Способ изготовления устройств с жидкими кристаллами
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 637103
Автор: Алан
Текст
Союз Советских Социалистических Республик,3,чд Государственный комитет СССР ло делам изобретений(71) Заявител ЛНОГГ 1,ь ОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ УСТРОЙСЖИДКИМИ КРИСТАЛЛАМИ 54 бретение относитон к ус ащим жидкие кристаллы тройстзам с ориентиров (и жидкого кристалла Изо тройствам, содерж , в частности к ус анными мг,- лекула на полез.,- ности.Известен способ изготовления устройств с жидкими кристаллами, включающий мсханическую обработку внутренних поверхностей подложек направленным натиранием лля орнентирования молекул видного кристалла, прилегающих к подложкам 11.1-1 еддстаток известного способа состоит в кизной прозрачности подложек, прошедших механическую обработку.Известен сПособ,изготовления устройстз : с жидкими кристаллаяи, включающий фо.- огирование электродов на,поверхностях прозрачных подложек, косое напыление каждый электрод слоя металла толщинойодо 200 А, введение вещества жидкого кри О сталла между подложками, герметпзапио Приборов 21.Недостаток этого способа в том, что металлы, лаже нанесенные очень тонким слоемнепрозрачны или, по меньшей мере, недостаточно прозрачны, и, следовательно, их ппименение ограннчено в устройствах с ж 11 дкпми "лсталламп пропуск 210 щего тип 2, т. е. в устройствах, предназначенных для пропускания света с возможно меньшим ОМЕКЬШЕКИЕМ Я ХОСТ:1. ХОТЯ МОНДОК 1 СЬ кремния и прозрачн 2, Олыты показали, что довольно тпудко равномерно и производитель:1 о наносить тдккпе слои п остым и ке- ДОРОН:1 М СПОСДОО.М.Целью пзодретекия является увеличение прозрачкдсти кгпыленного слоя металла.Поставленная кель достигается тем, что капылен.1 ый слой металла переводят з Окксед з пропессе герметизации устройства прп температуре 380 - 540 С в атмосфере КПСЛОРО"2.Спосоо поясняетсч чептежом.11 згдтазлпзают две подложки 1 и 2, каждая из которьх имеет электрод у с длиненкой частьо 4. Бортик 5 пз стекловатого 1 лгка наносят и 1 краю одной подложки, как ка шелковой Основе. Затем итем вакуумного напыления и; и скользящих углах, т. е. Наклоккдго напыления, внутренние Поверхности обе 1 х подложек покрывают слоем б металла толщ:кой до "00 А, П 1 и наклонном каньлени 1 подложку ориентируют к шток испаряющегося металла пдд углдм ,ло 45 .Далее обе пдлзои(:ск тщательно дриекткП 1 От С-,:Кс.ТСЛЬКО,др 1. 1 Э, Гз; Пд Э нтЕ лам Г 1 д; гл здму смск 1 ек;1 ю орпскт 11 розаккь:х з 1 лкростз ктг; слоев 6 металлборт 11 ка из сте 1 слов 2 того шлака, Вводят вещество жидкого кристалла 7 и, пока прпкладывают сжимающее давление, улержпВающее подложки Вместе, констукцию на- Ц)ЕВ 210 Т В 2 ТЬ 10 сфЕРЕ КИСЛОРОД 2 ДО ТСМПЕ- ратуры, зависящей От используемого стекловатого шлака (380 - 540" С), т. е. достаточной для размягчения гбортика, соелинення подложек и перевода напыленного слоя металла в окпсел. Расстоя.1 ие меисд, 10 подложками порядка 13 11 кл.Благодаря угловому смешению м 11 кроструктур на Внутренней,поверхности подложек автоматически полчают . лОВОе Вращение оси ориентации молекул жидкого кристалла, т, е. закручивающий эффект:.Предложенный способ позволяет в значительной мере упростить и удешевить изготовление устройств, имеющих ооиентированные микроструктуры, которые ооладаюг 29 нысокоЙ прозрачность 10 для свет 1. Формула изобретенияСпособ,изготовления устройств с жидкими рясталлами, включающий формирование электродов на поверхностях прозрачных подложек, косое напыленпе на каждыЙ электрод слоя металла толщиной до 200 А, введение вещества жидкого кристалла между подложками, герметизацию приборов, о т л и ч а ю щ,и й с я тем, что, с целью увеличения прозрачности, напыленный слой металла переводят в окисел,в процессе герметизации устройспва при температуре 380 в 5 С в атмосфере кислорода,Источники информации, принятые зо внимание,при экспер пизе:1. Патент СШЛ ЛЪ 373198 б, кл, 317 - 234, ,оп,мблик. 1972.2. Арр 11 ес 1 Р 11 уз. 1.ейегз, . 21, Ло 4, 1972, р. 173,Тираж 921делам изобретений 1 аб., д. 4/5 ССР го гушска ип. Харьк. фнл. пред. Патент оставитРедактор Т. Орловская Текред Л. ЗЗмитета
СмотретьЗаявка
2062486, 26.09.1974
АЛАН САССМЭН
МПК / Метки
МПК: H01L 21/28
Метки: жидкими, кристаллами, устройств
Опубликовано: 05.12.1978
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-637103-sposob-izgotovleniya-ustrojjstv-s-zhidkimi-kristallami.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления устройств с жидкими кристаллами</a>
Предыдущий патент: Устройство для управления подвижным объектом
Следующий патент: Приспособление для установки изолированного электрического провода
Случайный патент: Зеркальная антенна