H01C 7/112 — с оксидом цинка

Номер патента: 198436

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Валеев, Государственный, Зев, Пиханова

МПК: H01C 7/112, H01C 7/115

Метки: нелинейный, резистор

...и Е. С. Пиханова Заявитель Государственный научно-исследовательский электрокерамический институтНЕЛИНЕЙНЫЙ РЕЗИСТОР 1Известные нелинейные резисторы, изготовленные из смеси (в вес. %) ХпО 10 - 35 и 7 пзТ 10, ХпЗп 04, ЛпА 1 еО, или ХгОе 65 - 90 имеют относительно большую собственную емкостьь.Описываемый резистор отличается тем, что в исходную смесь вводят 0,25 - 2 (в вес. %) борной кислоты (НзВО,) или 1 - 10 пятиокиси ванадия (ЧвОв).Синтезируют исходную смесь при 1280 - 1320 С, измельчают синтезированный материал, вводят в него борную кислоту или пятиокись ванадия, а затем подвергают его обжигу при 1300 - 1340 С. Введение борной кислоты или пятиокисиванадия позволяют в 3,5 - 8 раз (в зависимости от номинального значения сопротивления...

Номер патента: 426242

Опубликовано: 30.04.1974

Авторы: Глот, Чакк, Черный, Якунин

МПК: H01C 7/108, H01C 7/112

Метки: варисторов, материал, окисловметаллов, основе, смеси, трехкомпонентнои

...увеличение нелинейности варистора.Достигается это тем, чттьего компонента введенокисел, например двуокисьпоненты взяты в следующвес. %):Двуокись олова 86,4 +0,1 Окись цинка 11,64+0,1Двуокись германия Остальное 20Варисторы изготавливают методом керамической технологии с однократным обжигом.Предварительно просушенные до постоянного веса материалы взвешивают. Мокрый помол шихты производят в фарфоровых ступ ках в течение трех часов, после чего шихту подвергают сушке в термостате при температуре 100 - 120 С. Из полученного порошка прессуют диски диаметром 15 - 20 мм и толщиной 2 - 3 мм под давлением 50 кг/см. 30 Диски располагают на магнезитовой подложке, на которую предварительно нанесен тонкий слой порошкообразной окиси алюми ния, и...

Номер патента: 546022

Опубликовано: 05.02.1977

Авторы: Караченцев, Поташев

МПК: H01C 17/30, H01C 7/112

Метки: заготовок, нелинейных, резисторов

...и повышение коэффициента нелинейности в результате комбинированной термообработки в восстановительной и окислительных атмосфе546022 Формула изобретения Составитель О. Богомолов Техред В. Рыбакова Редактор Б. федотов Корректор В. Гутман Заказ 83/143 Изд. Мо 421 Тираж 1019 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Тип. Харьк, фил. пред. Патент рах можно соъяснить следующим образом,Нелинейность вольт-амперных характеристик поликристаллической окиси цинка ооьясняется наличием потенциальных барьеров на границе зерен.Термообработка в водороде вызывает снижение, потенциальных барьеров на границе зерен и увеличение проводимости, так как водород является...

Номер патента: 588563

Опубликовано: 15.01.1978

Авторы: Александрова, Кобцев

МПК: H01C 7/112

Метки: материал, резистивный

...циент нелинейности, равны номинальное напряжение 1,0 - б,О разцы имеют диэлектрическую мость 100000 - 250000 и диэлектрт тери 1 дб = 0,04 - 0,2. нительно получае иал не езистоормула изобретен Резистивный материал, преимущественно для нелинейных резисторов, содержащий окись цинка и легирующую добавку, отлич а ю щи й с я тем, что, с целью снижения номинального напряжения, он содержит в качестве лсгпрующей добавки бор при следующем количественном соотношении исходных компонентов, вес, %:Окись цинка 93,0 - 99,0Бор 1 - 7 резистивныи мащей добавки соколичественном онентов, вес. %:93 - 991 - 7 Изобретение относится к полупроводниковым нелинейным материалам, используемым для изготовления варисторов с малыми номинальными напряжениями и...

