Запоминающая матрица

ОП ИСАНИ Е ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(22) Заявлено 27.04. 81 (21) 3282536/18-24 (51 М; Кл.з с присоединением заявки Йо(23) Приоритет -С 11 С 11/14 Государственный комитет СССР по лелам изобретений и открытий(71) Заявитель 54) ЗАПОМИНАЮЩАЯ МАТРИЦА Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающихустройств ЭВМ на цилиндрических магнитных пленках (ЦМП),Известна запоминающая матрица,содержащая числовые шины, разрядныешины, выполненные на ЦМП, и магнитный кипер, устанонленный между числовыми шинами 1.Недостатками этой матрицы являются низкая плотность размещения в нейзапоминающих элементов, а также низкая помехоустойчивость и надежностьработы.Наиболее близким техническим решением к изобретению является запоминающая матрица, которая содержитчисловые шины, разрядные шины наЦМП, магнитный кипер, установленныймежду числовыми шинами, и магнитныеэкраны, расположенные над числовымишинами 2.Недостатками известной матрицыявляются низкая помехоустойчивостьи надежность, Низкая помехоустойчиность объясняется прежде всего наличием совпадающей помехи и паразитныхнаводок в разрядных шинах от внешнихэлектрических полей. Наличие сонпа 2дающей помехи.при считывании информа=цни приводит к искажению формы информационного сигнала и уменьшению ам, - .5 литуды одной из полярности информационного сигнала, которая соответствует,например коду "1"Низкая надежность матрицы обусловлена большими потоками рассеяния и 10 увеличением размагничинающего поля взапоминающих элементах, расположенныхна крайних разрядных шинах. Целью изобретения является повышение надежности запоминающей матрицы.Поставленная цель достигается тем,что запоминающая матрица содержит компенсационные провода, электростатические экраны и дополнительный магнитный кипер,компенсационные прово да выполнены из немагнитного металлаи размещены с внешних сторон крайних разрядныхшин, электростатические экраны соединены с шиной нулевого потенциала и расположены между чиалоными шинами и магнитными экранами, дополнительный магнитныи кипер выполнен из ЦМП и установлен между компенсационными проводами и крайними разрядными шинами.Наличие компенсационного провода,выполненного из немагнитного металла, 9704 б 9Поворот вектора намагниченности при 1 О водит к возникновению магнитного по тока, который, замыкаясь по пути снаименьшим магнитным сопротивлением, индуцирует в разрядной шине 2, выпол." ненной на ЦМП, информационный сигнал.Одновременно через емкость, образованную пересечением выбранной числовой шины 1 и разрядной шины 2, в этой разрядной шине, выполненной на ЦМП, наводится паразитная помеха, совпадающая по времени с информационным сигналом. Магнитный кипер 3, выполненный из материала с высокой магнитной проницаемостью, расположен между чиоловыприводит к тому, что при считыванииинформации в нем наводится такая жепо амплитуде и такая же по полярностипомеха, что и совпадающая помеха ввыбранной разрядной шине, которыезатем на входах дифференциального 5усилителя, куда подсоединен данныйкомпенсационный провод и выбраннаяразрядная шина, взаимно уничтожаются,т.е. компенсируют друг друга, Паразитные наводки в разрядных шинахпредлагаемой матрицы нейтрализуютсяэкранируются) электростатическимиэкранами, соединенными с общей шинойзапоминающего устройства, которыерасположены между числовыми шинами имагнитными экранами.Введение матрицы .дополнительногомагнитного кипера, выполненного наЦМП и установленного между компенсационными проводами и самыми крайнимиразрядными шинами, в непосредственнойблизости от последних, создает замкнутую цепь с малым магнитным сопротивлением для замыкания полного магнитного потока выбранных элементов,которые расположены на сам.х крайнихразрядных шинах. Поэтому амплитудаинформационного сигнала и область устойчивой работоспособности увеличивается, что повышает надежность предла+,гаемой запоминающей матрицы,На чертеже изображена конструктивная схема предлагаемой запоминающей матрицы.Эапоминающая матрица содержит числовые шины 1, разрядные шины 2, выполненные на ЦМП магнитный кипер 3, установленный между числовыми шинами 1, магнитные экраны 4, установленные над числовыми шинами, компенсационные 4 О провода 5, выполненные из немагнитного металла и расположенные с внешних сторон крайних разрядных шин, электростатические экраны 6, соединенные с шиной нулевого потенциала и расположенные между числовыми шинами 1 и магнитными экранами 4, дополнительный магнитный кипер 7, выполненный на ЦМП, который установлен между компенсационными проводами 5 и самыми крайними разрядными шинами 2, в непосредственной близости от последних,Предлагаемая матрица работает следующим образом,При записи информации в запоминающий элемент матрицы, который образован пересечением числовой шины 1 и разрядной шины 2;в эти шины подают управляющие импульсы токов из формирователей тока запоминающего устрой" 60 ства, В зависимости от полярности импульса тока, поданного в разрядную шину 2,. вектор намагниченности выбран ного запоминающего элемента устанавливается в одно из двух устойчивых Ь 5 состояний, которые соответствуют либо коду "1", либо коду "О",При считывании информации из формирователя тока запоминающего устройства в выбранную числовую шину 1 по". дают импульс тока, создакший магнитное поле, под действием которого вектор намагниченности выбранного запоминающего элемента поворачивается,ми шинами 1 и препятствует распространению магнитного поля выбранной числовой шины 1 на соседние запоминающие элементы, т.