,В указанных вариантах предлагаемогоспособа различие значений поверхностногонатяжения на границе стекло - жилообразующий материал возникает либо благодаря дополнительному силовому воздействию в одном из...
Датчик для дискретного измеренияи индикации криогенных температур
Номер патента: 830149
Опубликовано: 15.05.1981
Авторы: Бобров, Заборовский, Иойшер, Котрубенко, Павлюк
МПК: G01K 7/16
Метки: датчик, дискретного, измеренияи, индикации, криогенных, температур
...температур.Чувствительный элемент 1 подключен кизмерительной схеме 2. Катушка 3 индуктивности, в зазоре которой размещен чувствительный элемент 1, соединена с дополнительным регулируемым источником 4 питания,Датчик для дискретногодикации криогенных темпеследующим образом.При изменении внешней температурыЗф один из сверхпроводников чувствительногоэлемента 1 переходит в резистивное состояние, что регистрируется измерительной схемой 2. По катушке 3 индуктивности пропус830149 Формула изобретения 15 Составитель В. Копаев,Техред А. Бойкас КорректоТираж 907 Подписнорственного комитета СССРобретений и открытий- 35, Раушская наб., д. 4/5г. Ужгород, ул. Проектная, 4 омак кается постоянный ток различной величины от регулируемого дополнительного...
Моточное изделие
Номер патента: 817757
Опубликовано: 30.03.1981
Авторы: Гришанов, Заборовский, Иойшер, Котрубенко, Ланда
МПК: H01C 3/00
...и составляет 50-70. Для моточных изделий с металлическим каркасом максимум перегрева обмотки расположен несколько дальше от каркаса.В исследованном случае температура в обмотке описывается суперпоэицией сложных функций Ханкеля и Функции вероятностей. Однако приближенно это распределение температурможно описать параболическим законом.В предлагаемом моточном изделии.изменение площади поперечного сече"нир жилы микропровода по толщинеобмотки выполнено по параболическому закону 5я=я -К(х-х ), (1)где Я - текущее значение площадипоперечного сечения жилымикропровода, мкм;Б - максимальное значение щлбъплощади поперечного сечения жилы микропровода, ческом каркасе с числом слоев не менее ста величина лежит в пределах 20-35, в зависимости от...
Способ изготовления литого микропровода
Номер патента: 788185
Опубликовано: 15.12.1980
Авторы: Гришанов, Заборовский, Иойшер, Котрубенко, Миргородский, Радауцан, Самусь
МПК: H01B 13/06
Метки: литого, микропровода
...расплава покрывают слоем окислов металла из бункера 3, для чего открывают заслонку 4 при помощи магнита 8. Окислы при 45 тепловом контакте с микрованной спекаются, образуя вязкий стеклообразный слой 9 окислов.Далее из размягченного конца стеклянной трубки вытягивают капилляр, 50 который заполняется расплавом перитектического соединения из микрованны, образуя после кристаллизации жилу литого микропровода 10, Мощность в индукторе поддерживают в процессе из готовления микропровода такой, чтобы пондеромоторная сила, действующая на расплавв микрованне, была в 1,5- 2,5 раза больше веса этого расплава.частотного генератора), описывается формулойР А РоР 2 угде ,Оо - магнитная проницаемость вакуума;- удельное сопротивление материала навески...
Способ изготовления литого микропровода
Номер патента: 765888
Опубликовано: 23.09.1980
Авторы: Заборовский, Иойшер, Котрубенко
МПК: H01B 13/06
Метки: литого, микропровода
...проникновения определяется по формулеЬ-= 503йр(36где Я - удельное сопротивление полупроводникового материала, зависящее оттемпературы, Ом м;- частота электромагнитного полн Гц;ф 4 - относительная магнитная проницаемость;Рф - магнитная проницаемость вакуума.Для германия температура подогревав зависимости от формы и размеров навески 450 в 5 С. Для других полупроводниковых материалов эта температура рассчитывается, исходя из известных згвисзмостей электропроводиости от температуры, с использованием формулы (1) и эмпирически найденных оптимальных размеров и формы навесок и микрованы. Такой подогрев способствут в частноси, уменьшению количества примесей, попадающих в микрованну,Практически подогрев прекращают после начала плавления навески,...
