C30B 29/12 — галогениды

Номер патента: 1589695

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Бобырь, Долгополова, Кравченко, Смирнов

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: галогенидов, металлов, монокристаллов, основе, сцинтилляционных, термообработки, щелочных

...поглощения кристалла Се 1(Т 1) 5 10 15 20 после отжига при 650 К представлен на фиг, 25 2 (кривая 3). Оптические и спектрометрические параметры детектора Сз(Т 1) и фосвича йа 1(Т 1) + Сз 1(Т 1) представлены в табл. 1, Ч 1. Как видно из представленных результатов, не все сложные активэторные центры окра ски разрушаются. При этом спектрометрические и оптические параметры детектора Сз(Т) и фосвича Ма 1(Т 1) + Сз 1(Т 1) улучшаются.Чтобы разрушить все сложные актива торные центры окраски, которые еще проявляются в спектрах поглощения и снижают конверсионную эффективность и энергетическое разрешение как детектора Сз 1(Т), так и фосвича йа 1(Т 1) + Сз(Т 1), кристалл 40 Сз 1(Т 1) помещают в печь, нагревают до 750 К со скоростью 0,2...

Номер патента: 1538557

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Любинский, Неменов, Проценко, Радкевич, Эйдельман

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: активированных, выращивания, монокристаллов, щелочно-галоидных

...до 820 С и бокового - до 850 С. Через 2 ч после расплавления сырья в тигле соприкасают затравку с расплавом, оплавляют ее до удаления поверхностых дефектов и корректируют температуру донного нагревателя до достижения теплового равновесия,Затем соприкасают щуп с поверхностью расплава и включают систему автоматизированного радиального разращивания монокристалла до заданного диаметра (270-320 мм) с подпиткой неактивированной шихтой, После окончания разращивания по диаметру начинают автоматизированный рост по высоте с подпиткой шихтой, в которую вводят активатор концентрацией в шихте С 1, в течение времени 1, затем с концентрацией в шихте С 2 до окончания выращивания.Конкретные примеры различных вариантов режимов двухстадийной...

Номер патента: 1783009

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Апинов, Икрами, Кузнецова, Сидоров

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: выращивания, дифторида, марганца, монокристаллов

...аОЬеге Иеце. ОвнеТтесЬпс пеон, М 7, 1986, р.544.(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОЧИСТКИ ДОРОЖНЫХ ПОКРЫТИЙ(57) Использование:,относится к области машин для летнего и зимнего содержания городских территорий, преимущественно типа подметальных машин и скалывателей уплотненного снега. Сущность - содеркит рабочий орган в виде усеченной в радиальной плоскости симметрии отработавшей ресурс автомобильной шины 7, закрепленной на несущем диске 8 под углом к дорожному покрытию 11. Усеченная автомобильная ши на 7 установлена с наклоном оси вращения вперед и вбок с возможностью воздействия на грунтовые наносы и снег внешним периметром 13, снабжена приводным гидромотором 6 и связана с несущим диском 8 посредством внешних и внутренних радиальных пластин 14 и 15,...

Номер патента: 949984

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Гектин, Чаркина, Ширан

МПК: C30B 29/12, C30B 33/04

Метки: монокристаллов, щелочногалоидных

...По мереповышения температуры за сцет рекомбинации комплементарных центров ихсодержание в облученном кристалле стечением времени уменьшается. Обработка монокристаллов ХаС 1 и КС 1 путем их изотермического отжига притемпературах 150-200 С приводит кполному исчезновению электронных 10(Р, М, К, И) центров, выявляемых оптическими методами, Однако дырочныецентры (7) и дислокационные диполи,образующиеся под действием ионизирующего облучения, при этих температурах устойчивы. Йзотермический отжиг монокристаллов при температурахвыше 200-250 С снимает все наведенные облучением деФекты, Варьированиетемпературы и времени отжига кристалла изменяет спектр деФектов кристаллической решетки, возникших в процессе воздействия на монокристалл...

