Лыньков

Номер патента: 819851

Опубликовано: 07.04.1981

Авторы: Коваленко, Кравченко, Лыньков, Соловьев

МПК: H01J 37/26

Метки: микроскопии, образцов, оксидныхпленок, приготовления, электронной

...пленки ИВАГО соответствуют требуемой форме и размерам (по площади 2 - 4 мм)и сохраняют качество отделяемой пленки,что подтверждается при исследовании напросвет в электронном микроскопе ЭММА,Таким образом, применение предлагае 20 мого изобретения позволяет существенноповысить эффективность и качество отделения оксидных пленок,Формула изобретения Исследуемые образцы оксидной пленки ТаО а соответствуют требуемой форме и размерам (по площади 2 - 4 мм) и сохраняют качество отделяемой пленки, что подтверждается при их исследовании на просвет в электронном микроскопе ЭММА.Пример 2. На ситалловую подложку типа СТ 50 - 1 осаждают дополнительную пленку ванадия толщиной 1000 А по форме и разраствор лимонной килоты. В качестве переходного...

Номер патента: 785790

Опубликовано: 07.12.1980

Авторы: Бондаренко, Лыньков, Паркун, Суходольский

МПК: G01R 27/02

Метки: пленок, проводящих, сопротивления

...с входамиблока измерения, снабжено заслонками и дополнительным слоем диэлектрика, укрейленным на поверхности токоведущих электродов, а заслонки закреплены над поверхностью дополнительного слоя диэлектрика и токоведущими и измерительными электродами,На чертеже представлена конструктивная схема предлагаемого устройства.Оно содержит подложкодержатель 1 с диэлектрической подложкой 2, ад 4 езионный:подслой 3, металла, токо- ведущие 4 и измерительные 5 электроды, блок 6 измерения, дополнительный слой 7 диэлектрика, например из двуооставитель А, Изюмов ехред Т.Маточка Кор тор В. Синиц ор Ж к Подписн а СССР крытий наб., д. 4/ 835/49 Тираж 1019 ВНИИПИ Государственного комитепо делам изобретений и о 113035, Москва, Ж, Раушская ака роектная, 4...

Номер патента: 669253

Опубликовано: 25.06.1979

Авторы: Кравченко, Лабунов, Лыньков, Томилин

МПК: G01N 1/28, H01J 37/26

Метки: микроскопии, образцов, приготовления, тонкопленочных, электронной

...следующим обез ожку,енную по цоликора итапл логенсодержашую да, насышают пора ми галогенов, нкую диэлектримого материала. ки ион верхность по после чего о даю ленку исспеду Р(54) СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХОБРАЗЦОВ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИ6692534ший разряд постоянного тока Щ, =1100 В,;/ =100 мА) и насыщают подложку иона-ми рабочего газа в течение 5 мин. После чего подложку переводят на позициюнапыления, прекрашают подачу рабочегогаза, откачивают вакуумный обьем додавления 510 тор и напыляют тонкуюдиэлектрическую ппенку 5 О. Затем включают нагреватель подложек, нагреваютоподложку с пленкой до 55+5 С температуру контролируют с помощью термопарного датчика), при этом происходит отслаивание пленки.Таким же образом осаждают...

Номер патента: 624177

Опубликовано: 15.09.1978

Авторы: Ворозов, Лыньков, Паркун, Соловьев

МПК: G01R 27/02

Метки: пленок, проводящих, сопротивления

...метантала, ниобия илидущий электрод 4 вния пленки металла срительной схемой, наомметром, в результавляется контроль тэлщ оведущего электрика 5 осаждаталла, чапример ихрома. Токовепроцессе осаждеединен с кзмеример с циФровым е чего осущестины и измерение ен ен Известно устройство для измерени сопротивления проводящих пленок, состоящее из диэлектрической подложки с адгезионным подслоем металла и расположенными на нем токоведущими электродами, соединенными с измерительной схемой 1 .В процессе осаждения на токоведущие электроды тонкой проводящей пленки контролируется электрическое сопротивление осаждаемой пленки, Однако в результате перегибов осажденной пленки на границе токоведущих электродов в этих местах возникают механические напряжения...