Номер патента: 871229

Опубликовано: 07.10.1981

Авторы: Александров, Малинова

МПК: H01C 7/112

Метки: керамический, материал, нелинейных, подложек, резисторов

...содержит окись магния при следуюшем соотношении компонентов, весЛ:Окись цинка 10-70Окись магния 30-90Для получения керамического материала для изготовления подложек нелинейных резисторов было приготовлено четыре смеси компонентов, содержащие каждая, вес.%: окиси цинка 10; 40; 6 О;70 и окиси магния 90; 6040; 30.Каждая смесь спекалась отдельно, и из полученного керамического материала были изготовлены пластины и диски, ко торые использовались в качестве подложек для обжига оксидноцинковых резисторов диаметром 60-80 мм и толщиной 10-25 мм.Коэффициент нелинейности оксидноцин ковых резисторов, обожженных на много кратно использованных псдлсокках иэ прей лагаемого керамического материала, ха рактеризуется высокой стабильностью871229ф орм а и...

Номер патента: 968862

Опубликовано: 23.10.1982

Авторы: Авдеенко, Виницкий, Глот, Щелоков

МПК: H01C 17/30, H01C 7/112

Метки: нелинейных, резисторов

...коинейности, воспроизвоамперных характеристик их при токовых пере3 9688624цинка и 10-15 вес. Ж оксида бора и до регрузках в области 1 ОфА смчто,100 вес. 3 необожженной смеси оксида .обеспечивает повышение надежности рацинка с добавками оксидов металлов, боты ограничителей напряжений, основ"прессуют из полученной смеси заготов- нйм элементом которых является нелики и обжигают их.нейный оксидно-цинковый резистор.П р и м е р. Приготавливают 70 вес. Фсмеси оксида цинка с добавками оксидов сурьмЫ, висмута, марганца, ко- формула изобретениябальта Компоненты смеси берут в следующих количествах, мол. Ф: 97,5 ок Способ изготовления нелинейных ресида цинка; 1,0 оксида сурьмы; 0,5 . зисторов включающий смешивание оксиоксида висмута, 0,5...

Номер патента: 970488

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Авдеенко, Глот, Марченко, Щелоков

МПК: H01C 17/30, H01C 7/112

Метки: варисторов

...характеристики.Указанная цель достигается тем, что визвестном способе изготовления варисторов, включающем термообработку порошка оксида цинка, приготовление шихты из порошка оксида цинка и добавок оксидов металлов, сушку ее, прессование заготовок и обжиг их при 900 в 1400 С, термообработку порошка оксида цинка. проводят в среде инертного газа, например аргона при 960 в 10 С в течение 0,5 - 2 ч.Пример. В запаянную с одного концакварцевую ампулу помещают порошок оксида цинка, закрывают открытый конец ампу лы пробкой, напускают в ампулу аргон, помешают запаянный конец ампулы в печь и проводят термообработку порошка оксида цинка при 980 С в течение 1 ч. Затем готовят шихту, смешивая,мол. %: 7 пО 97,5; ЯЬ,Оэ 1; В 1,0 э 0,5; СоО 0,5; МпО...

Номер патента: 978205

Опубликовано: 30.11.1982

Авторы: Власенко, Катков, Манчук, Новиков, Хромов, Энтин

МПК: H01C 7/112

Метки: материал, резистивный

...оксида цинкаи большое число контактов между нимиобеспечивают сильную нелинейностьвольт-амперных характеристик предлагаемого материала.Таким образом, введение в материал предлагаемых соотношений сложной электропроводной фазы - смеси. из дисперсного углерода и оксида З 0цинка, взятых в объемных долях0,25:0,25-0,1:0,4, позволяют получить материал с высоким коэффициентом нелинейности, например р=20 ис величиной удельного электрического 35сопротивления не более,чем 1040 м смТакая величина сопротивления необходима для изготовИения резисторов,применяемых в электроэнергетике в .качестве токоограничивающих шунти1Рующих элементов, для ограниченияперенапряжений в электрических схемах, где требуется высокий коэффициент нелинейности,Технология...