Номер патента: 1412383

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Буравлева, Чаркина, Чубенко, Эйдельман

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, иодистого, монокристаллов, цезия

...кристаллов при сохранении оптических свойств Способ включает нагрев шихты,содержащей иодистый цезий с добавкой 4-5 масВ бромистого цезия, После нагрева до плавления проводят выдержку в течение 1,0-1,5 ч. Нагрев и выдержку расплава ведут при непрерывном вакууми-гровании до давления 1 10 в , 510 г мм рт.ст а рост кристалла ведут в атмосфере азота при давлении 110 -1,10 мм ртст., Достигнут предел текучести 200-260 г/мм 2, 1 табл,1412383 условиях без добавления примеси бромистого цезия, улучшены при этом оптические свойства. формула изобретения Способ выращивания монокристаллов иодистого цезия, включающий нагрев шихты, содержащей иодистый цезий с добавкой бромистого цезия, до плавления, выдержку и последующий рост кристаллов по методу...

Номер патента: 1798394

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Икрами, Парамзин, Халимов

МПК: C30B 13/00, C30B 29/12

Метки: кальция, кристаллического, фторида

...жеемния. 1 ил. 2 табл.1798394 3рости выше 80 мм/ч - эффективность очистки уменьшается,Поскольку существенные отличия, аименно; скорость протяжки 8-80 мм/ч череззоны плавления больше одной, температурный градиент между которыми 80100 С/см, а вакуум 10 -10 мм рт,ст. визвестных решениях не обнаружены,П р и м е р. В тигель, предназначенныйдля зонной плавки. помещали фторид кальция, полученный по известному способу, Горизонтальную перекристаллизацию.производили в печи СГВВ.100.250/22 ИТ. Градиент температур между зонами составлял 80-100 С/см относительной 15ширины зоны нагрева 10-25 мм, расстояниемеждч зонами составляло 80 мм, В зоненагрева создавали вакуум 10 мм рт,ст. и-5температура плавления 1480"С, тигель протягивали через 6 зон...

Номер патента: 1429601

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Кудин, Моргацкий, Панова, Угланова

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: сцинтилляционного

...способу, имеют следующие размеры;диаметр 80 мм, длина 120 мм. Из них изготавливают детекторы диаметром 30 мм, длиной 90 мм. Процессы выращивания монокристаллов по способу, описанному в примере 1,проводят по различной загрузке соли иодистого натрия в ампулу; 4 и 8 кг для изготовления детекторов размером 63 х 250 мм)а также при различном давлении кислорода в ампуле: 0,1; 0,2; 0,3; 0,4; 0,6; 0,7 и 0,8 атм.Сцинтилляционные параметры детектОров размером 30 х 90 мм и 63 х 250 мм на основе монокристаллов ча(Т), выращенных согласно примеру 1, приведены в примерах 1 - 7 таблицы.П р и м е р 2. Соль иодистого натрия загружают в ампулу диаметром 90 и длиной 400 мм. Ампула снабжена отдельным отсеком для активатора и отдельным отсеком для примеси...

Номер патента: 1029649

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Карпов, Любинский, Смирнов

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: монокристаллов, щелочногалоидных

...величины пк, па, пг, Ьк, ЛТ 1, ЬТ 2 и зная величины Ч 1 и Чг, рассчитывают значенияи Чз. В. ростовую печь, в которой перегрев камеры плавления равен величине Н 41, помещают ампулу с расплавом таким образом, чтобы ее дно находилось на расстоянии йх от диафрагмы, Устанавливают скорость перемещения Ч 1. Включают механизм перемещения и в течение времени т опускают ампулу со скоростью Ч 1, Так как расплав в ампуле перегрет незначительно, кристаллизация его начинается в момент пересечения конусным дном ампулы изотермы кристаллизации, Фронт кристаллизации осуществляется выше верхнего среза охлаждаемойдиафрагмы при отводе тепла от фронта крибильное положение фронта кристаллизации в процессе последующего роста кристалла из...

Номер патента: 1431392

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Горилецкий, Неменов, Панова, Эйдельман

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: кристаллов, щелочногалоидных

...1 анаьТаким же способом при предлагаемьех,значениях технологических етараметровполучецье моцокристаллы йодистого цезия, н ИК-спектре пропусканил которыхотсутствуют 1 еолосы поглощения кислородсодержащих приееесей,Сравнительные данцьее способов по"лученил нысокопраэрачееьех моееокреесталлов по предлагаемому способу и прототипу представлены н табл,. следует из табл.1 способ ет выращивать нысокопрозкристаллы беэ исцользонасеечньех и агрессивных соеди гряэееяющих Окружающую сред нодительееьее затраты времен отонку расеыеана к нырашина док меееьше, чем у иэнестны н,ерозрачцости монокрис" ида калия, ныращенцых ех технологических пара-, ставлены в табл.2.следует, что выход за начения предлагаемых панодит к усложнению тех" цологического...

