Свч-элемент на эпитаксиальной ферритовой структуре
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1688319
Авторы: Ляшенко, Талалаевский, Хвастухин, Чевнюк, Яковлев
Текст
:ч АНИЕ ИЗОБРЕТ ОП иверситет лаевский В.Яковлев, Ерещенкоия Электро 19-21. л. 19 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(54) СВЧ-ЭЛЕМЕНТ НА ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ФЕРРИТОВОЙ СТРУКТУРЕ(57) Изобретение относится к технике СВЧи может быть использовано для создания Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано для.создания термостабильных линий задержки, фильтров и резонаторов на магнитостатических волнах.Целью изобретения является повышение термостабильности за счет создания в пленке иттриевого феррограната напряжения растяжения при температуре выше номинальной и напряжения сжатия при температуре ниже номинальной.На чертеже представлен СВЧ-элемент на эпитаксиальной ферритовой структуре.СВЧ-элемент на эпитаксиальной ферритовой структуре содержит подложку 1, на одной стороне которой размещена пленка 2 иттриевого феррограната, а на другой ее стороне закреплена термобиметаллическая 55 Н 01 Р 1/30, 1/215, 9/00 термостабильных линий задержки, фильтров и резонаторов на магни;остатических волнах, Цель изобретения - повышениетермостабильности, СВЧ-элемент на эпитаксиальной ферритовой структуре содержит подложку 1, на одной стороне которой размещена пленка 2 иттриевого феррограната, а на другой - термобиметаллическая пластина 3. При изменении температуры изменения магнитных полей в пленке 2 (размагничива ющего, кристаллографической ма гнитной анизотропии, одноосной анизотропии, вызванного упругими напряжениями границы подложка 1 - пленка 2) компенсируются дополнительным полем одноосной анизотропии, возникающим в пленке 2 при изгибе термобиметаллической пластины 3, что и обеспечивает достижение цели, 1 ил. пластина 3, температурный коэффициент расширения которой со стороны подложки 1 больше температурного коэффициента расширения другой стороны.СВЧ-элемент на эпитаксиальной ферритовой структуре работает следующим образом.При изменении температуры изменяется намагниченность насыщения пленки 2, ее константы магнитной анизотропии и упругие напряжения на границе подложка 1 - пленка 2, Это вызывает изменение магнитных полей в пленке 2; размагничивающего поля, эффективного поля кристаллографической магнитной анизотропии и поля одноосной анизотропии, вызванного упругими напряжениями, что должно было бы приводить к температурному смещению рабочей1688319 Формула изобретения Составитель Н.Савченко едактор Н.Коляда Техред М.Моргентал Корректор М.Кучеряваказ 3713 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 роизводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101 частоты магнитостатической волны, распространяющейся в пленке 2, Однако, при изменении температуры термобиметаллическая пластина 3 изгибается и вызывает изгиб закрепленной на ней эпитаксиальной ферритовой структуры - подложки 1 и пленки 2. О результате за счет выбора температурного коэффициента расширения термобимвталлической пластины 3 со стороны подложки 1 больше температурного коэффициента расширения другой ее стороны в пленке 2 при повышении температуры возникает механическое напряжение растяжения, а при снижении температуры ниже номинальной - напряжение сжатия, создающие в пленке 2 дополнительное поле одноосной анизотропии, компенсирующее температурное смещение рабочей частоты,СВЧ-элемент на эпитаксиальной ферритовой структуре, содержащий подложку,5 на одной стороне которой размещена пленка иттриевого феррограната, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышениятермостабильности за счет создания в пленке иттриевого феррограната напряжения10 растяжения при температуре выше номинальной и напряжения сжатия при температуре ниже номинальной, в него введенатермобиметаллическая пластина, котораязакреплена на другой стороне подложки и15 температурный коэффициент расширениякоторой со стороны подложки больше температурного коэффициента расширениядругой стороны,
СмотретьЗаявка
4656221, 27.02.1989
КИЕВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Т. Г. ШЕВЧЕНКО
ЛЯШЕНКО НИКОЛАЙ ИВАНОВИЧ, ТАЛАЛАЕВСКИЙ ВИТАЛИЙ МИХАЙЛОВИЧ, ХВАСТУХИН МИХАИЛ ЮРЬЕВИЧ, ЧЕВНЮК ЛЕОНИД ВЛАДИМИРОВИЧ, ЯКОВЛЕВ СЕРГЕЙ ВАСИЛЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01P 1/215, H01P 1/30, H01P 9/00
Метки: свч-элемент, структуре, ферритовой, эпитаксиальной
Опубликовано: 30.10.1991
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1688319-svch-ehlement-na-ehpitaksialnojj-ferritovojj-strukture.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Свч-элемент на эпитаксиальной ферритовой структуре</a>
Способ определения кристаллографических направлений в магнитных пленках с орторомбической анизотропией методом ферромагнитного резонанса
Номер патента: 1718162
Опубликовано: 07.03.1992
МПК: G01R 33/05
Метки: анизотропией, кристаллографических, магнитных, методом, направлений, орторомбической, пленках, резонанса, ферромагнитного
...симметрии кристаллографической, Данное устройство имеет следующее объяснение.Известно, что интенсивность линии ФМР пропорциональна мощности СВЧ-поля, поглощаемой при резонансе, которая определяется антиэрмитовыми компонентами тензора ЯЧ-восприимчивости. В случае линейно поляризованного СВЧ-поля можно показать, не теряя общности, что указанная интенсивность определяется мнимой частью соответствующей диагональной компоненты тензора ВЧ-восприимчивости. Если принять, что ВЧ-поле совпадает с осью Х локальной системы координат, ось Е направлена вдоль вектора намагниченности М, совпадающего с внешним магнитным полем и нормалью к плоскости пленки, то отмеченная мнимая часть будет иметь вид- + + (1) где у- гирамагнитное отнош е,а- параметр...
