Чевнюк

Номер патента: 1762350

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Лебедь, Ляшенко, Талалаевский, Хвастухин, Чевнюк, Яковлев

МПК: H01P 1/30, H01P 1/32

Метки: вкладыш, свч-устройств, структуре, термостабильный, ферритовой, эпитаксиальной

...граната, на противоположной поверхности которой жестко закреплена пластина из диэлектрического материала, температурный коэффициент расширения которой меньше, чем температурный коэффициент расширения материала диэлектрической подложки. 1 ил,ной ферритовой пленке дополнительные упругие напряжения, компенсирующие за счет магнитоупругой связи тепловой уход рабочей частоты,На чертеже изображен общий вид, Изобретение реализуется следующим образом. На подложке 1 из галлий-гадолиниевого граната толщиной 500 мкм эпитаксиально выращена пленка 2 железоиттриевого граната толщиной 15 мкм, на поверхности которой расположены антенны (возбуждающая и приемная). С противоположной стороны подложки 1 с помощью клея жестко закреплена диэлектрическая...

Номер патента: 1737702

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Ляшенко, Рубан, Талалаевский, Чевнюк, Яковлев

МПК: H03H 7/00

Метки: волнах, магнитостатических

...тем,что, в устройстве на магнитостатическихволнах, содержащем подложку, на которой расположена эпитаксиальная пленка ЖИГ, на поверхности которой размещены преобразователи МСВ и поглотители МСВ, выполненные в виде полосок, поглотители МСВ выполнены на торцах устройства в эпитаксиальной пленке ЖИГ в виде полосок шириной 2,5 - 3 мм, объемно легированных ионами кремния с концентрацией (О,б - 1) 1 0 смНа чертеже представлено устройство на магнитостатических волнах, общий вид,Устройство на магнитостатических волнах содержит подложку 1 из галлий-гадолиниевого граната (ГГГ), пленку 2 ЖИГ,51015 преобразователи 3 и 4 МСВ, поглотители 5и б паразитных МСВ. Устройство имеет форму прямоугольной пластины шириной 2 - бмм и длиной 8 - 20 мм....

Номер патента: 1688319

Опубликовано: 30.10.1991

Авторы: Ляшенко, Талалаевский, Хвастухин, Чевнюк, Яковлев

МПК: H01P 1/215, H01P 1/30, H01P 9/00 ...

Метки: свч-элемент, структуре, ферритовой, эпитаксиальной

...2 при изгибе термобиметаллической пластины 3, что и обеспечивает достижение цели, 1 ил. пластина 3, температурный коэффициент расширения которой со стороны подложки 1 больше температурного коэффициента расширения другой стороны.СВЧ-элемент на эпитаксиальной ферритовой структуре работает следующим образом.При изменении температуры изменяется намагниченность насыщения пленки 2, ее константы магнитной анизотропии и упругие напряжения на границе подложка 1 - пленка 2, Это вызывает изменение магнитных полей в пленке 2; размагничивающего поля, эффективного поля кристаллографической магнитной анизотропии и поля одноосной анизотропии, вызванного упругими напряжениями, что должно было бы приводить к температурному смещению рабочей1688319...

Номер патента: 1652816

Опубликовано: 30.05.1991

Авторы: Ляшенко, Стахурский, Чевнюк

МПК: G01B 15/00

Метки: волноводная, измерительная, секция

...погружается в продольную ь 11 ель 2 отрезка 1 СВЧ-волновода, при ььомощи прижимного элемента 4 торцовая 15 Поверхность.диэлектрического резонаора 3 прижимается к .поверхности планарной структуры, Щель 2 выполнена по оси вдоль широкой стенки отрезка 1 СВЧ-волновода. Такая щель 20 является неизлучающей для волны типа Но и не возмущает распределение СВЧ-поля в отрезке 1 СВЧ-волно" Вода. При переходе от одного измерения к другому диэлектрический 25 резонатор 3, закрепленный в стакане 5, отжимается при помощи тяги 8 от исследуемой структуры, которая после этого перемещается для исследования следующего участка относитель йо резонатора 3, затем тяга 8 отпускается и прижимной элемент 4 прижимает резонатор 3 к следующему участку...