Номер патента: 415916

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Гуревич, Мустафина, Панова

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: монокристаллов, сцинтилляционных

...позволяет использовать их при работе в сильных переменных полях ядерной радиации, ЬП р и м е р, Предварительно дегидрати- д рованную соль Йа при постоянном вакуу- ц мировании нагревают до расплавления.Затем в расплав добавляют 0,1 мол.ТП и 0,4 мол.ИаЮЭ и производят выращивание в вакуумированной герметичной ампуле при ее опускании в печи со скоростью -2 мм/ч, Получены монокристаллы 6 40 мм, Счетные характеристики счетчиков, изго- а товленных их этих кристаллов, после облучения в течение 1 ч гамма-радиацией мощностью 50 рад/ч не изменяются. к технологии интилляционй кристаллиГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕВЕДОМСТВО СССР(54)(57) 1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИКРИСТАЛЛОВ СЦИНТИЛЛЯЦМАТЕРИАЛОВ на основе йодидо.: ных металлов с активирующей добправленной...

Номер патента: 1039253

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Бобырь, Васецкий, Даниленко, Заславский

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: монокристаллов, основе, сцинтилляционного, щелочногалоидных

...освобожденным от органических примесей сырьемпомещают в ростовую печь, плавят в ампулесырье и выращивание ведут, как обычно,методом направленной кристаллизации (т.е. 750-760 С и 560 - 580 С), ампулу перемещают иэ горячей зоны в холодную через. водоохлаждаемую диафрагму со скоростью2 мм/ч, градиент гемпературы в зоне кристаллизации 25 - 30 С/см,Процессы выращивания кристалловИаЦТ 1) с предварительной термо-кислородно-воздушной обработкой сырья в ампулепо методике, описанной в примере 1, проводили с различным количественным составом кислородно-воздушной смеси,содержание кислорода в которой составляло 45,50,55 и 60 об, .Сцинтилляционные параметры детекторов на основе кристаллов Ма 1 Т 1), выращенных в ампулах, подготовленных согласнопримеру...

Номер патента: 176565

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Захарин, Коновалов, Костенко, Куцикович, Мохир, Эйдельман

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: активированного, выращивания, йодистого, монокристаллов, натрия, спектрометрических, таллием

...или в гтредварительно вакуумированных ампулах Однако полученные монокристаллы содержат примеси, влияющие на их спектрометрические свойства.По предложенному способу непосредственно перед выращиванием монокристаллов проводят полную дегидратацию сырья в вакууме вплоть до его расплавления. Затем впускают в ампулу сухой воздух для сжигания органических примесей. содержащихся в расплаве, и удаляют летучие продукты химических реакций дополнительным вакуумированием.П р и м е р. Соль йодистого натрия заливают в ампулу с длинной трубкой, выходящей наружу из печи, На конце трубки имеются два патрубк один из которых используется для откачки и впуске воздуха, к 5 Ц 17 б 565 А.1 Пэ С 30 В 11/02, 29/12 другому с помощью гибкого вакуумного...

Номер патента: 1816815

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Бережкова, Васев, Перстнев

МПК: C30B 29/12, C30B 33/04

Метки: кристаллов, оптического, повышения, пропускания, свинца, хлорида

...Уф-части спектра до указанного в формуле изобретения флюенса. После такой обработки пропускание этого образца в Уф-области спектра возрастает на 11-15, Спектр поглощения обработанного световым потоком кристалла показан на фиг, 1, кривая 2, Далее этот образец используют для практических целей в УФ-части спектра,Одним из достоинств предлагаемого способа является то, что толщину кристаллов хлорида свинца не доводят до минимальной величины, при которой механические свойства образцов резко ухудшаются. За счет увеличения пропускания образцов после их обработки по заявляемому способу толщину кристаллов можно увеличивать на 11-157 Э, поэтому механические свойства образцов повышаются. Кристалл становится более устойчивым к внешним механическим...