Способ измерения поля анизотропии тонких магнитных пленок с одноосной анизотропией
Номер патента: 207261
Опубликовано: 01.01.1968
Автор: Торотенков
МПК: G01R 33/12
Метки: анизотропией, анизотропии, магнитных, одноосной, пленок, поля, тонких
...поля определяют анизотропию исследуемой пленки.С целью пояснения описываемого способа на чертеже приведена схема устрой:тва для его осуществления.При измерении поля анизотропии вдоль оси легкого намагничивания создают импульсное магнитное поле, меняющееся по знаку, Импульсы магнитного поля должны иметь длиочную для перемагничиватной пленки из насыщенного м направлении в насыщен- противоположном направле207261 Составитель В. Агапов 2 ЬлгОои Типография, пр. Сапунова При дальнейшем увеличении постоянного поля по оси трудного намагничивания вид сигналов с тонкой магнитной пленки принципиально не меняется, уменьшается лишь их площадь и амплитуда за счет меныпего отклонения намагниченности от о и трудного намагничивания импульсами поля по...
Способ получения эпитаксиальных p-n-структур
Номер патента: 880170
Опубликовано: 10.11.1999
Авторы: Лисовенко, Марончук, Сушко
МПК: H01L 21/208
Метки: p-n-структур, эпитаксиальных
Способ получения эпитаксиальных р-п-структур на основе полупроводников типа AIIIBV путем принудительного охлаждения раствора-расплава, легированного амфотерной примесью, включающий создание трех температурных зон, профиль которых изменяется по длине реактора, и перемещение подложек с постоянной скоростью (1 - 5) 10-2 см/с вдоль реакционной трубы, во время которого осуществляют операции эпитаксильного наращивания, отличающийся тем, что, с целью получения резко-несимметричных р-п-переходов, улучшения качества структур и приборов на их основе, в первой зоне снижения температуры устанавливают...
Устройство для измерения ширины линии ферромагнитного резонанса ферритовых пленок на свч
Номер патента: 1767457
Опубликовано: 07.10.1992
Авторы: Гурзо, Прокушкин, Шараевский
МПК: G01R 33/04
Метки: линии, пленок, резонанса, свч, ферритовых, ферромагнитного, ширины
...переменным уровнем выходной мощности, микрополосковую линию(МПЛ) 2 с прилегающей к ней ферритовой пленкой 3, измерительное устройство 4, управляемый аттенюатор (тракт) 5, МПЛ с ферритовой пленкой помещена во внешнее магнитное поле Но,Устройство работает следующим образом,При подаче сигнала на МПЛ 2 возбуждается магнитостатическая водна (МСВ)(например, поверхностная (фиг.1. Если уровень входной мощности Рвх меньше порогового Рп 0 Р, то процессвозбуждения уМСВ линейный и сигйал на выходе МПЛ 2меняется пропорционально Рвх. В этом случае потери опорного сигнала в тракте с помощью управляемого аттенюатОра 5 ф устанавливак)тся равными потерям сигнала на выходе МПЛ. Если входной сигнал боль- - а ше Рпр, то МСВ параметрически возбуждают...
Способ измерения величины поля одноосной анизотропии ферромагнитной пленки
Номер патента: 210904
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Зинкевич, Стрельников
МПК: G01R 33/12
Метки: анизотропии, величины, одноосной, пленки, поля, ферромагнитной
...(П,) должно возрастать с увеличением Н, до як, а при Н, = Нк скачком спадать до нуля, так как импульс Н, уменьшающий поле вдоль ОТН уже не вызовет обратного поворота вектора намагниченности (показано пунктирной линией на фиг. 3).Полученные экспериментально зависимости с Лф (Н,) для одного из образцов магнитной, пленки на цилиндрической подложке при двух значениях Н 0: 1 равном 0,5 э т = 0,2 Н и 2, равном 2 э = - 0,8 Нк приведены на фиг. 4. Из-за того, что поле анизотропии неодинаково в различных микрообластях пленочного элемента (имеется разброс значений поля анизотропии пленки), скачкообразного уменьшения ЛФ до нуля не происходит, а,при Н равном эффективному полю анизотропии пленочного элемента Нк, ЛФ достигает своего максимума....
Предыдущий патент: Короткозамыкающий поршень для коаксиальной линии
Следующий патент: Вентиль
Случайный патент: Двойная фрикционная муфта