Способ изготовления алюминиевой подложки для гибридных интегральных микросхем

СОЮЗ СОНЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧГСНИРЕСПУБЛИН 51) 5 Н 05 К 1/05 ОПИОАНЙЕ И:3 ОБРЕТИ АВТОРСКОМУ СвйДЕТЕЛЬОТВУ 1 45хнический сти -евич А ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРГО ДЕДАУ ИЭОБРБТБНИЙ И ОТНРЦДУ(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АЛСМИНИЕВОЙПОДЛОВКИ ДЛЯ ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХМИКРОСХЕМ(57) Изобретение относится к микроэлектронике. Цель изобретения - повышение качества подложек. Подложки,например, из сплава АМ 1 2 терморихтуют при температуре 573 К и механически обрабатывают методом торцовогоалмазного точения, Затем проводятглубокое пористое анодирование в эле тролитс на основе ортофосфарнай кислоты. Анодирование выполняют при плотности тока 15 нА/см и температурейэлектролита 285 К. После этого наповерхность анодированного слоя наносят диэлектрик - полиимидный лак, который после его сушки и гмидизацииудаляют. Использование метода алмазного торцового точения обеспечивает14 класс чстоты говерхности, точность размеров в пределах 0,003,0,005 мм и исключает деформацию поверхностного слоя. Грименение электролита на основе ортофосфорной кислоты обеспечивает высокую скоростьроста анодного окисла (не менее0,5 мкм/мин) и образование структуры 1оксида с порами большого диаметрао(до 1000 А ), Заполнение пор полиимидным лаком позволяет повыситьтеплостойкость подложки,увеличитьее плоскостность и улучшить адгеэив .к ней проводяпих и резистивньх пленок.- ", г г) р 81 11 г 0 Изобретение отцосцтся .;:( электронике я может быть . ПО;.ЭОэ=- 1 О В ППОИЗВОДСтВЕ ГябридгЪ. Л:1 тЕ - ГРагдьцХ МИКРОСХЕМ.Целью изобретения ясляется эъп е- НИЕ КЯЧ Е С 1 Б г 1 ПОД.ОА(ЕКЛ Г Ч Е Г УВ ЕЛИЧЕСИЯ ТЕПЛРСТРЭСКГГ ГИ С О;ЦОВОЕМЕЦНЪ.-; УЛУЧСПЕЦИЕМ ЛЛОСКОСтноатя ПОВЛРХЦЭСТИ подложек,Исгользовайие метода лчыа со О ТОРЦОВОГО ТОЧЕНИЯ, ЗЗКЛ 0 а 1:.Его-Я снятии ллслзсьп О, 11;,и цлруж эт О с,О 51 аЛ 0 МИЭИЯ ца; Лубигге О г Г, 2 :, П(., О обеспечявлет Одцелпемацца Г эп че КИЕМ 14 КЛага чиа 1(1 тЬ О;,Еркцсст точность рлэмероэ В с-,ве: Пах0 ООЗ 0 00 и я. (;11,г: Г" Оп 1 в ци 10 (10 верхцОГтц Огс Г,с Оп Бс.1" (с; яе М.ЛЫХ УС ИЛИИ РЕ ЛЦЛЯ и ОСя-, л- З- ги заусенцев ца кромках Применение з(Р 1 Т 11;слс гл 1 л (снов Ве Орто)ос(0 орОЙ ки(сит;1 Обе псив л "ет высо-(ую скорост рзг гл лц элц( го окисл; Г ; менее 0 э м:,г м-,ц) . -,б рлзовацяе структуры Оксилс (. Пор и болспого диаметра (тэ 1 ОГ)Г ,)ЗлПОЛЦЕЕИ" 1 ОР ПОЛ 1 Ы(гСЧм П;КОМ ЯО" ЗВОЛЯРТ ПОСЪСГИТЬ т(П 1 О(. Та 1 о.