Номер патента: 1818365

Опубликовано: 30.05.1993

Автор: Шапурко

МПК: C30B 29/12, C30B 33/04

Метки: монокристаллов, щелочно-галоидных

...последовательно помещали в ячейку, представляющую собой острийный и плоский электроды, помещенные в нагревательное устройство. После выдержки образцов монокристаллов в течение 10 - 15 мин при 580 С, через каждый пропускали ток 5 мА в течение 0,05; 0,1; 0,5; 1,5 мин соответственно подавая на острийный электрод положительный потенциал, Затем образцы охлаждали до комнатной температуры и спектрофотометрически контролировали количество брома в образце. В дальнейшей для удобства из образца выпиливали пластины толщиной 2 мм и подвергали термической обработке 0,3 ч при 773 К, При более высокой температуре бром выходит из кри1818365 Составитель В.ШапуркоТехред М.Моргентал Корректор М,Максимишинец Редактор Заказ 1927 Тираж Подписное ВНИИПИ...

Номер патента: 1619755

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Виноград, Горилецкий, Панова, Шахова, Шпилинская, Эйдельман

МПК: C30B 29/12

Метки: материал, монокристалла, основе, сцинтилляционный

...55 Установлено, что при регистрации жесткого излучения (Сз 137, Е у 662 кэВ) световой выход (С у) достигает максимального значения при концентрациях Сз 2 СОз (1,6 х х 10) - (8 10) мас. %, как это хорошо видно на приведенной фиг. 1, зависимость 1. При этом величина светового выхода на 30% превышает величину светового выхода Сз: Т с содержанием активатора 4 10мас. оТ 1, принятую за 100%, При введении СзгСОз до 1,6 10 мас.и более 8,0 10мас. % своой од "сцинтилляций снижается. При концентрации Сз 2 СОз до 1,6 10 мас. % значение светового выхода снижается вследствие недостаточности концентрации центров свечения, создаваемых Сз 2 СОз, для наиболее эффективной регистрации у-излучения с энергией 662 кэВ. При концентрации Сз 2 СОз...

Номер патента: 1707999

Опубликовано: 15.11.1994

Авторы: Захарюгина, Зверева, Линев, Петров

МПК: C30B 29/12, C30B 9/12

Метки: бариевого, выращивания, гексаферрита, монокристаллов, основе, шихта

...в качестве растворителя висмутата натрия естествен 1707999ное вхождение в кристалл ионов висмута1+В и натрия йа . что, в свою очередь,приводит к нарушению электронейтральности кристаллической решетки и обраэова 2+нию ионов двухвалентного железа ЕеПоследние относятся к быстрорелаксирующим ионам и существенно ухудшаютмагнитную добротность материала ( Л,Н)наряду с ионами ВР и Ма 1+,Присутствие в шихте углекислого кальция в значительной степени препятствуетэтому за счет снижения содержания висмута и натрия в кристалле в среднем в двараза.Снижению содержания ионов Ее 2+ в 15растущем кристалле способствует и углекислый марганец МпСОз за счет протеканияв раствор-расплаве окислительно-восстановительной реакции ЕеМпз+ - Еез+Мп 20Что касается...

Номер патента: 1362088

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Гутан, Шамовский

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: материал, монокристаллический, спектрометрических, сцинтилляторов

1. Монокристаллический материал для спектрометрических сцинтилляторов на основе йодистого цезия, активированного таллием йодистым, отличающийся тем, что, с целью повышения радиационной стойкости материала, его параметров по энергетическому и временному разрешению ионизирующих излучений и расширения температурного диапазона использования, он дополнительно содержит легирующую примесь в виде бромистого цезия и имеет состав, соответствующий следующей формуле:(CsI)x(CsBr)y(TlI)[1-(x+y)] ,где 0,947 x 0,948;0,049

Номер патента: 1626741

Опубликовано: 27.01.1995

Авторы: Гутан, Шамовский

МПК: C30B 29/12

Метки: материал, монокристаллический, спектрометрических, сцинтилляторов

МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ СПЕКТРОМЕТРИЧЕСКИХ СЦИНТИЛЛЯТОРОВ на основе твердого раствора CsIxCsBr1-x, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности регистрации и временного разрешения сцинтилляций и исключения токсичности, раствор имеет состав, соответствующий 0,8 х 0,9.

