Лазер с полевым управлением
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
Лазер с полевым управлением, содержащий полуизолирующую подложку из GaAs i-типа проводимости с расположенными на ней слоями, которые образуют двойную гетероструктуру (ДГС), сильнолегированный полупроводниковый слой, изотипный внешнему слою ДГС и граничащий с ним, а также полупроводниковый слой с контактами истока, стока и электродом затвора, отличающийся тем, что, с целью достижения непрерывного режима работы лазера путем улучшения теплоотвода, в полуизолирующей подложке выполнена сильнолегированная область, проникающая на всю толщину подложки, а полупроводниковый слой с контактами истока, стока и электродом затвора расположен по другую сторону подложки относительно слоев, образующих ДГС, причем в упомянутом полупроводниковом слое под контактом стока выполнена сильнолегированная область, гальванически связанная с сильнолегированной областью подложки, а на сильнолегированном полупроводниковом слое установлен омический контакт.
Описание
Цель изобретения достижение непрерывного режима работы лазера путем улучшения теплоотвода.
На чертеже представлена конструкция лазера с полевым управлением.
Он содержит полуизолирующую подложку из арсенида галлия 1 и расположенные на ней слой 2 из GaAlAs n-типа, активный слой 3 из p-GaAs, слой 4 из GaAIAs р-типа, слой 5 из сильнолегированного p+-GaAs и омический контакт 6. Слои 2,3,4 составляют двойную гетероструктуру (ДГС). По другую сторону подложки расположен слой 7 из GaAs n-типа проводимости с контактами стока 8, истока 9 и электродом затвора 10. В полупроводниковом слое 7 выполнена сильнолегированная область 11 n-типа проводимости, гальванически связанная с сильнолегированной локальной областью 12.
Лазер работает следующим образом.
На контакты 6 и 9 подают напряжение, обеспечивающее превышение порогового тока лазера. При этом управление лазером осуществляют полевым образом посредством модуляции напряжения на затворе 10.
Для расширения функциональных возможностей в контактном слое ДГС возможно формирование элементов, осуществляющих коммутирование света, излучаемого ДГС, например, посредством распределенной обратной связи.
Предлагаемые конструкции могут быть использованы в качестве базовых ячеек ОИС средней и большой степени интеграции в системах связи и в вычислительных системах.
Изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано в качестве передающего модуля в системах ВОЛС, а также в качестве базовой излучающей ячейки в оптоэлектронных ИС. Изобретение обеспечивает улучшение теплоотвода лазера и повышение степени интеграции схем на этих лазерах. Лазер содержит полуизолирующую подложку 1 арсенида галлия, по одну сторону которой расположены слои, образующие двойную гетероструктуру; например, слой 2 n-GaAlAs, имеющий общую границу с подложкой, слой 3 p-GaAs, являющийся активным слоем излучающей части лазера, и слой 4 рAlGaAs, поверх которого расположен сильно легированный слой 5 р+-СаАs и контакт 6 к нему. По другую сторону подложки 1 расположен слой 7 n-GaAs с контактами стока 8, истока 9 и электродом затвора 10. В слое 7 выполнена сильнолегированная область 11 GaAs n+-типа проводимости, гальванически связанная с сильнолегированной областью 12 подложки. 1 ил.
Рисунки
Заявка
4120111/25, 04.07.1986
Артамонов М. М, Полторацкий Э. А, Ильичев Э. А, Инкин В. Н, Алавердян С. А, Шелюхин Е. Ю
МПК / Метки
МПК: H01S 3/19
Метки: лазер, полевым, управлением
Опубликовано: 10.07.1996
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1393291-lazer-s-polevym-upravleniem.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Лазер с полевым управлением</a>
Лазер с полевым управлением
Номер патента: 1391424
Опубликовано: 10.06.1996
Авторы: Алавердян, Артамонов, Афанасьев, Жуков, Иванютин, Ильичев, Инкин, Минаждинов, Полторацкий, Шелюхин
МПК: H01S 3/19
Метки: лазер, полевым, управлением
Лазер с полевым управлением, содержащий полупроводниковую сильнолегированную подложку, на которой расположены слои, образующие двойную р-n-гетероструктуру (ДГС), полупроводниковый слой n-GaAs с контактами истока, стока и электродом затвора, а также омический контакт к подложке, отличающийся тем, что, с целью обеспечения работы лазера в непрерывном режиме путем улучшения теплоотвода, указанный полупроводниковый слой с контактами истока, стока и электродом затвора расположен по другую сторону подложки относительно слоев, образующих ДГС, а между ним и подложкой размещен монокристаллический изолирующий слой AlGaAs:O, причем в полупроводниковом и монокристаллическом изолирующем слоях имеется канавка с наклонными стенками, глубина которой больше...
