Архив за 1981 год

Номер патента: 834771

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Исаев, Огнев, Розанов

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, само-контролем

...входе счетчика 10 и сигнал Регенерация (логическая единица), стробирующий мультиплексор 11 и элемент И-НЕ 7. Так как оба входа этого элемента находятся в состоянии логической единицы, то логический 0 на его выходе переключает выходы всех элементов И 2 в состояние 0, что обеспечивает одновременное обращение по всем столбцам накопителей 1 во время регенерации. Адреса регенерации формируются на счетчике 10 и при наличии сигнала Регенерация через входы мультиплексора 11 поступают на адресные входы накопителей 1. После полного перебора адресов на счетчике 10 выход формирователя синхроимпульсов 8 перебрасывается в нулевое состояние и регенерация заканчивается.В режиме диагностирования выполняется циклическая перезапись и считывание по всем...

Номер патента: 834772

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Герасимов, Ремизникова, Салимов, Шептицкий

МПК: G21F 1/02

Метки: материал, рентгенозащитный

...при давлении 150200 кг/см плитки.Составы компонентов для получениявяжущего (гидроалюьената бария) при ведеиы в табл. 1.Таблица 1 Гидрат окиси Алюминиевая Вода бария пудра834772 Компоненты, вес.% 260, 3 273,0 270,9 19 81 78 70 22 30 Формула изобретения Таблица 3 Толщина образцаПродолжительность облучения ила токаосле облуения обазцов, А ЗО ГидроалюминатбарияБаритовый песок 19-30 70-81 Предлагаемый 30 19,5 10 Известный 1016 Составитель В.КирилловТехред М. Голинка Корректор В.Синицкая Редактор Н.Кешеля Заказ 4111/79 Тираж 476 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 Готовят и испытывают три вида составов с...

Номер патента: 834773

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Гребенкина, Корнатовский, Панов, Соколовская, Федоров

МПК: H01B 1/08

Метки: материал, толстопленочныхрезисторов

...от 400 до 1000 КОм Поставленная цель достигается , тем, что известный материал для толстопленочных резисторов, содержа-. щий проводящую фазу на основе окиси никеля, свинцовоборосиликатное стекло и органическое связующее, содержит в качестве проводящей фазы твердый раствор окиси лития в окиси никеля при следующем соотношении компонентов, вес.Ъ:834773 Номи нальное соп- ротивление В,кОм Стабильность, Ъ Постоянная термистора Содержание, вес. Ъ Диапазонсопротивления К, кОм ОкисиСтекланикеля Окиси литияОкись лития Окись никеля Свинцовоборосиликатное стекло Органическое связующее 8,0-16,0 Остальное Составитель В.ЛенскаяРехред Ж. Кас теле вич Корректор В. Синицкая Редактор А,Маковская Заказ 4112/79 Тираж 784 Подписное ВНИИПИ Государственного...

Номер патента: 834774

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Варденбург, Демидова, Севинян

МПК: H01B 3/18

Метки: порошковаякомпозиция, электроизоляционная

...измельчают и просеивают.Полученную порошковую композицию напыляют вибровихревым или другим методом на металлические изделия, нагретые до 170-200 С.П р и м е р 2. Порошковую композицию получают как описано в примере 1 при следующем соотношении компонентов, мас.ч.: П р и м е р 3. Порошковую композицию получают как описано в примере 1 при следующем соотношении компонентов, мас.ч.: П р и м е р 4. Порошковую композицию получают как описано в примере 1 при следующем соотношении компонентов, мас.ч.: Допускается введение в композицию пигментов (окись хрома, двуокись титана и др ),Электрические и механические характеристики напыленных покрытий а также потеря массы при 200 и 250 С в течение 2500 ч" напыленных пленок, образуемых...

