Способ определения статических искажений кристаллической решетки

(504 Г ТЕН СВИДЕТЕЛЬСТ АВТОРСК физиче стно ст ры мате- ентгенов акци риалов с помощью дифских лучей.Цель изобретенияности определения срстатических искажениматериалах обладающ овышение то личиныовых дне в ли урои прох т тки ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИПРИ ГКНТ СССР ПИСАНИЕ ИЗ(71) Днепропетровский металлургический институт(56) Васильев Д.М. К методике рентгеновского исследования поликристаллических образцов, обладающих текстурой. - ЖТФ, 1956, т. 26, в. 3,с. 695-697.Смирнов Б.И. Исследование интенсив"ности рентгеновских линий молибденапри деформировании, - ЖТФ, 1958,т. 28, в, 12, с. 2693-2695.Воробьев Г.М., Лючков А.Д. Об интенсивности рентгеновских дифракционных линий железа после пластическойдеформации и отжига. - СИМ, 1967,т. 24, в. 3, с. 476-481.(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СТАТИЧЕСКИХИСКАЖЕНИЙ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕПЕТКИ(57) Изобретение относится к физическому материаловедению, в частности Изобретение относитсяму материаловедению, в средствам контроля структ к средствам контроля структуры материалов с ломощью дифракции рентгеновских лучей, Цель изобретения состоит в повышении точности определения среднеи величины статических искажений в листовых материалах, обладающих текстурой прокатки. Интегральную интенсивность дифракционных линий двух-порядков отражений определяют по текстурограммам, записанным в условиях непрерывного вращения образца вокруг оси 8 и одновременного наклона вокруг оси 0 Ь , Образец, применяемый при реализации способа, выполняют в виде стопки листовых отрезков, уложенных с одинаковой ориентацией с 2 направления прокатки, На стопке выполняют эквинаклонный срез, образующий одинаковые углы с направлением прокатки, нормалью к плоскости прокатки и перпендикулярным к ним направлением, который подвергают рентгенографированюо, Достигаемое ука)вей занными средствами усреднение обеспечивает более высокую точность и достоверность результатов,П р и м е р. Исследование статических искаже ний в сталь ном листе,Образцы готовят следующим образом.Из стали 08 КП собирают стопку листовых образцов (19 х 19) с одинаковым расположением направления прокатки, выполняют срез стопки по плоскости, составляющей одинаковые углы с направ. лением прокатки, нормалью к плоскости прокатки и поперечныл направлением, 1479857еЗатем производят съемку текстурограмм по методу отражения с этого среза для двух порядков отражения от одной плоскости (110) и (220) и определяют интегральную интенсивность в пределах 1/4 полюсной фигуры. Текстурные кри- вые записывают при непрерывном вращении вокруг горизонтальной О и наклдняемой В осей в процессе рентгенов ской съемки с помощью дифрактометра типа ДРОН на приставке ГПдляисследования текстуры.Расчет суммарной интенсивности линии (110) по кривым тестурограммы 5 производят по Формуле 1 = --6; Жэьпо;, (1)(2) В выраженияхи (2) Ы, - угол наклона вокруг оси Ы, плоскости образца к плоскости первичного и отраженного лучей при съемке текстурограммы, Величины 6; соответствуют .углу наклона образца эа один его полный оборот вокруг наклоняемой оси В при рентгеновской съемке для К; меньше 35 . При О; больше 35 6; выбирается так, чтобы полностью перекрыть 1/4 поверхности полюсной фигуры, Величины Б; и Ь определяются по текстурным 35 кривым образцов и эталонов.Аналогично рассчитывается суммарная интенсивность интерференции(220) 1 ( гго и 1 эт гго )40 Усредненная по всем возможным направлениям величина статических ис - гкажений О кристаллической решетки текстурованных образцов рассчитывается по формуле45- а 1 ио 1 1 эт 1 гго)112:- 1 п- -- (3)л г4 ц 1 (гго 11 эт (1 о 50Результаты определения статических искажений кристаллической решетки в листовой стали 08 КП известным и предложенным способами представлены в таблице. Формула изобретенияСпособ определения статических искажений кристаллической решетки, включающий определение отношения интенсивности дифракционных рентгеновских линий двух порядков отражения (п,1 с 1) и (пг 1 с 1) от однои кристаллографической плоскости, о т л и " ч а ю щ и й с я тем, что; с целью повышения точности определения средней величины статических искажений в листовых материалах, обладающихтекстурой прокатки, собирают стопку листовых образцов с одинаковым расположением направления прокатки, выполняют срез стопки по плоскости, составляющей одинаковые углы с направлением прокатки, нормалью к плоскости прокатки и перпендикулярным к ним направлением, с этого среза для двух порядков отражения от одной плоскости производят съемку текстурограмм по методу отражения, определяют интегральную интенсивность в пределах 1/4 прямой полюсной Фигуры и вычисляют статические искажения иэ соотнощенияа 1(п 1 к 11) 1 эт(п кг 1)где1(п 1 с 1) =,фЬ 12 е.здпЫ;1(п 11)1 этЬ;(п 1 с 1) = Б(п 1 с 1)/Ь,;с - угол наклона плоскости образцак плоскости первичного иотраженного лучей при съемкетекстурограмм при д-м наклонеобразца вокруг оси наклона О;угол наклона образца эа одинего полный оборот вокруг оси В;Б; (пИ)-суммарная интенсивность дифракционных лучей эа 1-й оборот вокруг наклоняемой оси,определяемая по текстурограммам, интерференции (п 1 1)и (п 1 г 1 г)1 (и 1)1 (пЫ) - интенсивность линий (п,1 с 1,)и (пф,1 ) образцов и этало-нов,а - период кристаллической решетки.-1 Й по способу Показатели предлагаемому известному Измерения1234Среднее значение Ц 2Средняя квадратичная ошибка цгОтносительная 0,095 0,105 0,107 0)098 0,110 0)096 0,092 0,102 0,1010 0,10035 0,00883 0,00208 среднеквадратичная ошибка, %(-П ) ,цГ 8,74 2,073 Составитель Е,СидохинТехред М Дидык Корректор:С.Шекмар Редактор Л,Веселовская Заказ 2537/43Тираж 790 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент". г.ужгород, ул. Гагарина,101