Способ получения субстрата для выращивания растений на основе анионита ан-2ф
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 397175
Текст
-ИЗУ 5 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз СовбтСкм 1 ьСоциалистицескихРеспублик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 25.1,1971 ( 1627100/30-15) А 01 д 31/РО присоединением заявкиГосударственный камитеСовета Министров СССРоо делам изааретенийи открытий риоритетпубликовано 17,1 Х.1973. Бюллетень89.2 (088.8) ликования описания 29.1.194 ата Авторыизобретенявител СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СУБСТРАТА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ РАСТЕНИЙ НА ОСНОВЕ АНИОНИТА АНфДля этогопылевидныеиитов, наприАВ.Кроме тогпроизводятсу анионитаобработкойПолифункнита (наличксиаминных,аммониевыхего в качестся положитедается пров Изобретение относится к области получения искусственных почв, которые могут быть использованы для интенсивного выращивания растений при недостатке площади, (кашпо, балконы, подоконники, фронтоны, крыши зданий, космические корабли),Известен способ получения субстрата для выращивания растений на основе анионита А 1-1-2 Ф.Недостатком известного способа является пониженная сорбционпая способность аниопита АНФ по питательным элементам,Цель изобретения - улучшение сорбционных свойств анионита АНФ,к аниониту АНФ добавляют отходы более высокоемких анио 1 ер, марок АН, АВГ или о, добавку пылевидных отходов в жидкую конденсационную масс последующим отверждением и питательными растворами.циональность получаемого аниое, наряду с аминогруппами, эпопиридиниевых и четвертичных группировок) при использовании ве основы для субстрата являетльным качеством, что подтвержедеп 1 ыкти испытаниями. Фракции иошатов с размерами частиц меньше 0,315 мм являются отходами, в производстве АВГ и АВопи совсем не используются, а в производстве АНвозвращаются5 на стадию конденсации, что отрицательносказывается па механической прочности аниопита.Способ осуществляется следующим образом,10 Прим ер 1. 1 О л. ч. полиэтиленполиаминов (ТУ 6-02-594-70) постепенно нейтрализуют 23 м. ч, 28", соляной кислоты, затем при50 - 55 С добавляют 8,6 м, ч, фенона и 23 м. ч.3 % формалина. Массу выдерживают при15 56 + 2 С 2 час, после чего в нее вводят 25 лт. ч.мелкой фракции анионита АН(отход придроблении) с размером частиц меньше0,315 л 1 м влажностью 1 - 37 о, для снижениявязкости реакционной массыдобавляют 5 лт. ч.20 воды, а для ускорения гелеобразования -6 м. ч. 28,о соляной кислоты, Отверждениегеля производят прп 70 С в течение 3 час,термообработку - прп 100 С в течение 20 час,Измельченный до размера частиц менее 2 мл 125 анионит во избежание растрескивания замачивают насыщенным раствором хлористогонатрия, переводят в гидроксильную форму,смешивают с катионитом КУв соотношении 1: 2 и насыщают макро- и микроэлемен 30 тами, необходимыми для питания растений,397175 Пр едмет и зобр етен ия Составитель Ю. КюрегянТехред Т. Курилко Корректор М. Лейзерман Редактор Е. Сотник Заказ 3724,9 Изд. Уе 15 Тираж 523 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, 7 К.35, Раушская наб., д. 45Типография, пр, Сапунова, 2 пропусканием 1 застворов нитраа кальция, нитрата калия, сульфата магния, однозамещенного фосфата калия, глюконата железа, хлорида марганца, сульфата никеля, сульфата меди, сульфата кобальта, хлорида натрия, молибдата аммония и тетрабората натрия,Полученный субстрат, по сравнению с субстратом из КУи АНФ без добавок, обработанный в таких же условиях, имеет следующие преимущества в содержании отдельных элементов (в скобках здесь и в следующих примерах содержание элементов в субстрате на АНФ без добавок) (в "/о): Са 26,6 (24,8); Мд 2,0 (1,68); К 5,88 (5,3); Ге 0,59 (0,56); Сц 0,66 (0,60); 5 12,3 (7,95) .П ри мер 2. Все соотношения, условия получения и обработки анионита такие же, как в примере 1, с единственной разницей, что вместо 25 м. ч. мелкой фракции анионита АНберут 10 м. ч. мелкой фракции сильно- основного анионита АВ-8. Полученный субстрат, по сравнению с субстратом на АНФ без добавок, имеет следующие преимуцгества в содержании отдельных элементов (в %) Са 27,0 (24,8); Мд 2,36 (1,68); К 5,8 (5,3); Ге 0,77 (0,56); Сц 0,65 (0,60); И 9,04 (8,96); 5 12,2 (7,95) .П р и м е р 3. Все соотношения, условия получения и обработки анионита такие же, как в примере 1, с единственной разницей, что вместо 25 л. ч, мелкой фракции анионита АНбыло взято 25 дг. ч, мелкой (мельче 0,4 млг) фракции анионита АВГС. Полученный по примеру 3 субстрат, по сравнению с субстратом на А 1-1-2 Ф без добавок, имеетследующие преимущества в содержании отдельных элементов (в %): Са 27,8 (24,8);Мо 2,04 (1,68); К 6,61 (5,3); Ре 1,13 (0,56);5 Сц 073 (060); Р 57 (53); М 95 (896);8 12,1 (7,95) .Пример 4. Все соотношения, условия получения и обработки анионита такие же,как в примере 1, с той разницей, что вместо10 25,и. ч. мелкой фракции анионита АНберут 40 м. ч. мелкой фракции апионита АН,20 м. ч. мелкой фракции анионнта АВГС к10 м. ч. воды. Полученный по примеру 4анионит, по сравнению с субстратом на15 АНФ без добавок, имеет следующие преимущества в содержании отдельных элементов(5,3); Х 10,6 (8,96); Ь 12,9 (7,95),20 1. Способ получения субстрата для выращивани растений на основе аннопита 25 АНФ, отличаощийся тем, что, с цельюулучшения его сорбционных свойств, к аниониту АНФ добавляют пылевидные отходы более высокоемких анионитов, например, марок АН, АВГ, АВ.30 2. Способ по п. 1, отгинагощийся тем, чтодобавку пылевидных отходов производят и жидкую конденсационную массу аниопита с последующим отверждением и обработкой питательными растворами,
СмотретьЗаявка
1627100
МПК / Метки
МПК: A01G 31/00
Метки: ан-2ф, анионита, выращивания, основе, растений, субстрата
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-397175-sposob-polucheniya-substrata-dlya-vyrashhivaniya-rastenijj-na-osnove-anionita-an-2f.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения субстрата для выращивания растений на основе анионита ан-2ф</a>
Предыдущий патент: Корчеватель
Следующий патент: Пульсатор доильного аппарата
Случайный патент: Устройство для синусно-косинусного широтно-импульсного преобразования