Номер патента: 834775

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Бобылев, Бредис, Вайсфельд, Дулицкая, Зинин, Кудрявцев, Левин, Сидоренко, Чайкина, Черствова, Швец, Янченко

МПК: H01B 3/40

Метки: композиция, электроизоляционныхпластиков

...было установлено, что при введении 3- 10 в.ч. полиизоцианурата (тримера толуилендиизоцианата, блокированного фенолом), степень отверждения композиций увеличивается на 10-15. Теплостойкость по Иартенсу при этом возрастает на 20-25 ОС.Существенные изменения в системе наблюдаются при введении от 3 в.ч. полиизоцианурата в композицию и сохраняются до 10 в,ч. Дальнейшее увеличение содержания этого компоне834775 Характеристики Пластик попримеру 3 Текстолит(известный) 110 105 3 10 510 исходное состояние 3,5-10 4 1 "10 3 10 7, 10 Г 4 исходное состояние 7 1012 210 Тангенс угла диэлектрических потерь при 50 ГцВодопоглощение, , для листовтолщиной 1-2 ммСтойкость к продуктам разложения злегаза 0,007 0,005 0,25 0,25 Стойкий Стойкий та...

Номер патента: 834776

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Еханина, Кругликов, Милешкевич, Румянцев, Фролов

МПК: H01B 13/16

Метки: проводов

...системы "сетка в сетке" вследствие реакции поликонденсации используемых олигомеров.Провода, изготовленные по извест.ному способу послетермообработки становятся липкими и, как показано с помощью ИК-спектров, деструктируют с образованием олигоарилатных и диметилсилоксановых блокова изоляция снятая с этих проводов, мгновенно растворяется в хлороформе, в то время как по предлагаемому способу лишь набухает5 О 5 Наложение изоляции на основепредлагаемого состава осуществляетсяследующим образом.Токоведущая жила с отдающегоустройства; направляющие ролики, атакже нижний тяговый ролик поступаетв ванну куда предварительно заливается предлагаемый состав заданнойконцентрации. На выходе ванны установлены шарообразные калибродержателис...

Номер патента: 834777

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Базуев, Макарова, Швейкин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...рт.ст. при201200 С до полного прекращения выделения окиси углерода, а затем в вакууме 10 - 10 мм рт.ст, при 1400 Св течение 25 ч, Продукт перетирают,из него готовят образцы в виде параллелепипеда размером Зх 525 мми подвергают дополнительному отжигупри 1450 С в течение 12 ч. Получают:материал состава Сер 0, содержащийостальное Т 1,20. Величина удельногосопротивления р при 290 К составляет. 1-10 Э Ом см.П р и м е р 2. 7,2 г СеО, 3,4 гТО и 0 5 г ацетиленовой и обрабатывают, как в примере 1. Получают материал состава Се ТОз, содержащий 69,4 Се 20 З, 0,1 ТО, остальное ТОЗ, с величиной удельного со.противления у при 290 К равной9 10 Ом см. 40При ме р 3. 5,93 г РгОз,4,11 г ТО и 0,03 г ацетиленовойсажи обрабатывают, как в примере 1.Получают...

Номер патента: 834778

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Богаткова, Волкова, Гудков, Котов, Максимцова, Ряхин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...таких пленок могут быть получены ЗО только при отжиге их при температуре834778 свыше 450 ОС, .т.е. в области температур, где всегда наблюдается образоваание дефектных пятен, приводящих к ухудшению стабильности резисторов.Цель изобретения - повышение термостойкости.5Для достижения указанной цели в известном резистивном материале для изготовления тонкопленочных резисто. - ров, содержащем хром, железо, алюминий, двуокись кремния и алунд, исходные компоненты взяты в следующем соотношении, вес.Ъ:ХромЖелезоАлюминийДвуокись кремнияАлунд 10-80 3-20 Хром Железо Алюми- Двуокись АЛунд у , Ом/О ТКС, 10 1/ С ний кремния Смеси 10 - 100 1 75 2 30 3 10 2 3-30 10 8 200-500 +10 - 100 15 12 3000-10000+10 - 100 10 Формула изобретения 10-80 3-20...

