Аброян

Номер патента: 852148

Опубликовано: 07.03.1988

Авторы: Аброян, Сусаров, Токарев, Федотов

МПК: H05H 5/02

Метки: выпускное, окно, ускорителя, электронов

...вакуумплотно установленную на решетку, поверхности каналов выполнены наклонными.Пленка одного металла, нанесенная на поверхность другого, начиная с толщин, равных нескольким атомарным слоям, определяет его вторично-эмиссионные свойства. Пленка тяжелого металла с большим атомным номером (А 8, Бп У, РЪ), нанесенная на поверхность каналов медноопорной решетки, ведет к увеличению относительной доли наиболее быстрых неуп-,руго отраженных электронов, т.е. в спектре вторичных частиц увеличивается число частиц с энергией, близкой или равной энергии первичного пучка, пригодных для выводасквозь фольгу.в атмосферу.На фиг. 1 изображено выпускное окно ускорителя электронов; на фиг. 2 - элементы опорной решетки одного из конструктивных...

Номер патента: 1210157

Опубликовано: 07.02.1986

Авторы: Аброян, Денисов, Дмитриев, Федяков, Финкельштейн

МПК: H01J 37/06

Метки: вторично-эмиссионная, пушка, электронная

...51 ца электрод 8 цз стенках камеры 7 уста. нолены проходные изоляторы2. Требуемое .аленце в электронной пушке задается с ПОХ 10 ИЕЫО Вс)КМуМНОГО НЗСОСЗ 13 И НЗТСКЗ- г(.151 14.Устройство работает следующим образом, С., помощью вакуумного насоса3 и цатекатсля 14 в камера 3 и 4 электронной пушки заддется рабочее давление ца уровне 10 1 О торр. При подаче положительного напряжения ца сетцатый электрод 8 цс.рсз проодной изолятор 12 образующиеся в промежутке между находящимися под земляным потцциалом электродами 9 и 1 О электроны совершают колебательныс движения, прохо:Ея церез сетчатый электрод 8. На своем пути электроды иси)цзируют молекулы раооцего ГЗЗД, с 1 ООРс)ЗОВЗВПИ(.С 51 В ИРОМЖтк 1 ЕЖ- . эзектродс)ми 9 и 1 О ионы сквозь с(ч)ть)и...

Номер патента: 687900

Опубликовано: 07.01.1981

Авторы: Аброян, Зиновьев, Подсвиров, Сидоров, Титов

МПК: G01B 15/02

Метки: измерениятолщины, неразрушающего, пленок, тонких

...пары подложка-пленка. Следуетподчеркнуть, что появляется воэможностьизмерения толщин аморфных напыленныхслоев того же материала, что и подложка, 15а также слоев, аморфизованных внедренными в кристалл ионами.Это достигается тем, что зондированиепроизводят под разными углами, регистрируют угловую зависимость потока неупруго отраженных электронов от подложки кэВ до ю 0,1 для Е в несколько десяти покрытия, определяют положение пика ков кэВ. С увеличением энергии первичтонкой структуры, по которому судят о ных электронов увеличивается и толщинатолщине пленки,На фиг. 1 представлены зависимостиЬ(Е) для аморфных пленок 3-х толщин.Экстраполируя начальный (ось абсцисс) ирастущий участки зависимости получаемЕ для данной толщины пленки. Подобные...