Способ очистки подложек гибридных интегральных микросхем
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1628838
Авторы: Космодемьянская, Шурова
Текст
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к очистке подложек гибридных микросхем в процессе монтажа.Цель изобретения - повышение качества очистки и снижение токсичности состава,Цель достигается эа счет использования в составе для очистки, содержащем Гидроокись аммония, воду и поверхностно-активное вещество (ПАВ), в качестве ПАВ вещество формулы ВС 6 Н 40(СН 2 СН 20)п Н, где В СЯН 19, и = 10 или 12 в сочетании с поливинилпирролидоном, причем обработку в укаэанном составе проводят при 50-60 С в течение 10-15 мин,Приготовление состава заключается в смешивании водного раствора гидроокиси аммония с водным раствором ПАВ, в качестве которых используют оксиэтилированный моноалкилфенол Неонол АФ 9-10 или Неонол АФ 9-12 и поливинилпирролидон.П р и м е р. В деиониэованной воде(удельное сопротивление 10 Мом) готовят 1 л моющего состава при следующем количественном соотношении компонентов, мас, %:Гидроокись аммония (25) 1,25 Неонол Аф 9-10 0,25 Поливинилпирролидон 0,025 Вода до 100Платы микросхем УВ 01 У с навеснымиэлементами, посаженными на лудящую пасту ПЛ, устанавливают в кассету и по 5 гружают моющий состав с температурой55 С, обрабатывая в течение 15 мин.После обработКи подложки промываютв токе деионизованной воды с удельнымсопротивлением 10 Мом комнатной темпе 10 ратуры втечение 1,5-2 мин и сушаточищенным сжатым воздухом. Далее подложкипоступают на визуальный контроль качества очистки. Показатели качества очисткиприведены в таблице,15 Как следует из таблицы, состав обеспечивает качественную очистку подложек гибридных микросхем от канифольного флюсав процессе монтажа. Отклонение значенийсопротивлений резисторов после очистки от2 первоначальных составляет +0,6. Повышается стабильность процесса УЗ-сварки,увеличивается прочность сварного соединения. Отсутствуют механические нарушенияповерхности (изолирующей, проводниковой, резистивной). Выход годных увеличивается до 100,1628838 Продолжение таблицы Выход годных,Способность к Качество очиПример разварке стки Канифоль флюс не обнаружен0,016 2 3 4 5 6 7 100 100 100 100 100 71 6,5-8,0 6,5-8,5 6,5-9,5 6,5-8,0 6,5-8,5 2,5-4,0 0,007 0,035 0,018 0,025 0,054 0,788 Нестабильность процесса сварки 93,6-4,5 83 0,638 Составитель Г.ГригоренкоТехред М.МоргенталКорректор Н,Король Редактор В,Фельдман Тираж Подписное НПО "Поиск" Роспатента113035, Москва, Ж-З 5, Раушская наб., 4/5 Заказ 1659 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул. Гагарина, 101 Отклонение значений сопротивлений резисторов ( после очистки) от первоначальных значений,(допускаетсяо 02 Формула изобретенияСПОСОБ ОЧИСТКИ ПОДЛОЖЕК ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРО СХЕМ от канифольного флюса, включающий обработку подложек в составе, содержащем гидроокись аммония, поверхностно-активное вещество и воду, их промывку деионизованной водой и 10 сушку, опиичающийся тем, что. с целью повышения качества очистки и снижения токсичности процесса, при обработке подложек в качестве поверхностно- активного вещества используют смесь 15 оксиэтилиоован ного моноалкилфенола Прочность сварного сое. диненияформулы РСвНО(СН 2 СН 20) ф Н, где РС 9 Н 19, и фф 10 или 12, и поливинилпирролидона при следующем соотношении компонентов, мас.:Гидроокись аммония 1,25 - 1,45 Поливинилпирролидон 0,025 - 0,35 Оксиэтилированныи моноалкилфенол формулыРСВН 40(СН 2 СН 20)п ф Н,где Р - СвНа, п - 10 или12 0,25 - 0,35Вода Остальноепричем обработку проводят при 50- 60 С в течение 10 - 15 мин.
СмотретьЗаявка
4619330/21, 12.12.1988
Ярославское научно-производственное объединение "Электронприбор"
Космодемьянская Н. П, Шурова И. Г
МПК / Метки
МПК: H05K 3/26
Метки: гибридных, интегральных, микросхем, подложек
Опубликовано: 20.03.1996
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1628838-sposob-ochistki-podlozhek-gibridnykh-integralnykh-mikroskhem.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ очистки подложек гибридных интегральных микросхем</a>
N, n, n, n -тетрагептилгексаметилендиамин гидрохлорид в качестве стабилизатора неионогенных поверхностно-активных веществ от биологической деструкции
Номер патента: 1576525
Опубликовано: 07.07.1990
Авторы: Александрова, Бунина-Криворукова, Комиссарова, Нигматуллина, Новоселов, Силищев, Хазипов
МПК: C02F 1/50, C07C 211/00
Метки: биологической, веществ, гидрохлорид, деструкции, качестве, неионогенных, поверхностно-активных, стабилизатора, тетрагептилгексаметилендиамин
...микроорганизмов в 1 мл,отобранную из нагнетательной скважинынефтяного месторождения.Дпя опреде.ления степени биодеструкции ПАВ в.склянку Вульфа емкостью 3 л вводятсточную воду, содержащую, 0,05% ПАВи Б,11,Б 11 -тетрагептил - гексаметилдиамин гидрохлорид. По истечении30 сут в склянках определяют концентрацию ПАВ. В качестве контроля используют аналогичные пробы без введения реагента и стерильные пробы,стерилизация пластовой микрофлорыдостигается обработкой нефтепромысловой воды в автоклава прй 115 С(давление 1,5 атм) в течение30 мин,Степень биодеструкции Х (в %)за период испытаний, равньй 30 сут,определяют по формулеС -Сл.Х = - - -- - - . 100Эгде С, С- к онцентр ация ПАВ в к онце опыта соответственно для нефтепромысловой среды с...
