Резистивный материал

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советскик Социалистических Республик(22) Заявлено 0706.79 (21) 2778023/18-21:с присоединением заявки Йо(51)М. Кл. Н 01 С 7/00 Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий(54) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ 40-80 0,1-20 0,1-20 0,1-5,0 стальное 2ремериаИзобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано при изготовлении тонкопленочных резисторов.. Известен резистивный материал для изготовления тонкопленочных зисторов, состоящий из хрома и с си окислов. На основе этого мате ла путем термического испарения в вакууме можно получать резистивные пленки с малыми значениями температурного коэффициента сопротивления (ТКС) 11 .Недостатком указанного материала является узкий диапазон получаемых удельных сопротивлений с малыми значениями ТКС. Так, при удельных сопротивлениях менее 100 Ом/ц возрастает величина абсолютных значений ТКС, а при удельных сопротивле.ниях выше 1 кОм/П возникает трудность получения малых значений ТКС в связи с сильной зависимостью и и ТКС от режимов испарения резистивного материала и температуры отжига резистивных пленок.Наиболее близким к предлагаемому является резистивный материал для изготовления тонкопленочных резисторов, содержащий хром, железо, ниль, алюминий и смесь .окисловношением ингредиентов, вес.Ъ: Хром5 ЖелезоНикельАлюминийСмесь окислов . О 1Однако этот материал характеризуется низкой термостойкостью. В связи с тем, что для получения малыхзначений ТКС резистивных пленок судельным сопротивлением Я менее200 Ом/д иногда необходимо проводитьих отжиг при высоких температурах(свыше 450 С), при этом ввиду низкойтермостойкости резистивного материала при таком высокотемпературном,отжиге на поверхности резистивной 2 О пленки образуется большое количестводефектных пятен, которые приводят крезкому ухудшению стабильности резисторов. Низкая термостойкость- укаэанного резистивного материала недает возможности его использованиядля получения резистивных пленок с,удельным сопротивлением свыше200 Ом/ц , так как малые значенияТКС таких пленок могут быть получены ЗО только при отжиге их при температуре834778 свыше 450 ОС, .т.е. в области температур, где всегда наблюдается образоваание дефектных пятен, приводящих к ухудшению стабильности резисторов.Цель изобретения - повышение термостойкости.5Для достижения указанной цели в известном резистивном материале для изготовления тонкопленочных резисто. - ров, содержащем хром, железо, алюминий, двуокись кремния и алунд, исходные компоненты взяты в следующем соотношении, вес.Ъ:ХромЖелезоАлюминийДвуокись кремнияАлунд 10-80 3-20 Хром Железо Алюми- Двуокись АЛунд у , Ом/О ТКС, 10 1/ С ний кремния Смеси 10 - 100 1 75 2 30 3 10 2 3-30 10 8 200-500 +10 - 100 15 12 3000-10000+10 - 100 10 Формула изобретения 10-80 3-20 8-25 8-50 ОстальноеХромЖелезоАлюминийДвуокись кремнияАлунд 1. Авторское свидетельство СССР Р 352319, кл, Н 01 С 7/00., 1969.2. Авторское свидетельство СССР Р 520628, кл. Н 01 С 7/00, 1976 (прототип) . Тираж 784 ВНИИПИ Заказ 4112/79 Подписное Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 Получени планок из резистивного материала проводится в установке О вакуумного напыления при вакууме 10 4-. 10 Тор. В камеру напыления вертикально помещаются два вольфрамовых испарителя, один иэ которых с нанесенным на него резистивным 35 материалом, а другой чистый, беэ резистивнсго материала, Вокруг испарителей размещаются основания резис. торов, нанизанные на металлические спицы, которые вращайтся вокруг своей 40 оси и одновременно вокруг испарителей, чтобы досичь равномерного процесса формирования пленки на всей поверхности каждого основания резистора и одинаковых условий осаждения пленок для оснований резисто ров, находящихся на разных спицах.Реэистивные пленки, получаемые после термического испарения в вакууме предлагаемого реэистивного материала, обладают высокой термостой О костью, что позволяет проводить их отжиг для получения малых значений ТЕС при высоких температурах (до 60 С) без образования дефектных пятен на поверхности. Повышенная тер- Я мостойкость прздлагаемого резистивного материала обеспечивает получение Для получения резистивного материала подготовлены три смеси с различным содержанйем исходных компонентов, которые после термического испарения в вакууме и последующего отжига полученных пленок при температурах от 400 до 600 С дают ,воэможность получать тонкопленочные резисторы с характеристиками, приведенными в таблице. тонкопленочных резисторов с малымзначением ТКС в широком диапазонеудельных сопротивлений от -30 до10 кОм/и Резистивный материал для изготовления тонкопленочных резисторов, содержащий хром, железо, алюминий, двуокись кремния и алунд, о т л и - ч а ю щ и й с я .тем, что, с целью повышения термостойкости, он содержит исходные компоненты в следующем соотношении, вес.Ъ: Источники информации,принятые во внимание при экспертизе