C30B 29/12 — галогениды

Номер патента: 1179699

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Залетин, Лях, Ножкина, Рагозина

МПК: C30B 23/00, C30B 29/12

Метки: дийодида, кристаллов, ртути-hgj2

Способ получения кристаллов дийодида ртути - HgJ2, включающий статическую сублимацию дийодида ртути из его источника в зону осаждения в вакууме при температурном перепаде по длинам ампулы, отличающийся тем, что, с целью увеличения размеров кристаллов и повышения их качества, исходный дийодид ртути берут в количестве 0,55-0,75 г/см3 объема ампулы, дополнительно вводят свободный йод в количестве 0,01-0,03 мас.% от веса HgJ2, а процесс ведут при температурном градиенте в зоне осаждения 8-12 град/см и давлении (5-10) 10-3 Торр.

Номер патента: 1028006

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Залетин, Ножкина, Чанышева

МПК: C01G 13/00, C30B 29/12

Метки: дийодида, ртути

Способ очистки дийодида ртути, включающий его многократную сублимацию в вакуумированной ампуле при наличии градиента температуры между зоной испарения и зоной конденсации, отличающийся тем, что, с целью повышения частоты материала и упрощения процесса, перед сублимацией осуществляют проплавку дийодида ртути в атмосфере инертного газа при температуре выше температуры плавления не более чем на 50oC, а сублимацию ведут трех-четырех при температуре в зоне конденсации 90-110oC.

Номер патента: 1037690

Опубликовано: 27.07.2000

Авторы: Лисицын, Лисицына, Рейтеров, Трофимова, Чинков

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: кристаллов, металлов, фторидов, щелочноземельных

Способ получения кристаллов фторидов щелочноземельных металлов из расплава шихты, содержащей добычу фторида иттрия, отличающийся тем, что, с целью повышения радиационно-оптической устойчивости кристаллов, процесс ведут из шихты, содержащей одновременно примесь фторида натрия или калия при весовом соотношении между добавкой фторида иттрия и примеси 0,2 - 0,5 и концентрации фторида иттрия не более 1 мол.%.