Номер патента: 983761

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Ахмедов, Каримов, Рахимова, Черкашин

МПК: H01C 7/112

Метки: варистор

...элемент и электроды, резистивный элемент выполнен из полупроводникового поли"М-эпоксипропилкарбазола с добавкой 0,5 - 5 вес. 2,4,7-тринитроФлуоренона. 30 Варистор состоит из алюминиевойподложки, на которой расположеныпленочный резистивный элемент из полупроводникового поли-Х-эпоксипоопилкарбазола с,добавкой 0,5 - 5 вес.Ъ2,4,7-тринитрофлуоренона и алюминиевые электроды,Пленку. резистивного элемента наносят на алюминиевую подложку израствора толуола с заданной концентрацией поли-Х-эпоксипропилкарбазолаи 2,4,7-тринитрофлуоренона и подвергают сушке при комнатной температуре в течение 2-б ч.Измерение вольт-амперной характе- -ристики проводили при комнатной температуре, атмосферном давлении иэлектропроводности в интервале температур...

Номер патента: 1042086

Опубликовано: 15.09.1983

Авторы: Гареев, Кудренко, Леднева, Медведев, Снеговая

МПК: H01C 17/30, H01C 7/112

Метки: варисторов, материал, резистивный

...нелинейности достигается тем, что резистивный материал для варисторов, содержащий оксид цинка и добавки оксидов кобальта, висмута, сурьмы, марганца, в качестве оксида кобальта содержит смешанный оксид кобальта Со 04 и в качестве оксида сурьмы - 5 Ь,Ои дополнительно содержит диоксид олова п Ои оксид бора ВО при следующем соотношении компонентов, мол,:Смешаный оксидкобальта СоО 0,4-0,5Оксид висмутаВ 101Оксид сурьмы2,25-3,6Диоксид марганца МоОДиоксид олова5 п О 0,4-0,9Оксид бораВООксид цинка"пО ОсгальноеСогласно способу получения резистивного материала для варистороввключающему смешивание оксида цинкас добавками и термообработку, смешивание оксида цинка с добавками осуществляют введением в водный раствороксида цинка карбоната аммония...

Номер патента: 1061712

Опубликовано: 15.12.1983

Авторы: Масаки, Нобору, Юдзи

МПК: H01C 7/112

Метки: материал, нелинейных, резисторов

...парафин, поливинилс вый спирт илиполиэтиленгликоль( таки неорганическое, например, фосфор"ная кислотаСпекание проводится в обычнойЗО электрической печи при 1000-1300.ОСобычно в течение 1 ч. Это спеканиеуспешно осуществляется в воздушнойсреде,П р и м е р. Порошкообразные ис-.ходные компоненты в различных количественных соотношениях (в указанных пределах) смешивают в шаровоймельнице с получением 35 образцов, 40 в том числе и контрольных (с выходом за пределы), Образцы предварительно агломерируют в воздушной атмосфере в электропечи при 800 С вОтечение 1 ч и измельчают в шаровой 45 мельнице с получением 35 видоизмененных порций порошков. К видоизмененным порошкам добавляют в качествесвязующего полнвиниловый спирт иполученные массы...

Номер патента: 1100644

Опубликовано: 30.06.1984

Авторы: Авдеенко, Чакк, Черненко, Черных

МПК: H01C 17/30, H01C 7/112

Метки: нелинейных, резисторов

...осуществляют приэтой температуре в интервале 300"400 С на воздухе в течение 1-2 ч,оИзготовление нелинейных резисторов в процессе приготовления керамической шнхты из смеси оксидов металлов проходит в области высоких температур при наличии жидкой фазы.При этом после охлаждения заготовокв них между кристаллами оксида цинка образуется стеклообраэные прослойки - стеклофаза из оксида цинка идобавок оксидов металлов, которая 644 2в виде тонкой пленки располагается на поверхности кристаллов оксида цинка, обладает способностью к кристаллизации и как пленка сложного состава создает потенциальный барьер для тока, является причиной неомической проводимости и определяет ос- новные электрические свойства нелиней-. ных резисторов. Стеклофаза...