Ь ЗОЛ ПОЖЕК УЛУЧ 1 ИТЬ ЛР К 1 ССЭч Г РОБОТЯЩИХРРЗПСТИВЦ,СХ : г: с, УЦ г 11- 15 ть пл-сскостцо т 1, .Опсчс,(иП р "1 м е р. 11 одложя и. епг лсэа М 11 2 р заме)эом:ОЪ 8 "Я т.:1 Г 0,8-2,2 м обезжирисэлп э гс; .чсогл растворе, содержлщам .с(1 с цл р я трицлтряй 1 ОГ(сэат., приКцлсят , т Г,;ячей и холодной поде, сСе ег(; тепморихлуют г:.ри темп.ажуре 511 1( я усилии:жатия 2 10 кг,см ц - е егцие О 5 ч. Подложкс.11 :лтс.;1 гт цл прец 5 зсло 15 О 1 станке ллиТ( э;ОВОГО тО-.ЕНИЯ МЛРКг ",чПЕрЕд ацОдярпЛ М "с",.Ч жк 1 Г: - яьгв Л 10 Т "3 Л ц ЕО 51 РЛубе:(ОЕ ПОВИГТОР л г 1 "а .-, . Г аЛ 10 МИНИЕВгзХ ПЛЛ(ц ",1( 15электролита с:Седус 1 с ит-,;,с;.эртоФОСФОрая ксчотл " л,кислота 10, Ссл-,.е(сргэл; ;а1)), )л 1 ц, 11 каче(.тце ясточника тола ясоцьзую 11 отецссиостат ПИ , б( СЦЕчи ЭЛЮЩИй ЛВТ(ЭЛТИЧЕСКОЕ ПОД: Ожлцяе тг ка, эо дестяжении необхоЦимой ГГЛГ(ЯЦ: ПО ОИГ ТОГО ОК СИДИ ОГО .Л(я ,0 мкм э;.-,о(е(с прекращают ПОГПР л, Олгроплция для уцалениялц "снос зцектэолптл .з пор подложкипр(мыцаю леиоцизированной воде,53 РМ КПЯТ 5 т сг аЦЕСОНЕ В ТРЧЕ -(,ЛЮП В,К,г 55"С ЕПЕРа 1 УРР 1 г,аяа (яра,ъОтжяГа ца ПОВЕркг,т, -К ЧЦОО ЛЛЯМИНИЕВОГО СЛОЯ 1 РТОДСМ П.ила и (:ОСПРДУЮЩЕГО ПЕНтРИю,иэо, лни 5" но с 5 т олиямидцъ( лак-, я 11 с 0;, Пасла цаесеция осу,г.ТВЛЯЮТ ГУПК" И М ЛяэаЦИЮ СлОЯяяапа.зоцс температур 373-б 23 1(,УДВЛЕЦЯЕ СЛОЯ ПОЛИИМИДЦОГО ЛаКа ссуа твгяют ме . одом плазм( химичеХ. о лрлялец я ц с.,еде кислородхледоц = 10; 1, Полиимяд удаляот на ТОгЦПИЦ. ПСЕКИ ДО ПОВЕРХНОСТИС(гЛДЦОГО СЛО( И СЦЕГКа ПОДТРанЛЯВа, лля сэ лжиьлция релье(ра. 15 с р м у л л и з о б р е т е ц и я ОПОСОб ИЗСОТОВЛЕция аЛЮМИНИЕВОИ гог,г:;ос(и длц гибРИДцых ицтегпальцых и( рэсхеыцклкгчающий терморихтовку; ехлцяческу 0 Обработку поверхност- подложки. Ре лубокое пористое Г ПООЯЛгР С Цанв, ЕЦИЕ Слоя ДИЗЛЕК П"ИКа Ца тОВЕРХЦОСть ЛНОДИРОВаННОГО лся, с т:,ся. аюп.,яйся тем, чта, С ДСЛЬЮ ПСВЪПСЕ ИЯ КаЧЕСтВа ПОД,ртггг ЭЛ СЧЕТ ;ВЕЛИЧЕЦИЯ ТЕПЛОСТОЙКООДЦО;са.,- ЦЦЬП УЛУЬПЕНИЕМ ПЛО -ссст; Р( т(;за)51(ыостиг механическУЮГ)ЛбО гху г(.уПР( ТВЛЯЮт .ЕТОДОЫ ТОрцООг алмаз ь Ог; то-.енсс.глубокое по- ".ГТОЕ а(ДИРОВ г 1 ИЕ ПРОЬОДЯт В ЗЛЕК;лите на ОГ: с зе Гртфосфорнойкис.Ц;г:, В КЛ РСТВЕ ДИЭПЕКТРЯКЛ ИСГОЛЬзу:(т поляимидцый,;ак причем после ЛССЕСРНЯЯ ( сок ЛЛКЛ ВЪПОЛЦЯЮТ ЕГО уку и 1 мицязасию Г. последу 0 Дим удагл(ЦИЕМ СЛ.Я ЛРКЛ С ПОВРРХНОСтя ЛЦОДИ-- ., днгос О г Л г