Номер патента: 834779

Опубликовано: 30.05.1981

Автор: Березин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...ионнойронной составля- составляющейСцБ А 95 ющей 6 е,. Ом" см о, Ои см Номеробраз ца 75 25 4,6 3,5 4,6 35 65 50 0,8 4,6 50 4,6 1,05 35 4,3 4,6 25 В таблице .приведены составы полученных .образцов и данные измерений электронной и ионной составляющих проводимости при 400 С.Соотношение металл-сера в растворе методом кулонометрического титрования в гальванической цепи А 9/А 9 (Сц+.А 9)д 5) Р устанавливается с высокой точностью стехиометрическим.Измерение электропроводности осуществляют, прижимными вольфрамовыми зондами компенсационным методом с помощью полуавтоматического потенциометра.Как видно из.таблицы, увеличение или уменьшение содержания сульфида серебра приводит к существенному росту электронной. составляющей.Кривые зависимости...

Номер патента: 834780

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Арсеньева, Аулова, Домочацкая, Рогова, Тужикова

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...в качестве сажи использованасажа с масляным числом 160- "180 мл/100 г и рН 6-9 при следующемсоотношении компонентов, вес.Ъ: 20834780 Сажа .с маслянымчислом 160,180 мл/100 г ирН 6-9ГрафитСлюдаПолифениленоксифениленметилен 8,4 0,3 ,16 Остальное формула изобретения Сажа с маслянымчислом 160180 мл/100 г ирН 6-9ГрафитСлюдаПолифениленоксифениленметилен З,б 0,1 8,4 25 Остальное Сажа с масляным числом 160- 180 мл/100 г и рН 6-9ГрафитСлюдаПолифениленок- сифениленметилен 3,6-22 Ос 12-Огб 8,4-20Остальное 35 40 Составитель В,ЛенскаяТехред Ж.Кастелевич Корректор М,КостаФ Редактор Н.Бушаева Заказ 4112/79 Тираж 784 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д,...

Номер патента: 834781

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Колдашов, Красов, Крылова, Поташникова, Пуронене, Турчина

МПК: H01C 7/06

Метки: материал, резистивный

...материал, содержа щнй окись свинца, двуокись кремния и двуокись рутения, дополнительно содержит окись меди при следующем количественном соотношении компонентов, масс.ЪОкись свинца . 7 -80 Двуокись кремния 10-25 Двуокись рутения 3-10 Окись меди 0,5-10Введение в состав резистивного материала окиси меди позволяет получать толстопленочные резисторы в диапазоне сопротивлений от 5 кОм до 1 МОм, имеющие стабильность параметров при длительном воздействии (в течение 30 сут) повышенной влажности (98) не более .+1 и ТКС - не более 100 10 1/ С.. Формула изобретения 40 Составитель Н.КондратовТехредЖ.Кастелевич Корректор В.Синицкая 1 Редактор Н.Кешеля Заказ 4112/79 Тираж 784 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и...

Номер патента: 834782

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Белорусец, Боровинская, Выскубов, Мержанов, Михайлов, Суворов

МПК: H01C 8/00

Метки: композиционный, материал, резистивный

...элект зистивной компози счет изменения фа диапазон номинало Ома до сотен М меет высокую м ь Ьс, = 800 сопротивления реи изменяется завого состава исопротивлений ко леблется от одно Материал при это анич000 ую проче 1 остсм . 3 83478 циркония, диаборид циркония, карбонитрид титана) изготавливают способом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза,Связку получают из однозамещенной соли алюминия в фосфорной кислоте с плотностью 1,42 г/смЗначительное упрощение технологии изготовления композиционных резисторов достигается при использовании по рошка, представляющего смесь тугоплавкого соединения с наполнителем, который синтезируется путем сжигания металла 1 Ч-Ч групп с алюминием и элементом из группы углерод, бор, азот 15 При...

Номер патента: 834783

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Бурминский, Кириченко, Мангасаров, Саркисов

МПК: H01C 10/38

Метки: переменный, резистор

...корпус 1, на валлельных поверхностях коложены два резистивныхсоединенных с электричесми 3, прижимные ролики 4,Формула изобретения ВНИИПИ Заказ 4113/80 Тираж 784 Подписное Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 3 8347 . охватывающие их упругую токопроводящую ленту 5, прикрепленную с некоторым натягом к двум выводам 3.Устройство работает следующим образом.При перемещении прижимных роликов 4 из крайнего левого положения вправо омическое сопротивление между двумя верхними выводами 3 уменьшается вследствие шунтирования части резистивного элемента 2 упругой токопроводящей лентой 5. Одновременно происходит увеличение омического сопротивления между двумя нижними выводами 3. При этом суммарное сопротивление обоих реэистивных...