Способ определения положения и формы скрытых слоев на кремниевых полупроводниковых подложках с эпитаксиальным слоем
Номер патента: 1277840
Опубликовано: 27.06.1995
Авторы: Прохоров, Романова, Янсон
МПК: H01L 21/306
Метки: кремниевых, подложках, положения, полупроводниковых, скрытых, слоев, слоем, формы, эпитаксиальным
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛОЖЕНИЯ И ФОРМЫ СКРЫТЫХ СЛОЕВ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖКАХ С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ, включающий химическую обработку, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, повышения точности и увеличения используемой площади кристалла, химическую обработку проводят путем анодирования поверхности до образования окрашенных слоев пористого кремния или двуокиси кремния, по разности окраски которых определяют проекцию скрытых слоев на поверхность эпитаксиального слоя.
Полупроводниковый элемент памятидля постоянного запоминающего устройства
Номер патента: 824313
Опубликовано: 23.04.1981
Авторы: Анфиногенов, Буздин, Иофис, Кузьмин, Пароль, Флидлидер
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающего, памятидля, полупроводниковый, постоянного, устройства, элемент
...являются ограниченное быстродействие и высокое сопротивление элемента памяти.Цель изобретения - повышение надежности элемента памяти.Поставленная цель цостигается тем, что.элемент памяти содержит пленку металла, которая размещена между слоем ХСП и слоем монокремния, при этом пленка металла со слоем монокремния образует циоц Шоттки.На фиг. 1 показан элемент памяти в интегральном исполнении, выполненный на подложке ноликремния; на фиг. 2 - эквивалентная электрическая схема элемента памяти, на фиг. 3 - элемент памяти в интегральном исполнении, выполненный на сапфировой подложке с эпитаксиальной пленкой кремния; на фиг. 4- эквивалентная электрическая схема эле,мента памяти.Элемент памяти соцержит пластину 1 из поликремния, полосы...
Состав для получения фоточувствительных слоев сульфида свинца на подложках
Номер патента: 380684
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Глобус, Китаев, Кондратьева
МПК: H01L 31/0296
Метки: подложках, свинца, слоев, состав, сульфида, фоточувствительных
...концентрацией 3 - б м/л. Недостатеси состава заключаются в том, что щелочи не удается получать нужной чи стоты, а гидразин дорог и токсичен.Г 1 редложенный состав отличается тем, что в качестве щелочного агента используют аммиак концентрацией 2,0 - 2,5 лг/л, а для улучшения фоточувствительности слоев - добавки 20 гидразина концентрацией 0,5 - 1,0 м/л. Это позволяет удешевить производство фоточувствительных слоев сернистого свинца и снизить токсичность состава.Осаждеееие слоев сульфида свинца с высокой фоточувствительностью из ванн, содержащих гидразин, сопровождается образованием частично дегидратированного основного ацетата свинца 2 РЬО РЬЛсг . Н;О, который, явля ясь кислородсодержащей примесью, отезультате чего цианампд свинца образв...
Градиентометр для контроля качества приповерхностного слоя деталей
Номер патента: 1663587
Опубликовано: 15.07.1991
Авторы: Гораздовский, Гостев, Гречинский, Гусев, Ломоносов, Рыгалин
МПК: G01R 33/035
Метки: градиентометр, качества, приповерхностного, слоя
...критическую температуру Тс85 К, Обмотка связи 18 и пленка 13 из ВТСП помещаются в сосуд 16 Дьюара с жидким азотом для поддеркания рабочей температуры около 77-80 К, Пленка из ВТСП запитывается постоянным током от генератора 2 высокостабильного тока, а переменный сигнал с пленки 13 через согласующий трансформатор 3 подается на резонансный усилитель 4 и после фазового детектирования в детекторе 5 поступает на интегратор,8, с выхода которого сигнал через усилитель 10 тока поступает на модулирующую обмотку 17, выполненную в виде витка провода, размещенного по периметру диэлектрической подложки 15, на которую нанесена пленкд 13.На модулирующую обмотку 17 также поступает сигнал от генератора 6 опорной частоты через делитель 9 частоты...
Предыдущий патент: Оптоэлектронный прибор
Следующий патент: Способ санитарной очистки больших объемов газовых промышленных выбросов
Случайный патент: Импульсный регулятор