Номер патента: 1121704

Опубликовано: 30.10.1984

Авторы: Глот, Злобин

МПК: H01C 7/112

Метки: материал, нелинейных, резисторов

...относительному изменению параметра.Повторение процесса формовки на одном и том же образце заявляемого состава при изменении положения верх него точечного электрода и формовки других образцов идентичного состава показывает, что 5 -образная форма ВАХ хорошо воспроизводится. Наблюдаемая при этом вариация параметров ВАХ П, 1, Б, 3.2 в пределах 10 вызвана рельефностью верхней поверхности исследуемых толстых пленок и другими факторами. При низком содержании оксида цинка ( ( 10 вес.Ъ) и при его отсутствии 5 -образная ВАХ появляется при формовке не всегда, В подавляющем большинстве случаев после формовки возникает ВАХ с участком отрицательного дифференциального сопротивления, за которым не следует участок с положительным...

Номер патента: 1143239

Опубликовано: 15.07.1986

Авторы: Барчукова, Колчин, Пиханова

МПК: H01C 7/112

Метки: варисторов, керамический, материал, полупроводниковый

...в низкой стабильности классификационнодо напряжения и тока утечкипри длительных воздействиях рабочегонапряжения переменного тока.Цель изобретения - повышение надежности варисторов за счет увеличения стабильности классификационногонапряжения и тока утечки при длительных воздействиях рабочего напряженияпеременного тока - достигается тем,что известный полупроводниковый керамический материал для варисторов,содержащий оксиды цинка, висмута,марганца, кобальта, сурьмы, циркония,бора, дополнительно содержит кальцийстеариновокислый при следующем соотношении компонентов, мол,7:Оксид висмута 0,2-0,8Оксид марганца 0,3-1,5Оксид кобальта 0,3-1,5Оксид сурьмы 0,3-1,5Оксид циркония 0,3-1,5Оксид бора . 0,3-1,5Кальций стеариновокислый 0,01-0,03Оксид...

Номер патента: 1310913

Опубликовано: 15.05.1987

Авторы: Кудренко, Леднева, Медведев, Снеговая

МПК: H01C 17/14, H01C 7/112

Метки: варисторов, материал

...50 г/л и 15 мл раствора азотнокислого лантана с концентрацией 50 г/л. После перемешиванияв течение 20 мин в эту смесь вливают 0913 2водную суспенэию оксида цинка с соотношением твердой фазы и жидкой, равным 1:6, После перемешивания в течение 1 ч отделяют осадок на нутч-фильтре и сушат его при 100-105 С в теочение 4-5 ч. Характеристики предлагаемого материала и изготовленных наего основе варисторов в сравнении сизвестным приведены в табл, 2,10 П р и м е р 3. Из расчета на100 г готового продукта в смесительзаливают 100 мл водного раствора ам-,миака (ИН 40 Н:Н 0 = 1:4) и при интенсивном перемешивании приливают смесь,состоящую иэ 30 мл раствора азотнокислого висмута с концентрацией100 г/л, 35 мл раствора азотнокислого кобальта...

Номер патента: 1336124

Опубликовано: 07.09.1987

Авторы: Брюкнер, Вейзе, Калтофен, Краут, Шенекер

МПК: H01C 17/16, H01C 7/112

Метки: варисторов, оксида, основе, цинка

...на основе оксида цинка, включающий формирование тела варистора путем соединения макроэлемента из полупроводящего материала на основе оксида цинка, легированного добавками, с высокоомным материалом иэ чистого оксида цинка, о т л и ч а ю щ и й с я тем,При этом устанавливаются следующие параметры процесса:Рабочее дав- ление 0,63 Па 11336124 2Изобретение относится к технологйи изготовления электронных приборов, в частности к технологии изготовления варисторов на основе оксида цинка.Известен варистор на основе оксида цинка и способ его изготовления, включающий соединение макроэлемента, состпящего из полупроводящего окиснометаллического материала на базе 10 легированного оксида цинка, с макро- элементом, состоящим из оксида металла,...