Номер патента: 834784

Опубликовано: 30.05.1981

Автор: Крылов

МПК: H01C 17/00

Метки: подгонкитонкопленочных, резисторов, токовой

...импульса. Через открытый ключ 4 напряжение от генератора 1 прикладывается к закрытому тиристорному ключу 5 и мостовой измерительной схеме 2, через которую 45 протекает электрический ток, вызывающий подгонку резистора Рп. В момент, когда сопротивление эталонного и подгоняемого резисторов совпадет, компаратор 3 включает тиристорный ключ 5, который замыкает мостовую схему; при этом не используемая для подгонки часть импульса проходит через включенный тиристорный ключ 5, и процесс подгонки прекращается, тиристорные ключи 4 и 5 возвращаются в исходное состояние.В предлагаемом устройстве электронные ключи предназначены для форми 84 4рования одного импульса тока подгонки специальной формы из напряжения, например, силовой электрической сети...

Номер патента: 834786

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Белавин, Карамов

МПК: H01G 4/008, H01G 4/40, H01G 9/22 ...

Метки: параметрами, распределенны-ми, структура, управляемая

...сопротивление, Слой 1 находится5 в контакте со слоем 2, который представляет собой смесь мелких (диаметр .зерен порошка платины от 30 до 50 мкм) порошков платины и твердого электролита ЙЬА 9,1 . Слой 3 состоит из чистоО го твердого электролита ЙЬА 9.15 Таким образом, контакт слоев 1, 2 и 3 представляет собой контакт резистивного слоя 1 с искусственно развитой поверхностью твердого электролита, граница раздела которых образует распределенную емкость. Процентное содержание порошка платины в слое 2 выбирается таким, чтобы оно мало влияло на величину резистивного сопротивле О ния слоя 1. Слой 4 состоит из коллоидного серебра.На клеммы 8 и 9 через делитель напряжения, образованный резисторами 12 и 13, подается положительное...

Номер патента: 834787

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Дьяконов, Муждаба, Ненашева, Юркинский

МПК: H01G 9/035

Метки: электролит, электролитическихконденсаторов

...электролит для электролитическихконденсаторов, преимущественно с анодом из титаналюминиевого сплава, содержащий водный раствор фосфорнойкислоты и едкого калия, дополнительносодержит роданид калия при следующемколичественном соотношении компонентов, мас.7:Фосфорная кислота 14-21Едкий калий 15-22Роданид калия 18-28Вода ОстальноеИзготавливают электролиты для электролитических конденсаторов предлага(безводная) 145Едкий калий 15 4Продолжение таблицы нид калия Остальное, 2, Готовят электропит ва, мас,7: Вода Пример ледующего сосФосфорная к (безводная) Едкий калий сло Из приведенных данных ви 17,18,23 что й состав эле до вка в извес ля электрол троли- саторо чес кон 15 роданида калия генса угла диэл денсаторов.в 1,ижае ачение т Остально вят...

Номер патента: 834788

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Волкова, Мишанин, Назаров, Пиганов, Чернобровкин

МПК: H01G 13/00

Метки: тонкопленочныхконденсаторов

...в этом случае практически исключается кристаллизация алюминиевых элект родов (обкладок) при повторных нагревах. Нанесение каждого последующего слоя на подложку, температура которой не прввьппает 0,9 от температуры нанесения предыдущего слоя, также по зволяет увеличить электрическую прочность, так как такой режим исключает кристаллизацию алюминиевых электродов. Известно, что кристаллизация алюминиевых электродов ведет к сниже- З 5 нию электрической прочности. 88 Ака и верхней обкладки- 2,5 мин.Тонкопленочные конденсаторы имеютэлектрическую прочность Е = (3,0-3,3) 1 О В/см, б= 0,002-0,004.П р и м ер 2. Изготовляют тонкопленочные конденсаторы на основе А 1-СеО-А 1. Температура подложки при нанесении слоев составляет: Т =290, Т 2 = 210 и Т =...