Способ контроля качества микросхем
Номер патента: 1684755
Опубликовано: 15.10.1991
Автор: Захаров
МПК: G01R 31/28
...элементов микросхемы вторые обусловлены влагой, абсорбированной внутренним объемом элементов, Особенностью контроля по предлагаемому способу является необходимость "перевода" части влаги, содержащейся в газовой среде подкорпусного пространства, во влагу, абсорбированную объемом элементов схемы, простое понижение температуры в этом случае неэффективно, поскольку, во-первых, влага, содержа-щаяся в газовой среде подкорпусного пространства, может конденсироваться в объеме подкорпус ного пространства без выпадения на поверхность кристалла контролируемой схемы, дальнейшее понижение температуры ведет к е замерзанию и уже в виде твердой фазы влаги осаждается на поверхности элементов схемы, не вызывая изменений тока утечки, кроме того,...
Сульфаты полиглицеридов карбоновых кислот в качестве поверхностно активных веществ
Номер патента: 899541
Опубликовано: 23.01.1982
Авторы: Аверина, Головин, Жуков, Логунов, Макарова, Неводчикова, Щербик
МПК: C07C 143/04
Метки: активных, веществ, карбоновых, качестве, кислот, поверхностно, полиглицеридов, сульфаты
...Со-С . 5В условиях примера 1 из 200 г тетраглицерида кислот фракции С-С,и 40 г 50 получают 239 г сульфомассы с кислотным числом 115, которуюпо частям нейтрализуют разными ос Онованиями - 102-ными растворамиМаОН, КОН, МН и 202-ными растворами моно-, ди- и триэтаноламинов. Вы -ход 943.Для установления строения синтезированных продуктов и изучения влияния длины алкильной цепочки кислоты(Й) и степени уплотнения глицерида(и) на коллоидио-химические свойствапродуктов были также проведены синтезы натриевых солей сульфатов полиглицеридов и на основе индивидуальныхполиглицеридов и карбоновых кислотс применением растворителя,П р и м е р 4, Получение натриевой соли сульфата тетраглицерида стеариновой кислоты.50 г тетраглицерида...
Этоксиалкилмалеинаты в качестве поверхностно-активных веществ
Номер патента: 956457
Опубликовано: 07.09.1982
Авторы: Волков, Орлов, Родионова, Ченцова
МПК: C07C 69/60
Метки: веществ, качестве, поверхностно-активных, этоксиалкилмалеинаты
...увеличением концентрации растворов синтезированных малеинатов поверхностное натяжение уменьшается, а это свидетельствует о постепенном формировании адсорбционного слоя на границе раствор- воздух, насыщение которого приводит к тому, что поверхностное натяжение достигает предельного значения.Кроме того, критические концентрации мицеллообразования имеют величину 1 10 4 - 1 10 з мольл, характерную для многих неионогенных ПАВ, что свидетельствует о способности этоксиалкилмалеинатов к образованию мицелл в водных растворах (табл. 2).Исследованы свойства предлагаемых этоксиалкилмалеинатов для сравнения их со свойствами известных неионогенных ПАВ - ОП, ДС, этоксиалкилалкилмалеинатов.На графике приведена зависимость поверхностного натяжения от...
Кватернизованные гетероциклические -оксиамины в качестве поверхностно-активных веществ, обладающих фунгистатическим, бактериостатическим, бактерицидным, спороцидным и дезинфекционным действием
Номер патента: 1261256
Опубликовано: 27.04.2000
Авторы: Анисимова, Ахмеров, Зотова, Иванов, Катушенок, Кудрина, Кудрявцева, Мизерный, Молодых, Низамов, Федоров, Шадрин, Штанова
МПК: A61K 31/40, A61K 31/445, A61K 31/535, C07D 211/42, C07D 295/08
Метки: бактериостатическим, бактерицидным, веществ, гетероциклические, дезинфекционным, действием, качестве, кватернизованные, обладающих, оксиамины, поверхностно-активных, спороцидным, фунгистатическим
Кватернизованные гетероциклические -оксиамины общей формулыгде R1, R2 = -CH2-CH(OH)(CH2)3-; R3 = CH3; R4 = -C16H33-н,R1, R2 = -(CH2)4-; R3 = CH2CH2OH; R4 = -C16H33-н,R1, R2 = -(CH2)4-; R3 = CH2CH2OH; R4 =...
Предыдущий патент: Устройство для отделения шлака при сливе металла
Следующий патент: Способ управления касательным напряжением ферромагнитной суспензии на стенке
Случайный патент: 322686