“преобразователь перемещений и вибраций в электрический сигнал
Номер патента: 684306
Опубликовано: 05.09.1979
Авторы: Бугаков, Гицу, Доника, Заборовский, Иойшер, Котрубенко
МПК: G01B 7/00, G01H 11/00
Метки: вибраций, перемещений, сигнал, электрический
...инерционность работы преобразователя (за счет снижения поперечных размеров). Внедрение предлагаемого изобретения зо позволит измерять малые перемещения ивибрации в сплошных твердых телах и оболочках, например, регистрировать начальные стадии разрушающих деформаций с целью их предотвращения. формула изобретения Предлагаемый преобразователь обычнослужит для измерения малых перемещенийаои вибраций, происходящих, например, внутри малого объема исследуемого объекта(обычно сплошного твердого тела), для чего концы витых участков упругой тонкой ленты механизма Абрамсона крепятся в точках,относительно которых измеряются взаимныеперемещения,Устройство работает следующим образом. нзоПри возникновении перемещении механизм Абрамсона сообщает...
Бесконтактный коммутирующий узел
Номер патента: 669349
Опубликовано: 25.06.1979
Авторы: Бабурин, Заборовский, Иойшер, Козлов, Котрубенко, Левитас, Новичихин, Петухов
МПК: G06F 3/02
Метки: бесконтактный, коммутирующий, узел
...надежности узла.Поставленная цель достигается тем, что в бесконтактный коммутирующий . узел, содержащий подвижный электрод, один конец которого установлен на 30 электретной пластине, расположеннойна неподвижном электроде, и магнитопровод, введены согласующий элемент, например полевой гальваномагниторекомбинационный (ПГМР) элемент, и постоянный магнит, установленные внутри магнитопровода, причем ПГМР- элемент расположен на неподвижном электродеНа чертеже схематически представлен вариант исполнения бесконтактного коммутирующего узла.Узел содержит подвижный электрод 1, один конец которого установг.ен на электретной пластине 2, расположенной на неподвижном электроде 3, и магнитопровод 4, согласующий .элемент 5, например...
Преобразователь угла поворота в электрический сигнал
Номер патента: 622014
Опубликовано: 30.08.1978
Авторы: Гицу, Голигорская, Долма, Заборовский, Зеликовский, Иойшер, Картышкин, Котрубенко, Фроймович
Метки: поворота, сигнал, угла, электрический
...для преобразованияНа фиг. 1 схематично изображен предложенный преобразователь; на фиг. 2 - график зависимости магнитосопротивления ЬЯлитого микропровода с жилой из спла- Ява В 1 - ЯЬ от угла поворота О вдоль его длины.Неподвижная магнитная система представляет собой два постоянных магнита с узкими полюсными наконечниками 1, Меж ду этими наконечниками размещена подвижная система 2, поворачивающаяся вокруг своей оси. В частности, в гальванометрических головках подвижная система представляет собой вращающуюся легкую рам ку с обмоткой из тонкого провода, По оси вращения располагается отрезок 3 литого микропровода с жилой из анизотропного полуметаллического материала, к концам которого присоединены гибкие токопроводы 4. 20 Отрезок...
Способ изготовления литого микропровода в стеклянной изоляции
Номер патента: 505032
Опубликовано: 28.02.1976
Авторы: Берман, Грозав, Заборовский, Иойшер, Котрубенко, Ланда
МПК: H01B 13/06
Метки: изоляции, литого, микропровода, стеклянной
...капилляра из размягченного конца стеклянной трубки, в которую помещена навеска металла, расплавляемая с помощью высокочастотного индуктора.При этом масса навески металла превышает 0 критическую в 1,5 - 3 раза, а в стекляннойтрубке создается разрежение, которое в процессе литья уменьшают при одновременном равнозависимом понижении напряжения на инду кто р е.Равномерное уменьшение разрежения позволяет компенсировать расход металла при литье, сохраняя физико-механическое подобие при изменениях формы капли. Одновременно с этим капля удерживается при постоянной505032 Формула изобретения Составитель А. ВласовТехред Е. Подурушина Корректор О. Тюрина Редактор И. Грузова Заказ 841/2 Изд. Ма 1171 Тираж 963 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета...