Номер патента: 834789

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Варыпаев, Гаврикова, Евгенова, Егорова

МПК: H01H 1/66

Метки: герметизированногоконтакта, запоминанием, контакт-деталь

...0,2-0,5, железо - остальное. Примерно половина указанного отрезка расплющена на плоском штампе и подлежит заварке в стеклянную капсулу. Половина расплющенной части контакт-детали представляет собой рабочую поверхность,и покрывается слоем эрозионностойкого контактного покрытия. На рабочий конец любым известным способом, например, электролитическим, наносят слой золота. Толщина указанного слоя золота определяется из условий неухудшения магнитных свойств гезакона, чаще всего толщина слоя золота порядка 1 мкм, Поверх указанного слоя наносят эрозионностойкое покрытие из сплава рений-никель, например электролитическим способом. Толщина этого слоя до 3 мкм, При этом диапазоне содержания рения в сплаве допустимо в пределах 15-88 масс.7.П р...

Номер патента: 834790

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Гильденберг, Евгенова, Егорова, Рабкин

МПК: H01H 1/66

Метки: kohtakta, герметизирован-ного, запоминанием, контакт-деталь

...подслой выполнен из никеля и его толщина составляет от 28 до 66% общей толщиныпокрытия рабочего конца контакт-детали. При этом сердечник контакт-детали покрыт по всей длине слоем никеля, составляющим единое целое с указанным подслоем.Слой никеля на рабочем конце служит в качестве подслоя, на который легко осадить эрозионно-стойкое контактное покрытие из золота или сплава золото-кобальт. На остальной части контакт-детали слой никеля предохраняет ее от окисления улучшает спай со стеклом и придает гезакону лучший товарный вид.На чертеже схематически изображена предлагаемая контакт-детальгезакона. Основной частью контакт-детали является сердечник 1, выполненный в виде частично расплющенного отрезка проволоки из среднекоэрцитивного...

Номер патента: 834791

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Аракелян, Бортник

МПК: H01H 33/00

Метки: высоковольтных, изоляцией, конденсациивлаги, предотвращения, устройствахс, элегазовой

...в указанном пределе путем введения адсорбента, напри мер цеолита, в количестве 0,1-103 от количества изоляционных материалов в устройстве, в зависимости от их влажности.Выбор в качестве норматива разницы Ы между среднесуточной температурой и температурой конденсации влаги в аппарате в пределах 15-25 С обусловленОтем, что.в условиях эксплуатации аппарат подвергается воздействию резких 40 Из приведенного уравнения. следует, что количество вводимого в аппарат адсорбента, необходимое для регулированиятемпературы конденсации в укаПредлагаемый способ позволяет в 2-20 раз уменьшить количество адсорбента, используемого для полной осушки аппарата по сравнению .с известными способами. Полностью исключается кон 91 4изменений температуры....

Номер патента: 834792

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Евстратов, Забегалин, Тамиров, Хайдаров, Цвик

МПК: H01H 35/00

Метки: tpaktopa, динамического, опроки-дывания, сигнализатор

...чем выше уровень верти"кальных, а следовательно, и угловыхколебаний трактора Г 31.Цель изобретения - повышение эффективности определения опасной ситуации.Указанная цель достигается тем,что сигнализатор динамического опрокидывания трактора, содержащий элемент; чувствительный к углу статического наклона трактора, усилительсигнала наклона, устройство подачипредупреждающего сигнала, снабжендатчиком вертикальных ускорений центра тяжести трактора, усилителем сигнала вертикальных ускорений, сумматором и пороговым устройством, приэтом выход датчика вертикальных ускорений соединен со входом усилителявертикальных ускорений, выход которого соединен с первым входом сумматора, ко второму входу которого присоединен выход усилителя сигнала...