Номер патента: 1264604

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Брюквина, Иванов, Фигура, Хулугуров

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, кристаллов, лития, основе, фторида

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ ФТОРИДА ЛИТИЯ для лазерных элементов из расплава, содержащего фторид и гидроксид лития, в тигле, отличающийся тем, что, с целью удешевления процесса при сохранении концентрации ионов гидроксила, стабилизирующих F+2-центры в кристаллах, процесс проводят в тигле из никеля или стеклографита в атмосфере инертного газа при добавлении в расплав оксида бора в количестве 0,001 0,100 г/см2 поверхности расплава.

Номер патента: 713016

Опубликовано: 20.09.1995

Авторы: Иванов, Смирнов

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00, G01T 1/20 ...

Метки: плоских, сцинтилляционных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛОСКИХ СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫХ ИЗДЕЛИЙ из монокристаллов иодидов щелочных металлов путем разрезания заготовки, отличающийся тем, что, с целью обеспечения однородности изделий с площадью существенно большей любого сечения исходной заготовки, разрезание осуществляют аксиально боковой поверхности цилиндрической заготовки в один слой или в несколько слоев по спирали с толщиной h, после чего полученный слой или слои подвергают нагреву со скоростью 10 20oС/ч до 350 450oС, выдерживают 3 5 ч при температуре и разворачивают в плоскую пластину с последующим охлаждением до комнатной температуры со скоростью 20 30oС/ч, причем толщина слоя h, радиус изгиба rи степени деформации соответствует...

Номер патента: 1651602

Опубликовано: 10.12.1995

Авторы: Горбунов, Классен, Махонин

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: кристаллов, оптических, щелочногалоидных, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ИЗ ЩЕЛОЧНОГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ, включающий механическую обработку исходного образца до формы, близкой к требуемой, и прессование его при повышенной температуре между пуансонами соответствующей формы, чистота поверхности которых соответствует требованиям к чистоте поверхности элемента, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптического качества, увеличения производительности и выхода годных элементов, исходный образец берут в виде монокристалла, после механической обработки проводят снятие механически упрочненного слоя химическим травлением и прессование ведут до степени 1,5-5,0% со скоростью 0,02-0,10 мм/мин.

Номер патента: 1271155

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Лобанов, Максимова, Смольская

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: kcl-tl, tlva99+, кристаллах, лазерноактивных, окраски, создания, центров

СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЛАЗЕРНОАКТИВНЫХ ЦЕНТРОВ ОКРАСКИ Tl Va+ В КРИСТАЛЛАХ KCl-Tl, включающий облучение кристаллов ионизирующим излучателем при комнатной температуре и облучение светом, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии создания Tl0 Va+ центров, в качестве ионизирующего излучения используют гамма-излучение, и в качестве источника света кристаллы CsI Tl, которые предварительно приводят в оптический контакт с кристаллами KCl T и одновременно с ними облучают гамма-излучением.

Номер патента: 1304442

Опубликовано: 20.01.1997

Авторы: Бобырь, Иванов, Любинский, Нагорная, Смирнов

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: кристаллов, сцинтилляционных, щелочно-галоидных

1. Способ получения сцинтилляционных щелочно-галоидных кристаллов, включающий плавление исходной соли в контейнере, имеющем коническую и цилиндрическую части, введение в расплав соли активатора, выдержку расплава при заданной температуре и выращивание конической и цилиндрической частей кристалла путем опускания контейнера из зоны плавления через водоохлаждаемую диафрагму в зону кристаллизации, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса при сохранении оптического качества кристаллов, после выращивания конической части вводят активатор, поднимают контейнер в зону плавления на 3 5 мм, осуществляют выдержку в течение 6 8 ч и проводят выращивание цилиндрической части кристалла.2. Способ по п.1, отличающийся тем,...