е. локализует действие данного магнитного ноля в зоне выбранного 33, Кроме того, при считывании информации часть магнитного кипера 3 образует цепь с наименьшим магнитным сопротивлением для заьыкания магнитного потока выбранного запоминающего элемента. Магнитные Бкраны 4, расположенные над числовыми шинами 1, препятствуют воздействию внвоних магнитных полей на магнитное состояние и информационный сигнал запоминающих элементов данной матрицы.В отличие от прототипа в предлагаемой матрице при считывании в компенсационном проводе 5, расположенным с краю матрицы, выполненном из немаг" нитного металла, через емкость, образованную пересечением выбранной числовой шины 1 и данным компенсационным проводом 5, наводится такая же по амплитуде и такая же по полярности паразитная помеха, что и совпадающая помеха в выбранной разрядной шине 2. При подключении данной разрядной шины 2 и данного компенсационного провода 5 на разные входы дифференциального усилителя запоминающего устройства эти помехи взаимно вычитаются, т.е. уничтожаются. Таким образом, происходит компенсация совпадающей с информационным сигналом помехи в разрядной шине 2, что приводит к уменьшению суммарной помехи, т.е. к эффективному увеличению информационного сигнала. Воздействие внешних электрических полей, которые существуют как в самом ЭУ, так и.вне его, приводят к тому, что на поверхности электростатических экранов 6, выполненных из материала с высокой электрическойпроводимостью, подключенных к шине нулевого потенциала и расположенных между. числовыми шинами 1 и магнитными экранами 4, индуцируются электрические заряды, После чего эти заряды стекают на шину нулевого потенциала, так как она обладает большой электрической емкостью. Иными словами, внешнее электрическое поле заьыкается н поверхность электростатических экранов и отводится в шину нулевого по тенциала, что исключает проникновение паразитных наводок через электростатические экраны 6 в разрядные шины) 2, т.е. уменьшается суммарная помеха.Так:м образом, наличие компенсаци онного провода 5, выполненного из немагнктного металла и расположенного по краям матрицы, и электростатических экранов 6, соединенных с шиной нулевого потенциала и расположенных 2 О между числовыми шинами 1 и магнитяыми экранами 4, эффективно увеличивает информационный сигнал и уменьшает суммарную помеху, т.е. увеличивает помехоустойчивостэ и ее основной показатель - отношение амплитуды информационного сигнала к амплитуде суммарной помехи.При считывании информации с запоминающих элементов, расположенных на самых крайних разрядных шинах 2,одна часть магнитного потока выбранного запоминающего элемента замыкается по замкнутой. цепи с малым магнитнымсопротивлением (эта часть магнитного потока показана на чертеже сплошной линией), другая часть магнитного по- тока замыкается по цепи с малым магнитным сопротивлением, которую образует магнитный копер 7, выполненный на ЦМП и установленный между компен сационными проводами 5 и дамой крайней разрядной шиной, в яепосредствек" ной близости от этой крайней разрядной шины 2 (эта часть магнитного потока показана на чертеже пунктирной 45 линией), Поэтому магнитный поток выбранного запоминающего элемента, расположенного иа самой крайней раз-, рядной шине 2 данной матрицы, заьыкается полностью, беэ потерь, благодаря 5 О наличию в данной матрице дополнительного магнитного кипера 7, выполненного на ЦМП. Таким образом, увеличивается амплитуда информационного сигнала и область устойчивой работоспособности запоминающих элементов матрицы, расположенных на самах крайнихразрядных шинах 2.Как было показано экспериментально, положительный эффект от использования предлагаемой запомкяающей матрицы заключается в повышении помехо.устойчивости в 3,2 раза и в повышении надежности ее работы в 1,24 раза,Дополнительный положительный эффект от использования предлагаемойматрицы заключается в увеличениибыстродействия ВУ на 20. Это объяняется тем, что электростатическиеэкраны, соединенные с шиной нулевогопотенциала, уменьшают на 2" индуктивность числовых и разрядных шинматрицы,Формула изобретенияЗапоминающая матрица, содержащаячисловые шины, разрядные шины нацилиндрических магнитных пленках, магнитный кипер, установленный междучисловыми шинами, и магнитные экраны,расположенные над числовыми шинавы,отличающаяся тем, что, оцелью повышения надежности, она содержит компенсационные провода, электростатические экраны и дополнитель-,ный магнитный кипер, компенсационныепровода выполнены из немагнитного металла и разжижены с внешних стброякрайних разрядных шин, электростатические экраны соединены с шиной нулевого потенциала и расположены междучисловыми шинами и магнитными экранами, дополнительный магнитный кипервыполнен из цилиндрической магнитнойпленки и установлен между компенсационными проводами к крайними разрядными шинамиеисточники инФормации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССР9 329576, кл. 6 11 С 11/14, 1970.2. Патент Японии 9 49-27972 укл, О 11 С 11/14 опублик. 1974 (прототип).,Власенко Техред Т,Маточка Еорре к тор М . Шароши Редакт Заказ 8 622И твен о рете О фКсно д,4/ ал ППП "Патент", г,ужгород, ул,Проектная 398/65 ВНИ п 113Тираж .И Государс делам изоб 35, Москва,Подого комитета СССРий и открытийРаушская наб