Чувствительный элемент приемника излучения
Номер патента: 502234
Опубликовано: 05.02.1976
Авторы: Берман, Гицу, Заборовский, Иойшер, Котрубенко
МПК: G01J 5/12
Метки: излучения, приемника, чувствительный, элемент
...поглощающего видимое и инфракрасное излучение вещества 5, служащего экраном.Термопары в лучке соединены последовательно в 1, 2 или более термобатарей. снабкенных токовыводами (на чертеже не показаны).Э В зависимости от неооходимыхров прибора термооатареи включаютдовательно или параллельно.Тепловое и видимое излучение, попадаяна поглощающий экран, разогревает его, аследовательно, и спаи всех термопар. Вследствие близости спаев к экрану, а также из-заувеличения отношения площади термоспаевк площади экрана к. и. д. прибора резко возрастает, что увеличивает его чувствительность. Слой поглощающего вещества надтермоспаями выполнен с толщиной не болееусредненного диаметра по изоляции используемых микропроводов,Применение литых...
Датчик температуры
Номер патента: 476463
Опубликовано: 05.07.1975
Авторы: Гицу, Иойшер, Котрубенко
МПК: G01K 7/38
Метки: датчик, температуры
...относится к термопаримущественно для термопреобразприменяемых в приборостроительно 1рительной технике.Известна термопара, состоящаяразнородных материалов, электричесненных между собой в контактномнапример, В. О. Арутюнов Злекизмерительные приборы и изГосэнергоиздат, М - Л, 1958 г,).1-1 едостатком известной термопарьналичие контактного узла между рами материалами, который в случаеволочной термопары усложняет тизготовления и снижает надежность.С целью повышения точности ипредложенный датчик температурыв виде единой, неразрывной нити имагнитного материала, ограниченныкоторой помещен в зазоре междумагнита,На чертеже изображен описываемьчик температуры. Датчик температуры представляет собой цельную неразрывную нить из термомагнптного...
Способ изготовления вакуумного термопреобразователя
Номер патента: 463011
Опубликовано: 05.03.1975
Авторы: Бадинтер, Берман, Заборовский, Иойшер, Котрубенко, Попов, Ременко, Самосудов
МПК: G01K 7/02
Метки: вакуумного, термопреобразователя
...при поминальном токе через нить накала и определяют давление по найденной ранее зависимости ЭДС от давления.Способ заключается в следующем.Сборку термообразователя производят, например, с помощью пайки, нити накала и термоэлемента к токовыводам, расположенным в основании корпуса, например, металлокерамического или металлостеклянного.Затем помещают специальную кассету с изготовляемыми термопреобразователями в вакуумную камеру, устанавливают на ка е основание корпуса крышку, после чего п водят откачку вакуумной камеры.Осуществляют герметизацию корпуса, например, запаивая крышку и основание в вакууме или соединяя их точечной сваркой. Эффективным также является способ герметизации холодной сваркой.После герметизации в вакуумную...
Термоэлектрический преобразователь
Номер патента: 463008
Опубликовано: 05.03.1975
Авторы: Бодюл, Гицу, Заборовский, Котрубенко, Любчак
МПК: G01K 7/02
Метки: термоэлектрический
...постоянные магниты 4, токоподводы 5. 20Измеряемый сигнал поступает через токо- подводы на нагреватель 1, а от последнего разогревается спай термопары (двух термоэлектродов 3 из микропроводов с жилой из материалов класса Дза, сигнал с которой по дается на токовыводы, впаянные в стенку корпуса.Нагреватель выполнен из литого микропровода с жилой из сплава М диаметром 1 в3 мкм. Термопара выполнена из микропрово да в стеклянной изоляции с жилой из анизотропного полупроводникового материала класса Ды, например В,+12 ат,% 5,+ +0,3 ат.% Р причем оба термоэлектрода имеют носители противоположных знаков.Термопара номе.цена в зазоры не менее двух постоянных магнитов 4, т. е. каждый термоэлектрод находится в зазоре хотя бы одного магнита. Благодаря...