Номер патента: 1610942

Опубликовано: 20.03.1997

Авторы: Бобырь, Илькин, Любинский, Смирнов, Чиненов

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: выращивания, кристаллов, щелочно-галоидных

Способ выращивания щелочно-галоидных кристаллов, включающий вертикальное перемещение ампулы с коническим дном, заполненной расплавом, перегретым выше температуры плавления, через охлаждаемую диафрагму, увеличение перегрева после выращивания конусной части кристалла, выращивание цилиндрической части и охлаждение, отличающийся тем, что, с целью ускорения процесса, ампулу перемещают с постоянной скоростью, конусную часть кристалла выращивают в течение временипри перегреве t1= 30-50 C, затем перегрев...

Номер патента: 1367547

Опубликовано: 27.03.1999

Авторы: Васильев, Карпов, Колесникова, Смольская

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: иодидов, металлов, монокристаллов, щелочных

Способ получения монокристаллов иодидов щелочных металлов, включающий загрузку исходного материала в ампулу, его дегидратацию в вакууме, плавление и направленную кристаллизацию в присутствии добавки таллия, отличающийся тем, что, с целью повышения радиационной стойкости монокристаллов при сохранении оптимальной концентрации рабочих центров, в исходный материал дополнительно вводят иодистый аммоний в количестве 0,1 - 0,5 мас.%.

Номер патента: 1589688

Опубликовано: 27.03.1999

Авторы: Вааг, Карпов, Лызганов, Самбуева, Смольская, Юрьева

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, калия, монокристаллов, хлористого

Способ выращивания монокристаллов хлористого калия, включающий плавление шихты с добавкой соединения галогена, имеющего температуру испарения ниже температуры плавления хлористого калия, выдержку расплава и выращивание из него кристалла на затравку, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коэффициента поглощения излучения на длине волны 10,6 мкм, в качестве добавки используют C2F4 в количестве 0,02 - 0,10 мас.%.

Номер патента: 1380293

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Аллазов, Дарвойд, Дмитриев, Дубовицкая, Копецкий, Лисицкий, Мовсум, Мустафаев, Нисельсон, Райков, Смирнов, Третьякова

МПК: C30B 11/00, C30B 29/12

Метки: галогенидов, основе, растворов, таллия, твердых

Способ получения твердых растворов на основе галогенидов таллия, включающий загрузку исходных компонентов, содержащих галогениды металлов твердого раствора, их нагрев до температуры выше температуры плавления получаемого твердого раствора и направленную кристаллизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса и его упрощения, в качестве исходных компонентов используют металлический таллий и по крайней мере один галогенид аммония, таллий берут в избытке 100 - 300 мол.% по отношению к галогенидам, помещают его сверху галогенидов и нагревают до температуры на 10 - 30oС выше температуры плавления твердого раствора, а кристаллизацию ведут перемещением...

Номер патента: 1443496

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Исянова, Лобанов, Ломасов, Максимова, Проворов, Симин, Цирульник

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: f-2-центров, кристаллах, лазерноактивных, лития, создания, фторида

Способ создания лазерноактивных F-2-центров в кристаллах фторида лития, включающий облучение -излучением дозой до 2 -108P и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности создания F-2-центров и их устойчивости, термообработку проводят в процессе облучения при 230 - 240oС.

Номер патента: 1565084

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Иванов, Хулугуров, Чернышев, Шнейдер

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, кристаллов, лития, фторида

Способ выращивания кристаллов фторида лития для лазерных элементов из его расплава, содержащего ионы гидроксила, в стеклографитовом или никелевом тигле в инертной атмосфере, отличающийся тем, что, с целью удешевления продукции при сохранении концентрации ионов гидроксила, стабилизирующих лазерно-активные F+--центры в кристаллах, ионы гидроксила вводят в расплав путем добавки паров воды в инертную атмосферу при их парциальном давлении 20 - 30 мм рт.ст.

Номер патента: 1575585

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Волочек, Иванов, Хулугуров, Шнейдер

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, кристалла, лития, фторида

1. Способ выращивания кристалла фторида лития с примесью гидроксила для лазерных элементов, включающий приготовление шихты фторида лития с добавкой и вытягивание кристалла из расплава, отличающийся тем, что, с целью удешевления и упрощения способа при сохранении концентрации гидроксила, в качестве добавки используют соединение фтора, разлагающееся при температуре плавления фторида лития в концентрации 0,1 - 1,0 мас.%, а вытягивание ведут на воздухе.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве добавки берут NH4F.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве добавки берут NiF2.