Лазер с периодической структурой
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1378740
Авторы: Алавердян, Артамонов, Афанасьев, Ильичев, Инкин, Минаждинов, Полторацкий, Шелюхин
Формула
Лазер с периодической структурой, включающий полупроводниковую подложку с расположенной на ней двойной гетероструктурой (ДГС) и омические контакты, отличающийся тем, что, с целью уменьшения управляющей мощности, управления диаграммой направленности и повышения граничной частоты модуляции, на верхнем слое ДГС расположен первый дополнительный слой того же типа проводимости, что и у прилегающего к нему слоя ДГС, на первом дополнительном слое расположен монокристаллический изолирующий слой Ga1-zAlzAs:O, в котором выполнены параллельные канавки с наклонными стенками, глубина канавок больше толщины изолирующего, но меньше суммы толщин изолирующего и первого дополнительного слоев, расстояние между канавками меньше 10 мкм, поверх изолирующего слоя и канавок расположен второй дополнительный слой того же типа проводимости, что и первый, в канавках расположены электроды в виде барьеров Шоттки, а омические контакты выполнены к второму дополнительному полупроводниковому слою.
Описание
Целью изобретения является уменьшение управляющей мощности, управление диаграммой направленности и повышение граничной частоты модуляции.
На чертеже представлена конструкция лазера с периодической структурой. Лазер содержит подложку 1 из р+-СаАs, двойную гетероструктуру (ДГС), включающую слои 2 из р-Gа1-x Al2As, 3 из р-GаАs и 4 из n-Gа1-у,




Работа лазера осуществляется следующим образом. На подложку 1 и области омических контактов 10 подается инжектирующее напряжение (плюс на подложку), а управление током, протекающим через активные области, осуществляется посредством модуляции проводимости каналов транзисторных областей путем подачи на электроды 8 управляющих напряжений, фазовые соотношения между которыми формируют диаграмму направленности решетки. Субмикронная длина каналов и полевое управление обеспечивают быстродействие в непичковом режиме порядка пяти гигагерц.
Предлагаемый мощный лазер обеспечивает рабочую полосу частот порядка 5ГГц и позволяет выполнить излучатель и схемы обрамления в одном кристалле. Возможность управления диаграммой направленности позволяет при решении ряда задач, связанных с оптической обработкой информации, обойтись без дефлекторов излучения.
Изобретение относится к оптоэлектронике и может использоваться в системах оптической обработки информации и в ВОЛС. Цель изобретения - уменьшение управляющей мощности, управление диаграммой направленности и повышение граничной частоты модуляции. Лазер содержит подложку, например p+-GaAs, слой p - Ga1-хAlхAs, слой p-GaAs, слой n - Ga1-уAl4As, первый дополнительный полупроводниковый слой пGaAs толщиной 0,3 мкм с концентрацией примеcи 1,5




Рисунки
Заявка
4048504/25, 03.04.1986
Артамонов М. М, Ильичев Э. А, Полторацкий Э. А, Инкин В. Н, Минаждинов М. С, Афанасьев А. К, Алавердян С. А, Шелюхин Е. Ю
МПК / Метки
МПК: H01S 3/18
Метки: лазер, периодической, структурой
Опубликовано: 20.07.1996
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1378740-lazer-s-periodicheskojj-strukturojj.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Лазер с периодической структурой</a>
Предыдущий патент: Способ переработки олефинсодержащего бензина
Следующий патент: Устройство для обработки плоских фигурных стекол
Случайный патент: Двухтактный фотоэлемент