Номер патента: 834793

Опубликовано: 30.05.1981

Автор: Акимов

МПК: H01H 47/18

Метки: времени, реле

...последовательно гасящий резистор 9 и первый замыкающийконтакт 10 электромагнитного реле 11,параллельно обмотке которого включен диод 12. Второй замыкающий контакт13 этого реле включен между общей шиной 14 питания и первой обкладкойконденсатора 1. Резисторы 3,6 и 7 соединены с первой шиной 15 питания, а один из выводов обмотки реле 11со второй шиной 16 питания. Между другим выводом обмотки реле и общей шиной 14 включен ключ 17 запуска. Устройство работает следующим образом.При подаче напряжения на шины 14-16 питания открывается и насыщается пороговый транзистор 2, составляющей базового тока которого заряжается конденсатор 1 по цепи: общая шина 14 питания - открытый эмиттерный переход порогового транзистора 2 - конден" сатор 1 -...

Номер патента: 834794

Опубликовано: 30.05.1981

Автор: Панкин

МПК: H01H 47/18

Метки: времени, реле

...следующим образом.В исходном состоянии ключ 4 разомк 50нут и времязадающий конденсатор 5заряжен от делителя напряжения через. диод 10 и открытый эмиттерный переход двухбазового диода 1. На времязадающем конденсаторе устанавливает 55ся напряжение стабилизации стабилитрона 8, которого недостаточно дляпробоя динистора 9. При замыканииключа 4 эмиттерный переход двухбазоформула изобретения 3 8 ходом ЙС-цепи, делитель напряжения источника питания, при этом времязадающая ЙС-цепь включена между плюсовой шиной и средней точкой упомянутого делителя, ключ запуска, расположенный в разрыве плюсовой шины источника питания между резистором время- задающей ЙС-цепи и одной из баз двух- базового диода Г 3,Недостатком известного реле времени является...

Номер патента: 834795

Опубликовано: 30.05.1981

Автор: Кропачев

МПК: H01H 47/18

Метки: времени, реле

...на однопереходном транзисторе или его аналоге, а генераторы постоянного тока - на диоде и транзисторе или на двух транзисторах, один из которых использован в диодном включении.Реле времени работает следующим образом.В исходном состоянии все элементы схемы обесточены, конденсаторы 9 и 10 разряжены, генераторы 1-3, ключ 4 и пороговый элемент 5 закрыты. Сигнал на выходе устройства равен нулюПри подаче напряжения Е 1, на. зажимы устройства открывается транзисторный ключ 4, работающий в режиме насьпцения. Генератор. 2 постоянного тока закрыт, так как резистор 16 соединен с коллектором ключа 4. Конденсатор 10 разряжен, а пороговый:элемент 5 закрыт. Одновременно с этим отк рывается генератор 1 постоянного тока и конденсатор 9 заряжается по...

Номер патента: 834796

Опубликовано: 30.05.1981

Автор: Кропачев

МПК: H01H 47/18

Метки: варианты, времени, реле

...вариант,.фиг.2) содержит генератор импульсов20, времязадающий конденсатор 21,триггер на тиристорах 22 и 23, в анодные цепи которого включены нагрузки24 и 25, потенциометры 26 и 27, диоды28-34, коммутирующийконденсатор 35,дифференцирующие цепи 36 и 37 и генератор 38 постоянного тока для линейного заряда времязадающего конденсатора.Генератор 20 импульсов может бытьвыполнен на динисторе, однопереходном транзисторе или его аналоге. Генератор 38 постоянного тока выполненна двух транзисторах, один из которыхиспользуется в диодном включении.При малых выдержках времени и малой емкости конденсатора 21 генератор21 импульсов может быть подключенк входам триггера без использованиядифференцирующей цепочки 32, а генератор 38 постоянного тока...

Номер патента: 834797

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Гусейнов, Толстопятова, Якуб

МПК: H01J 1/142

Метки: cbeta, вещество, источников, катодовгазоразрядных, эмиссионное

...цель достигается тем, что в эмиссионном веществе, состоящем3 8347 из цирконатов бария, стронция, кальция, эти компоненты представляют собой твердый раствор, имеющий кристаллическую структуру типа цирконата бария.Твердый раствор, обладая равномерным распределением компонентов по объему и поверхности кристаллов, составляющих эмиссионное покрытие катода, обеспечивает равномерность работы вы-, 10 хода по поверхности эмиттера. Аналогичная закономерность имеет место в оксидных катодах электровакуумных приборов, Определенная структура кристаллов эмиссионного вещества, а именно структура типа цирконата бария, обеспечивает оптимальный для газоразрядных источников света комплекс эмиссионных и технологических характеристик (прочность сцепления...

Номер патента: 834798

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Арянина, Карпенко, Набойченко, Шихов

МПК: H01J 9/04

Метки: оксидныхпокрытий, состав, суспензии

...растворяют в ацетоне с добавкой дибутилфталата при количественном соотношении ацетон: полиметилметакрилат, равном 4:1 Приготовленный таким образом лак вводят в оставшуюся часть ацетона и загружают в фарфоровый барабан, куда загружают также Ьреон 114 В 2 двуокись циркония 1 тройную перекись и ситаловые шары диаметром 18-20 мм и общим весом, равным весу загружаемой тройной перекиси. Компоненты834798 25 5 перемешивают в течение 2 ч при скорости вращения барабана 60 об/мин.Приготовленную суспензию испытывают на возгораемость, руководствуясь методом определения температуры вспыш ки для химических продуктов в открытом тигле по ГОСТ 13921-68. В качестве источника зажигания используют пламя спички. Испытание проводят в температурных...

Номер патента: 834799

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Белоглазов, Добров, Лебедев, Малышев, Немоляева, Пшенцов, Решетаров, Семина, Скибина

МПК: H01J 9/20

Метки: mat-ричных, преимущественно, решеток, стеклометалли-ческого, экрана

...пучок стеклянных стержней без оправки, далее нагревают и перетягивают, получая шестигранный стержень с отверстием. Эти стержни режут на заготовки, в которые вставляют неостеклованную проволоку. Затем из сплошных шестигранных стержней с проволокой выкладывают блок, чередуя стержни по заданной топологии, помещают в колбу, нагревают, спекают известными способами и режут на плас-, тины. 15П р и ме р, Круглые штабики из стекла С 93 - 1 диаметром 3 мм, длиной 1000 мм укладывают в шестигранный пучок с размером по двойной апофеме 42 мм, нагревают до 650 С и пео ретягивают, получая шестигранные заготовки размером по двойной апофеме 2,5 мм, длиной 1000 мм. Полученные заготовки (217 шт.) вновь укладывают в шестигранный пучок с размером по 25...

Номер патента: 834800

Опубликовано: 30.05.1981

Автор: Тузов

МПК: H01J 37/30

Метки: оптическихповерхностей

...при этом плавно регулируемая диафрагма 7 раскрывается до необходимого значения эффективного диаметра, а заслонка 8 в зависимости от Формы обрабатываемого участка поверхности открывает 00 6 частично или полностью отверстиедиафрагмы 7.Плазменный пучок, пройдя черездиаФрагму 7, бомбардирует поверхность изделия 3 и распыляет ее. При угле 60 д+10 падения ионов пучка достигаетася, с одной стороны, высокая скоростьобработки, а с другой - узкая диаграмма направленности распыленного материала, Последнее обуславливает возможность экранирования распыленногоматериала с помощью ловушки 10, чтодает возможность полностью исключитьего осаждение на обрабатываемую поверхность.Одновременно система 6 контроляза Формообразованием в виде электрического...

Номер патента: 834801

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Демышев, Кормишкин, Сулацков

МПК: H01J 61/18

Метки: высокого, газоразрядная, дав-ления, лампа, облучения, растений

...второгерманат магния.Лампа работает следующим образом.Так как диод индия обладает достаточно высоким давлением паров (705 100 мм рт.ст.) при рабочей температуре горелки 700-800 С, а атомы индия - сравнительно низким потенциалом возбуждения, ртутно-кварцевая горелка с моноиодидом индия может эксплуатироваться при относительно невысоких нагрузках, в результате чего достигается большой срок службы лампы. В то же время атомы индия излучают в разряде мощную резонансную линию 451 нм и линию 410 нм, в результате чего один из максимумов излучения приходится на синюю область спектра, относительно эффективную для протекания в растениях фотосинте О за. Под фитоотдачей понимается эффективная отдача лампы,оценненая по кривой спектральной...